申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2017-05-19

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN107403782B

主分类号：H01L23/49(20060101)

分类号：H01L23/49(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：["20160520 DE 102016109349.1"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权;2017.12.22#实质审查的生效;2017.11.28#公开

摘要：在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。

主权项：1.一种芯片封装体，包括：包括芯片金属表面的芯片；金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面；封装材料；和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；其中，所述保护层包括或由无机材料的组中的至少一种材料组成，所述组由以下材料组成：Ni、Co、Cr、Ti、V、Mn、Zn、Sn、Mo、Zr；其中，所述保护层还包括贵金属，其中，所述保护层包括不含贵金属的区域，其中，所述不含贵金属的区域提供金属接触结构的所述部分与封装材料之间的接合面的至少一部分。

全文数据：芯片封装体、形成芯片封装体的方法和形成电接触结构的方法技术领域[0001]各种实施例总体上涉及一种芯片封装体、一种形成芯片封装体的方法以及一种形成电接触结构的方法。背景技术[0002]芯片封装体可通常包括芯片，与芯片电接触的金属接触结构，和至少部分地封闭芯片和金属接触结构的封装材料。金属接触结构可提供从封装材料外部到芯片的导电连接。金属接触结构可包括焊线，所述焊线可包括或由铜Cu组成。与金Au线（其已经并且仍然是使用的主要线材相比，由裸Cu材料制成的焊线可具有显著的成本优势。然而，Cu线可具有一些技术上的缺点和缺陷，阻碍其快速使用和工业接收程度。例如，铜在环境空气中容易氧化。因此，其保质期非常有限，并且装配厂可采用严格的规定例如在具有惰性介质的密封封装体中运输，一旦密封封装体被打开，就要限制使用时间）等。[0003]另外，Cu结合互连结构可经常和更容易（例如比使用金线的互连结构更容易）在使用多个湿气水平的应力试验例如温度湿度偏置THB:TemperatureHumidityBias，高加速应力试验HAST:HighlyAcceleratedStressTest，无偏置温度湿度加速应力试验UHAST:UnbiasedTemperatureHumidityAcceleratedStressTest或无偏置温度湿度压热器AC:Autoclave中受到腐蚀。[0004]另外，Cu楔形结合互连结构特别是在涂覆有贵金属（例如金Au、银Ag、或钯Pd且具有光滑、非粗糙的表面的表面之上，可显示出弱的结合和粘合。[0005]对于用作焊线的银Ag线，可出现类似的缺点。发明内容[0006]在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。芯片封装体可包括芯片；金属接触结构，所述金属接触结构包括非贵金属并且电接触芯片;封装材料;和保护层，所述保护层包括或基本上由在金属接触结构的一部分与封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，保护层可包括贵金属，保护层的所述部分可包括多个不含贵金属的区域，所述不含贵金属的区域可提供封装材料与金属接触结构的非贵金属之间的接合面。[0007]根据本发明的第二个方面，提供了一种芯片封装体，包括:包括芯片金属表面的芯片;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面;封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成;其中，所述保护层包括或基本上由无机材料的组中的至少一种材料组成，所述组由以下无机材料组成:氧化铝;氧化铜;无定形或结晶二氧化硅;原硅酸四乙酯;氮化物;磷酸盐;碳化物，硼化物，铝酸盐;无定形碳或其他富碳材料;Al、Ta、Co、Ti、W、CoP、CoWP、V、Mn、Zr、Mo、Au、Ru、Rh、Zr、Re、Ir、Si;包括氮和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物;和包括硅和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物。[0008]根据本发明的第三个方面，提供了一种芯片封装体，包括:包括芯片金属表面的芯片;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面，其中，所述金属接触结构包括铜和或银;封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成;其中，所述保护层包括或基本上由与所述封装材料不同的聚合物组成。[0009]根据本发明的第四个方面，提供了一种芯片封装体，包括:芯片；电接触所述芯片的金属接触结构;封装材料;和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成;其中，所述保护层包括厚度小于IOnm的贵金属。[0010]根据本发明的一个可选实施例，所述金属接触结构的所述部分具有至少50nm的表面粗糙度。[0011]根据本发明的一个可选实施例，所述多个不含所述贵金属的区域中的每个区域具有Inm的最小直径。[0012]根据本发明的一个可选实施例，所述不含所述贵金属的区域的累积面积是所述保护层的所述部分的面积的至少5%。[0013]根据本发明的第五个方面，提供了一种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括:将所述芯片与所述金属接触结构电接触;在电接触所述芯片之前或之后，粗糙化所述金属接触结构的至少一部分，使得获得至少50nm的表面粗糙度;至少在所述金属接触结构的所述部分之上形成包括贵金属的保护层，其中，所述保护层具有小于IOnm的厚度;和在电接触所述芯片之后并且在布置所述保护层之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得所述保护层布置在所述金属接触结构的至少一部分与所述封装材料之间的接合面处。[0014]根据本发明的第六个方面，提供了一种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括:至少在所述金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层;部分地去除在所述金属接触结构之上的所述保护层，从而形成多个不含所述贵金属的区域;将所述芯片与所述金属接触结构电接触;和在布置并部分地去除所述保护层之后并且在电接触所述芯片之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，从而将非贵金属暴露的所述不含所述贵金属的区域与所述封装材料物理接触。[0015]根据本发明的第七个方面，提供了一种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括具有芯片金属表面的芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括:将所述芯片金属表面与所述金属接触结构电接触；用等离子体处理所述金属接触结构和所述芯片金属表面，从而，在所述金属接触结构的至少一部分和或所述芯片金属表面中或之上形成保护层；和在电接触所述芯片之后并且在布置所述保护层之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得所述保护层布置在所述金属接触结构的至少一部分与所述封装材料之间的接合面处。[0016]根据本发明的一个可选实施例，所述等离子体包括以下等离子体的组中的等离子体:N2、NH3、N2〇、〇2、〇3*NxO。[0017]根据本发明的第八个方面，提供了一种形成电接触结构的方法，包括:在金属表面上方或之上布置金属接触结构；在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆金属层，从而将所述金属接触结构固定至所述金属表面，并且在所述金属接触结构与所述金属表面之间形成电接触结构，或加固或增厚所述金属接触结构与所述金属表面之间的现有的电接触结构。[0018]根据本发明的一个可选实施例，所述方法还包括:在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆所述金属层结构之前，通过涉及湿化学、干化学和或等离子体的工艺处理所述金属表面和所述金属接触结构，以准备所述金属表面的表面和所述金属接触结构的表面用于镀覆。[0019]根据本发明的一个可选实施例，所述方法还包括:在布置金属接触结构之前，在所述金属表面之上布置中间层。[0020]根据本发明的一个可选实施例，布置所述中间层包括将所述中间层布置为结构化的中间层。[0021]根据本发明的一个可选实施例，所述方法还包括:在布置金属接触结构之后，在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上布置最终保护层。[0022]根据本发明的一个可选实施例，所述中间层包括粘合促进剂，且布置金属接触结构包括将所述金属接触结构布置在所述粘合促进剂中或之上或者将所述金属接触结构部分地布置在所述粘合促进剂中。[0023]根据本发明的一个可选实施例，布置所述中间层包括沉积、模版印刷或丝网印刷。[0024]根据本发明的一个可选实施例，所述中间层被配置成防止金属镀覆在所述中间层之上。[0025]根据本发明的一个可选实施例，所述方法还包括:在镀覆所述金属层之后，将焊料布置在接触部分之上，在所述接触部分处形成所述金属接触结构与所述金属表面之间的所述电接触结构。[0026]根据本发明的第九个方面，提供了一种形成电接触结构的方法，包括:通过原子层沉积，将钝化层沉积在金属表面的至少一个区域之上，其中，所述钝化层包括氧化铝，所述金属表面的所述区域包括铜;和将所述金属表面的所述区域与金属接触结构电接触，其中，所述金属接触结构包括铜。附图说明[0027]在附图中，相似的附图标记通常指代在整个不同的视图中的相同部分。附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明本发明的原理上。在下文描述中，参考以下附图进行描述本发明的各种实施例，其中：[0028]图IA示出芯片封装体的剖视图；[0029]图IB示出焊线的剖视图；[0030]图2示出可视化在芯片封装中的金属表面之上的腐蚀过程的示意性横截面；[0031]图3A至图3C示出根据各种实施例的芯片封装体的示意性横截面；[0032]图4A至4C示出根据各种实施例的芯片封装体的示意性横截面；[0033]图5A作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触的两个替代工艺的各个阶段；[0034]图5B作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触的工艺的阶段；[0035]图5C作为两个示意性横截面，示出根据两个不同实施例的形成电接触的工艺的阶段；[0036]图f5D作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触的工艺的阶段；[0037]图6作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触的工艺的详细方面；[0038]图7示出根据各种实施例的形成电接触的方法的两个阶段的示意性横截面；[0039]图8A和8B作为示意性横截面，均示出根据各种实施例的形成电接触的工艺的各个阶段；[0040]图9作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触的工艺的各个阶段；[0041]图10示出根据各种实施例的形成电接触的方法的两个阶段的示意图；[0042]图11示出根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程；[0043]图12示出根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程；[0044]图13示出根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程；[0045]图14示出根据各种实施例的形成电接触的方法的工艺流程;和[0046]图15示出根据各种实施例的形成电接触的方法的工艺流程。具体实施方式[0047]以下详细描述参考通过图示的方式示出可实践本发明的具体细节和实施例的附图。[0048]词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为比其他实施例或设计更为优选或有利。[0049]对于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料中使用的词语“之上”，可在本文中用来表示沉积材料可“直接”形成在（例如直接接触所述侧面或表面之上。对于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料中使用的词语“之上”，可在本文中用来表示沉积材料可“非直接”形成在所述侧面或表面之上，具有一个或一个以上附加层布置在所述侧面或表面与沉积材料之间。[0050]本公开的各个方面为装置而提供，本公开的各个方面为方法而提供。将理解的是，装置的基本特性对于方法也成立，反之亦然。因此，为简洁起见，可已经省略了对这种特性的重复描述。[0051]本文呈现的许多示例是指与铜（Cu的“硫诱发的腐蚀现象”，具有Cu-硫化物CuSx作为腐蚀产物，或者与银Ag的“硫诱发的腐蚀现象”，具有硫化银AgSx作为腐蚀产物。应注意的是，铜银、硫和它们的反应产物应仅被分别理解为引起腐蚀现象的化学反应的反应物和反应产物的代表性示例，而不应被分别理解为仅有的和唯独的反应物、反应产物和腐蚀现象。可预期受腐蚀现象影响的分别为材料和焊线的示例包括Cu-线、钯Pd-涂覆的Cu线、AuPd-涂覆的Cu线、Pd-掺杂的Cu线、掺杂有其他贵金属的Cu-线、Ag-线、被掺杂的Ag-线和被涂覆的Ag-线。元素周期表的VI或16族中列出的各种其他元素例如氧、硫、硒、碲可发生类似的腐蚀反应。存在这些元素中的多于一种可加剧腐蚀现象。[0052]例如焊线的导线、引线框架、焊盘和这里示出的其它表面也被理解为代表性示例。腐蚀反应也可发生在未明确示出的其它表面例如金属表面和接合面例如金属-封装材料接合面之上。[0053]在一些半导体应用中，铜已经替代了一些传统上使用的金属。例如，可使用铜线代替金线，可使用铜层、例如金属化层代替铝层。[0054]在半导体产业中，例如从铝Al到铜Cu的转变可具有几个原因。例如，所谓的镶嵌工艺所述镶嵌工艺可通过在形成于衬底中的开口中沉积铜，用来形成结构化的铜层），可能是逻辑装置的最重要的驱动因素之一，以便改进热消散和导电的性能。[0055]所谓的“功率Cu金属化技术”（在所述“功率Cu金属化技术”中，可使用铜金属化用于传输大量功率）的发展，旨在开发利用由Cu技术替代Al技术而产生的有益特性。从而，可实现合适的和可靠的金属堆叠，所述金属堆叠与当前利用标准的Al技术可获得的金属堆叠相比，可允许更长的寿命和更高的短路稳定性。与仅使用Al所可能达到的效果相比，厚Cu层可能够更有效地消散达到芯片前侧的热量。Cu越厚，上述性能越好。[0056]然而，使用Cu载体例如用于金属化层的至少一部分，也可具有若干缺点，在所述缺点中，施加在芯片之上的应力，芯片的Cu污染和金属、例如Cu的腐蚀，可能是最严重的。[0057]产生于沉积的Cu层的高拉伸应力可导致晶片翘曲，这可使后端操作困难或甚至不可能。一旦晶片被锯切并且芯片也称为管芯经历封装操作，这可类似地应用到芯片。[0058]使用Cu的第二个主要缺点可由Cu离子的易扩散，例如扩散至相邻材料、例如硅中引起，其中，铜离子可与硅Si反应，以形成大的CuSi颗粒，这进而可损害装置性能，并从而损害装置使用寿命。[0059]为最小化由使用厚Cu层而产生的风险，优化的“Cu屏障”堆叠已经被开发了几年。可需要屏障来起到双重作用：首先，为防止铜离子迀移到达硅材料的表面，其次，为补偿拉伸应力。已经测试了几个堆叠用来实现两个提到的目标。所述堆叠可包括如W、Ti、TiN、Ta、TaN等的金属，或它们的组合。可根据不同的沉积技术、如溅射或化学气相沉积（CVD:chemicalvapordeposition，来沉积金属，使得可已经在晶片级上获得可加工的且可靠的芯片。[0060]尽管有晶片级上的功率Cu技术中这些发展，但是当考虑到结合工艺时，可会有限制因素。为确保金属接触结构、例如导线与焊盘金属的相容性，Cu基引线结合工艺可能是令人期望的。这种用铜替代标准线材例如金）引起了新的挑战。[0061]铜的机械性能可主要负责当前结合技术中非常窄的工艺窗口、即可进行结合的非常有限的一组参数，使得可获得很少的解决方案用来找到可靠的处理过程来确保可用的Cu结合与Cu屏障堆叠之间的兼容性。[0062]在此方向上的解决方案的主要方法可能至今一直是增加Cu厚度，这可进而导致芯片上的附加应力，从而可导致对芯片焊接在背侧之上）的进一步挑战。另外，即使Cu金属化的厚度增加，Cu结合工艺也可引起挑战，所述Cu结合工艺可例如是楔形结合工艺。由于结合期间所施加的超声波功率，结合楔形与金属化表面的Cu-Cu接合面可朝扩散屏障移动。在极端情况下，这可形成污染离子通过金属化到扩散屏障的路径。[0063]另外，Cu楔形结合互连结构可显示出弱结合和粘合。Cu-Cu互连可需要例如在芯片焊盘之上和或在例如引线框架的连接区之上的清洁的Cu表面。在引线结合工艺中，（清洁的）Cu表面可暴露于热，例如大约或超过200°C，这可导致Cu表面的氧化，并因此导致弱的Cu-Cu结合。[0064]为避免在结合期间的氧化，例如芯片焊盘、引线框架等的连接区可用贵金属例如金Au、银Ag、或钯Pd涂覆。然而，特别是在涂层可具有光滑的、非粗糙化的表面的情况下，例如Cu楔形结合互连结构的这些结合也可显示弱的结合和粘合。这可特别地应用到例如在可靠性测试之后的应力、例如热应力的情况。[0065]通常，传统的Cu结合互连结构可经常并且更容易（例如比使用金线的互连结构更容易在使用多个湿气水平的应力试验中遭受腐蚀。[0066]为克服这些问题，焊线制造商提供例如Cu线，所述Cu线可涂覆有贵金属，如PcUPt或Au或Pd和Au，或者所述Cu线可掺杂有这样的贵金属。类似地，可提供具有贵金属涂层或掺杂的Ag线。已经预期到的是，这样的贵金属涂层和掺杂显著地减少了上述的氧化和腐蚀问题。图IB中示出了这种涂覆线IlOa的一个典型实例。所述涂覆线IlOa可包括芯IlOaO，所述芯IIOaO可例如包括或由铜组成;扩散层IIOal，所述扩散层IIOal可包括或由铜-钯Cu-Pd组成；钯层110a2;和金-钯层110a3。[0067]然而，发现到的是，Cu或Ag线的贵金属涂层和掺杂以及其它新的或改性材料可显著甚至可能唯一地导致下文更详细解释的新的腐蚀问题。[0068]所述问题仅最近观察到，迄今为止还没有发现解决方案。过去没有观察到该问题的原因可包括以前主要使用Au-线，仅最近才引入了Cu-线特别是各种新型的被掺杂和涂覆的Cu线或其他线），仅最近才将新材料和表面引入电子封装体中，供应商仅在最近才做出对模制化合物和其他封装材料的组成的改变例如调整模制化合物以改善，例如增强对新引线框架表面、如PdAu或AuAg的粘合），并且装置仅在最近才用于新的和更具侵蚀性的应用中（例如在150°C以及150°C以上的温度下运行延长的时间（例如IOOOh以及远超IOOOh，或在含有腐蚀性成分例如废气）的环境条件下运行），或最近在汽车和工业市场上的应用中，总共需要运行超过45000h的时间（卡车或需要在70°C运行7000h的混合动力电动汽车应用。[0069]封装的产品中的特定类型的焊线（例如Cu-线、Pd-涂覆的Cu线、AuPd-涂覆的Cu线、Pd-掺杂的Cu线、掺杂有其它贵金属的Cu-线、Ag-线、掺杂的Ag-线、涂覆的Ag-线等可在高温运行或储存期间或在HTS测试期间或在应力组合（如水分之后高温应力、例如UHAST48h+HTGS，在175°C下之后，被侵蚀和腐蚀。[0070]腐蚀可导致在第一和第二结合部例如钉头到焊盘、楔到引线框架或衬底处的结合粘合的弱化或失去，和或由于材料损失或结构变化导致导线的机械强度的弱化。[0071]在达到预期的寿命期结束之前，腐蚀可进一步导致在运行期间互连结构的电故障和装置的电故障。已经观察到芯线材料沿导线的贵金属涂层蠕变并覆盖整个导线。附加地，已经观察到芯线材料在某些条件下形成枝晶到模制化合物中。[0072]根据分析研究，所提到的线材的腐蚀的根本原因可能是例如Cu金属被例如含硫成分侵蚀，导致形成例如CuSx化合物。这种腐蚀反应可特别是在第一结合部或第二结合部的外围处，第一结合部和第二结合部例如到焊盘、引线框架或衬底）的接合面处，和或在线环内（在涂层中的小缺陷后产生蚀损斑观察到。[0073]图IA示出芯片封装体100的剖视图，图IB示出焊线IlOa的剖视图。[0074]图2示出示意性剖视图200,所述剖视图200可视化出在芯片封装体中金属表面之上的腐蚀过程。[0075]芯片封装体可包括芯片106。芯片106可包括芯片基底106b，所述芯片基底106b可例如包括或由半导体材料、例如硅组成。芯片106还可包括芯片金属表面106m，所述芯片金属表面106m可被覆盖层106c保护，所述覆盖层106c可以是导电的，例如是贵金属涂层，例如包括Pd和或Au。芯片106可还包括芯片边缘区域106e。[0076]芯片封装体可还包括金属接触结构110，所述金属接触结构110可电接触芯片106在芯片金属表面106m处）。金属接触结构110可包括导线110a，所述导线IlOa可以是金属接触结构110的可在接触区域218中电接触和物理接触芯片106的部分。导电接触结构可形成为所谓的钉头接触结构（由于导线IlOa的接触端的钉头形状）。导线IlOa可与图IA和图IB中示出的导线IlOa相同或相似。[0077]金属接触结构110可还包括部分110b。金属接触结构的部分IlOb可在导线IlOa与封装体的外部之间提供导电连接。导线IlOa与金属接触结构110的部分IlOb之间的导电接触结构可以是楔形的所述楔形可由在接触过程期间施加的压力引起）。[0078]芯片封装体可还包括也被称为模制化合物的封装材料224。所述封装材料224可例如包括可用于至少部分地围绕芯片106和金属接触结构110而模制的树脂或任何其它合适的介电的封装材料224。封装材料224可至少部分地包封芯片106和金属接触结构110。封装材料224可与芯片106的表面、例如金属表面和或金属接触结构110的表面、例如金属表面物理接触。封装材料224可例如围绕芯片106和金属接触结构110进行模制。芯片和金属接触结构可例如通过封装材料224被气密地包封，其中，仅金属接触结构110的端部以及可选地芯片106的背侧没有包封材料224,以用来提供芯片106与芯片封装体的外部之间的导电连接。[0079]已经观察到的是，封装的产品，例如芯片封装体100中的金属表面、例如芯片106的金属表面106m和或电接触芯片106的金属接触结构110的金属表面，可在高温运行或存储期间或者在高温存储HTS:hightemperaturestorage测试期间受到侵蚀和腐蚀。可能不排除其他因素例如湿度、偏压等）的有害影响。另外，可不限于高温例如多150°C才发生腐蚀反应。观察到的是腐蚀反应发生在显著较低的温度下，甚至低至室温。[0080]反应速率可与几个参数、如各种物质的浓度、温度、金属的质地和组成、湿气水平等有关，因此与最初在纯粹热加速研究中观察到的相比，对装置的工作寿命的影响可更加有害很多。[0081]腐蚀可导致在第一结合部处其可例如是导线IlOa的所谓的“钉头”到芯片106、例如到芯片106的金属表面106m的结合，所述金属表面106m也可称为盘、焊盘或金属焊盘和或在第二结合部处其可例如是所谓的“楔”（例如导线IlOa的被按压的，并因此是楔形端）到金属接触结构110的第二部分Il〇b、例如引线框架或衬底的结合）的粘合的弱化或丧失。腐蚀可导致互连结构的电故障和装置、例如芯片封装体，在运行期间在达到预期的使用寿命之前的电故障。因此，可降低装置、例如芯片封装体的可靠性。[0082]已经在芯片封装体中观察到的腐蚀现象可由元素周期表的VI族中列出的元素、例如氧、硫、硒、碲引起。在这些观察到的示例中，腐蚀的位置主要集中在焊线IlOa上，和焊线IlOa到例如焊盘的接合面在芯片106的顶部表面之上或到引线框架IlOb的接合面。[0083]然而，腐蚀也可发生在任何其它的可易于遭受下文描述的腐蚀反应或可被含有上述有害元素的成分侵蚀的表面或材料之上。特别是如果相应的表面或材料例如金属表面或材料与有害成分直接接触，那么可增加腐蚀的风险。[0084]作为示例，图2中示出在导线IlOa的钉头上、在芯片106的金属焊盘106m上、和在导线11Oa的楔形端上的腐蚀侵蚀。[0085]在该示例中，焊盘106m可主要包括铜Cu金属。然而，如果焊盘106m主要由易于被侵蚀的任意上述金属组成铜Cu是其中的一个示例），并且如果焊盘106m的顶表面未被保护，则可容易发生腐蚀。[0086]然而，如果焊盘106m已被例如SiN、SiCN、Al2〇3或其他的薄例如薄于20nm的覆盖层106c保护，腐蚀也可发生。在完成晶片生产工艺之后，这样的覆盖层106c可用于避免在周围环境中的（Cu焊盘106m的氧化。然而，在单个化的芯片106—旦将被封装时，这种覆盖层l〇6c为了实现良好的机械接触和电接触可有意地受到结合工艺的影响的干扰。在受干扰的位置处，暴露的芯材料可易于受到腐蚀性侵蚀。[0087]腐蚀可持续进行特别是在可例如由装置运行或环境温度引起的高温下），并且可最终导致机械接触和电接触的破坏并导致装置的功能故障。[0088]腐蚀反应可不限于仅在主要由Cu金属组成的表面或材料处发生，而且还可与如上所述的，在可被含有有害元素的成分侵蚀的表面或材料处发生。[0089]另外，腐蚀反应可不限于在芯片焊盘106m处发生。通常，可易于发生腐蚀现象的表面或封装体部件可包括结合部或接触焊盘106m具有初始覆盖层106c也被称为保护层），或者不具有），金属接触结构110的部分ll〇b、例如引线框架，或包含上述金属的其它衬底材料，可在芯片和封装体衬底之间、在多个芯片之间、或在芯片与其他材料之间提供电接触的除焊线以外的其它互连结构，所述互连结构可包括金属接触结构110和其他金属接触结构。这种互连结构可包括凸块和微凸块、柱、夹、弹簧、在例如“通过包封体”或“通过模制化合物”或“通过娃”的通孔中的金属填充物、或用于3-维连接或垂直连接的其他互连结构、封装体的（例如聚合物衬底中或之上的金属层、芯片顶部前侧金属化部、再分布层、芯片背侧金属化部、芯片之上或封装体中的无源部件例如电感器、电容器、电阻器），以及可与有害成分接触的其他表面和部件。[0090]下文描述腐蚀反应的机理的模型。图2为与硫物质组合的钯Pd涂覆的铜Cu线的示例性情况，示意性地示出解释输送动力学和劣化机理的机理的过程顺序。该模型可类似地应用于如本文所述的其它材料和材料组合。多步骤过程中的各个过程由数字1到6标注。[0091]在图2所示的示例中，第一接触区域218也被称为结合区域218中的钉头，和焊盘l〇6m基本上由相同的元素例如Cu组成。因此，不太可能形成原电池，并且腐蚀的机理可与文献中通常观察和描述的机理例如在潮湿氛围中的腐蚀，局部或原电池的形成，通过形成离子的腐蚀，在这种情况下不太可能发生不同。[0092]含硫材料，例如封装材料224中的含硫分子212有意地使所述含硫分子212存在或作为污染物），可通过封装材料224模制化合物扩散用1标记）。[0093]含硫分子212可容易地和催化地很大程度地分解（用2标记），例如在低温下，导致产生较小的含S部分214,所述含S部分214可被强烈吸附到贵金属表面、例如Pd-表面、例如导线IlOa的涂层110a3之上（用3标记）。[0094]分解产物被吸附的含S部分214可容易且快速地沿贵金属表面、例如钯Pd表面扩散用4标记）。[0095]每当它们到达未受保护的Cu或Ag金属时，被吸附的含S部分也称为含S的物质）214可与未受保护的金属、例如未受保护的Cu-或Ag-线，不可逆地反应，来分别形成硫化铜CuSx216或硫化银AgSx用5标记）。由于结合工艺、例如FAB自由空气球:freeairball工艺或楔形工艺，未受保护的Cu可主要在或甚至仅在第一结合部218和第二结合部220的位置处存在。因此，这些互连区域218、220可快速劣化，这可导致机械上弱互连并导致电故障。[0096]由于蠕变腐蚀，反应产物216例如CuSx或AgSx可容易地沿表面和接合面迀移用6标记）。尤其是贵金属或半贵金属例如Ag、Cu的硫化物可易于在贵金属例如Au、Pd的表面之上和有机材料例如聚酰亚胺、模制树脂）的表面之上蠕变腐蚀。因此，这种金属互连结构不会发生自钝化，而是发生快速腐蚀。[0097]可通过存在例如Pd、Pt、Au的贵金属，和或通过合金，通过金属间化合物，或通过这样的贵金属的固溶体，或通过像例如AlCux的其它金属间化合物，来催化或增强腐蚀反应。[0098]腐蚀的根本原因可因此是通过例如含硫成分或元素周期表第VI族的化学相似材料，如0、Se、Te对金属、例如Cu或Ag的侵蚀，导致形成例如CuSx化合物。这种腐蚀反应可尤其在第一结合部和或第二结合部的外围处，第一结合部和第二结合部例如到焊盘、引线框架或衬底的接合面处观察到。[0099]腐蚀剂硫的源或如本文所提到的化学相似的材料，例如其它VI族元素、例如氧、硫、硒、碲和或钋可例如包括或由封装材料模制化合物224的成分组成，在所述封装材料224中，芯片106和金属接触结构110可至少部分地被包封。模制化合物224的用作腐蚀剂的源的成分可例如是树脂聚合物、粘合促进剂、着色材料等，包含在模制化合物及其组成部分中的污染物。腐蚀剂的其它源可以是或包括在封装体内的其它成分，例如用于芯片附接的胶粘物、其中包含的污染物、和或环境的一种或一种以上成分或污染物例如H2S、S02、元素硫等）。[0100]总反应速率可受到另外的添加剂和污染物的影响。例如，离子捕集器例如cr、MT的捕集器可存在于模制化合物中，和或水分可存在于反应位置处或反应位置附近。腐蚀反应可不限于高温例如彡150°C，而是即使在显著较低的温度下，低至室温也可观察到腐蚀反应发生。另外，腐蚀反应的速率可与几个参数，如各种物质的浓度、温度、金属的质地和组成、湿气水平、电偏压等有关，因此与最初在纯粹热加速研究中观察到的相比，可对装置的工作寿命的影响更加有害很多。因此，对于固有的劣化机理，可能必须在封装体和产品环境中预期若干另外的影响因素，从而导致可能难以预测和或控制的不同程度的劣化。[0101]尽管贵金属涂层ll〇a3可保护在大部分区域中的导线IlOa的铜芯110a0,但是它可在铜未受保护的区域中、例如接触区域218、220中催化与硫的化学反应。[0102]被吸附的物质214沿贵金属表面、例如沿具有涂层110a3的导线的运输，可以是非常快的。[0103]反应产物216可易于蠕变腐蚀，因此可长出宽大的空隙。[0104]根据各种实施例，可改进芯片封装体中的互连结构的质量和或可靠性。[0105]根据各种实施例，在形成铜-铜连接之前，例如在结合工艺、比如在金属接触结构的第一部分与金属接触结构的第二部分之间的结合工艺之前，钝化层可形成在金属接触结构的第一部分的至少一个区域之上。钝化层可由氧化铝组成。钝化层可通过原子层沉积ALD:atomiclayerdeposition形成。钝化层可足够薄，足以允许在结合之前不部分去除层的情况下电接触铜。换句话说，可在形成结合部之处通过结合工艺本身来去除钝化层。从而，可避免在结合工艺之前和或期间对铜的氧化，因此可提高接触质量。[0106]根据各种实施例，可显着降低或完全避免由侵蚀性含硫或其它成分对芯片封装体中的焊线和或其它金属表面的腐蚀性损害。这可通过在导线例如导线的涂层之上和或其与芯片的交接合面之上和或其它封装体部件、例如金属表面之上形成保护层来实现，在电接触芯片、例如引线结合之后，但在模制之前具有保护层。保护层、例如涂层可抑制、减少或减缓腐蚀性侵蚀。因此，可最小化或完全抑制导电连接结构、例如导线互连结构的劣化，并且可显著减小对导线互连结构可靠性和寿命的不利影响。[0107]在各种实施例中，可通过对装置的后结合工艺处理来防止互连结构劣化。在执行结合工艺之后，或者更一般地接触工艺之后，可执行对封装体中的特定表面或所有表面的保护性涂覆。[0108]在各种实施例中，涂层材料可不由或不仅由一种或一种以上以下贵金属组成：可知道所述贵金属强烈地吸附和催化分解例如含硫化合物，和或可知道所述贵金属有助于例如含硫部分沿其表面的快速扩散，和或可知道所述贵金属允许反应产物、例如CuSx或AgSx的蠕变腐蚀。涂层或掺杂材料可包括一种或一种以上的可例如与腐蚀性元素形成稳定化合物、例如金属-硫化合物的金属。因此，硫或其他腐蚀性部分可不可逆地结合和固定，并且可不能用于对线芯材料的腐蚀性侵蚀。[0109]在各种实施例中，可通过优化的焊线和金属表面来防止引线结合互连结构劣化。可在芯片封装体中使用一种焊线和或其他金属表面），在所述焊线和或其他金属表面）中，芯材料例如Cu、Ag等可部分地或完全地由比贵金属更有效的涂层或掺杂来保护或屏蔽。这可避免或至少显著地减少例如在金属表面处的如上所述的含硫化合物和其他化合物的催化分解，例如金属-Sx-化合物沿导线或其他金属表面的快速扩散，和或反应化合物、例如Cu-Sx-化合物的蠕变腐蚀。[0110]在各种实施例中，可通过显著降低或完全避免由侵蚀性含硫或其它含硒、含碲或含氧成分对焊线的腐蚀性侵蚀，来解决腐蚀问题。这可通过在引线结合之后，但在模制之前涂覆保护层来实现。涂层可阻碍或减缓腐蚀性侵蚀。涂层可仅覆盖未受保护的芯线材料、整个焊线、所有导电表面、或者封装体中的所有表面。[0111]根据各种实施例，可通过形成具有高电导率的导电接触结构，通过提供具有增加的机械稳定性的导电接触结构，和或通过避免封装体中的腐蚀，来提高芯片封装体的质量和稳定性。对于具有高电导率的导电接触结构，在形成导电接触结构之前，铜表面可设置有氧化铝层。为提高导电接触的机械稳定性，可将铜层镀覆在导电接触结构的金属表面之上，为避免腐蚀，封装体中的一个或一个以上金属表面可部分地或完全地由比贵金属更有效的涂层或掺杂保护或屏蔽，以避免或至少是显著减少例如含硫等化合物的催化分解。[0112]在各种实施例中，导电（金属、类金属或有半导体特性的）材料在装置的导电表面和接合面之上的选择性沉积，或用导电（金属、类金属或有半导体特性的）材料对装置的导电表面和接合面的选择性涂覆，可在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前执行。[0113]在各种实施例中，在执行连接、例如引线结合工艺之后，导电（金属、类金属或有半导体特性的）材料可选择性地或非选择地沉积在装置、例如芯片、例如芯片金属表面、和金属接触结构的导电表面和接合面之上。沉积的导电材料可包括或由金属、合金、氧化物、磷酸盐、钒酸盐和或钼酸盐、例如41、了、0、1^、¥、0屮）、0¥?、¥、]\111、2匕]\1〇^11、1?11、1^、2『、Re、Ir、无定形碳或其他富碳材料组成。在非选择性地沉积的情况下，可例如通过热、激光、辐射和或偏压来执行激活。可例如物理地或化学地去除导电材料的过量的、未反应的材料也称为过多装载:overburden。[0114]在各种实施例中，用于在芯片封装体中的金属表面中的一个或一个以上中或之上、例如在金属接触结构110、例如导线IlOa或部分IlOb中或之上、或者在芯片金属表面106m中或之上形成导电保护层的材料和工艺的选择，可包括通过选择性原子层沉积ALD工艺、选择性化学气相沉积CVD:chemicalvapordeposition工艺、选择性等离子体增强化学气相沉积（PECVD:plasma_enhancedchemicalvapordeposition工艺、或选择性低压化学气相沉积（LPCVD:lowpressurechemicalvapordeposition工艺来沉积PcUAl、、了、：〇、1^、¥和或其他，通过选择性无电沉积来沉积？1、听、附屮）、附]\1〇?、：〇、：〇?、：〇肝、1〇、011、和或合金，和或通过选择性电子偏压沉积、例如电镀来沉积211、、八11、PcUNi、Sn、Mo、Co、V、Mn、Ru、Rh、Zr、Ta、W、Re*^SUr。[0115]在各种实施例中，可通过选择性电子偏压沉积、例如电镀来沉积上文提到的材料的组合、合金、钒酸盐和或钼酸盐，包括例如（商业涂层、如锡基涂层如奥林金属研究实验室提供的奥林黄铜以及对其的改性）。[0116]在各种实施例中，用于形成导电保护层的材料和工艺的选择可包括非选择性地将Al沉积在芯片封装体中的表面中的一个或一个以上、例如至少包括具有未受保护的Cu区域的芯片表面中或之上。在回火工艺之后，Al可扩散到Cu中以形成CuAl金属间化合物。可选择性地蚀刻未反应的Al，Cu表面可被AlCu金属间化合物保护起来。[0117]在各种实施例中，保护层可包括或由芯线材料的涂层组成，所述涂层具有以下中的一种或一种以上金属:镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒V、锰Mn、锆Zr、钼Mo、锡Sn、和锌Zn等;保护层可包括或由芯线材料的涂层组成，所述涂层具有一种或一种以上合金，所述合金由芯线材料例如铜和以下中的金属中的一种或一种以上组成:镍Ni、钴（Co、铬（Cr、钛（Ti、钒⑺、锰Mn、锡（Sn、钯（Pd、金Au、锌（Zn、锆（Zr、和钼Mo，所述合金还包括可商购和在工业中使用的合金、例如“monel”（MO.66CuO.33合金），所述“monel”（NiO.66CuO.33合金）是美国西弗吉尼亚州亨丁顿的专用金属（SpecialMetals公司的商标;保护层可包括或由芯线材料的涂层组成，所述涂层具有一种或一种以上二元或三元合金、金属间相或以下中的固溶体:镍Ni、钴Co、络Cr、钛Ti、f凡⑺、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、银Ag、锌Zn、锆Zr、和钼Mo;保护层可包括或由芯线材料的涂层组成，所述涂层具有以下中的氮化物、碳化物、硼化物、或铝酸盐:镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒V、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、锌Zn、锆Zr、和钼Mo;或者保护层可包括或由芯线材料涂覆或未涂覆的）的掺杂组成，所述掺杂具有以下中一种或一种以上金属:镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、银Ag锌Zn锆Zr、钼Mo、和锑Sb。[0118]如Au、Ag和Pd的贵金属在此被明确列出，这是因为某些合金、如PdNi，已知镍的重量比在0.2-0.7的范围内（换句话说，PdNi合金包括20%至70%的镍），具有优异的保护性能，但不像纯贵金属那样催化、增强或有助于被吸附的物质、特别是被吸附的硫物质的分解。此外，这些被吸附的物质沿这样的合金的表面的扩散更加不明显，或甚至被完全抑制。[0119]在各种实施例中，仅焊线可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金，或者封装体中的更多或全部金属表面例如还有引线框架表面可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金中的一种或一种以上。替代焊线，也可使用不同的金属接触结构并设置有如上所述的保护层。[0120]在各种实施例中，通过使用这种焊线和其他金属表面），在所述焊线和其他金属表面）中，芯材料例如Cu、Ag等可由比贵金属更有效的涂层或掺杂来保护或屏蔽，可避免或至少显著减少以下过程:金属表面处的含硫和其它化合物的催化分解，例如金属-Sx-化合物沿导线或其他金属表面的快速扩散，以及反应化合物、例如Cu-Sx-化合物的蠕变腐蚀。[0121]在各种实施例中，例如除了焊线或金属表面以外，例如涂层或掺杂的保护层也可形成在封装体中的其它表面中之上。[0122]在各种实施例中，封装体可不包含由贵金属Au、Pd、Pt或由这些贵金属的合金或固溶体构成的任何表面。[0123]在各种实施例中，在封装体的一个或一个以上部分处的贵金属层表面的厚度可小于20nm，例如小于10nm。[0124]在各种实施例中，封装体可包括一个或一个以上这样的表面:所述表面包括或由贵金属Au、Pd、Pt或这些贵金属的合金或固溶体组成。然而，这些表面中的一个或一个以上可包括不同金属（例如如上所述的芯金属，例如铜或银）的嵌入的或暴露的岛。这样的岛可作为腐蚀性成分的清除剂。嵌入的或暴露的岛的图案和密度可在很大范围内变化。[0125]在各种实施例中，与单独层、例如单个涂覆层的数量有关，并且与芯线直径有关，可包括多个单独层的保护层、例如涂覆层的厚度，可在Inm至约300nm的范围内，例如在从5nm至约200nm的范围内，例如从约IOnm至约IOOnm的范围内。[0126]在各种实施例中，与掺杂剂元素的数量和所需的导线性质（例如导线硬度有关，掺杂元素的浓度可在从约10原子ppm至约10.000原子ppm、例如从约50ppm至约5000ppm、例如从约IOOppm至约IOOOppm的范围内。[0127]在各种实施例中，在将导线拉延至其所需最终直径之前或之后，用于掺杂或涂覆芯线的工艺可以是工业上可用于该目的的任何工艺、例如电解沉积，即在电解槽中涂覆。[0128]可理解的是，在对如上所述的这样的导线的第一结合部的处理期间（例如在FAB形成期间）和或第二结合部的处理例如楔形工艺期间，导线的芯材料例如Cu或Ag可在形成互连结构的区域处暴露。相应地，芯线材料可不再被例如在这些位置处的涂层保护。然而，应指出的是，关于在金属接触结构、例如导线中之上形成的保护层，在上文实施例中提出的涂层和掺杂可不增强或甚至催化例如含硫成分的分解，可不允许例如含硫成分或其部分沿导线表面容易且快速的扩散，可不会有助于、增强或甚至催化芯线材料与例如含硫成分或部分的将导致形成例如CuSx或AgSx的反应，并且可不会如纯贵金属例如Pd、Pt、Au可达到的程度那样，有助于如反应产物CuSx或AgSx沿其表面或接合面的快速和容易的蠕变腐蚀。[0129]因此，在各种实施例中，可显着降低对互连结构的有害的腐蚀侵蚀和劣化，并且可提高互连结构可靠性。[0130]在各种实施例中，仅焊线可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金。[0131]在各种实施例中，封装体中的更多或全部金属表面例如还有引线框架表面可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金中的一种或一种以上。[0132]在各种实施例中，封装体可不包含由贵金属Au、Pd、Pt或由这些贵金属的合金或固溶体构成的任何表面。[0133]在各种实施例中，可在封装中提供这样的表面，所述表面不会或至少较低程度地有助于、增强或催化结合互连结构的由于所述腐蚀反应的劣化。这样的表面可以是封装体中的金属成分、例如如上文所述的金属成分的特定焊线表面和或其它表面，所述特定焊线表面和或其它表面可掺杂或涂覆有特定金属，或者可包括这样的金属的暴露的或嵌入的岛。[0134]在各种实施例中，在封装体的一个或一个以上部分处的贵金属层表面的厚度可小于与20nm，例如小于约10nm。实验证实，贵金属层涂层厚度的这种限制可提供腐蚀问题的解决方案。这可例如对于以下情况特别是如此:如果相应的表面例如引线框架表面被粗糙化和或如果特定封装体部件例如引线框架）的芯材料由例如镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡Sn、锌Zn、锆Zr、钼Mo或其他金属组成，所述其他金属可形成稳定化合物、例如金属硫化合物，然而，但所述稳定化合物可不会显示出蠕变腐蚀，而是显示出自钝化，因此可不会导致互连结构劣化。[0135]在各种实施例中，封装体可包括可由贵金属Au、Pd、Pt或由贵金属的合金或固溶体构成的一个或一个以上表面。然而，这些表面中的一个或一个以上可具有不同金属的嵌入的或暴露的岛，所述金属可包括或由例如镍Ni、钴（Co、铬（Cr、钛（Ti、钒V、锰Mn、锡Sn、锌Zn锆Zr、钼Mo或其他金属组成，所述其他金属可形成稳定化合物、例如金属硫化合物，所述稳定化合物可不显示出蠕变腐蚀，而是显示出自钝化，因此可不会导致互连结构劣化。硫和或其他腐蚀性部分可不可逆地结合和固定在这些嵌入或暴露的金属岛处。因此，它们可不可用于对芯线材料例如Cu、Ag的腐蚀性损害，因此可避免或至少显著地降低结合互连结构的腐蚀性劣化。所提出的不同金属的嵌入的或暴露的岛的图案和密度可在很大范围内变化。[0136]在各种实施例中，嵌入或暴露的岛可具有大于约lnm、例如大于约2nm、例如大于约5nm、例如大于约10nm、例如大于约50nm、例如大于约IOOnm的尺寸。这里，术语尺寸可指基本上圆形的岛的直径，或者指在岛不具有基本上圆形，而是椭圆形、多边形或任何其他形状的情况下，最大尺寸的长度。在各种实施例中，由多个岛覆盖的总面积分数、例如与金属表面例如引线框架）的总面积相比，由多个岛覆盖的面积的百分比，可大于约5%、例如大于约10%、例如大于约20%。[0137]在各种实施例中，在执行连接、例如引线结合工艺之后，非导电无机材料可选择性地沉积在装置、例如芯片和金属接触结构的导电表面和接合面之上，或者非选择性地沉积在装置的任何表面之上。非导电有机材料可包括或由△12〇3^1仏、5102、51仏组成，具有或者不具有用于某些元素的嵌入捕集器。[0138]在各种实施例中，可提供芯片封装体。芯片封装体可包括芯片，所述芯片包括芯片金属表面;金属接触结构，所述金属接触结构电接触芯片金属表面;封装材料;和保护层，所述保护层包括或由形成在金属接触结构的一部分与封装材料之间的接合面处的部分组成，其中，保护层可包括或本质上由无机材料的组中的至少一种材料组成，该组包括氧化铝、氧化铜、无定形或结晶二氧化硅、原硅酸四乙酯、氮化物、磷酸盐、碳化物、硼化物、铝酸盐、无定形碳或其它富碳材料、包括氮和芯片金属表面的金属和或金属接触结构的金属的化合物、和包括硅和芯片金属表面的金属和或金属接触结构的金属的化合物。[0139]在各种实施例中，在执行电接触连接）、例如引线结合工艺之后，可例如利用含N-、C_或0-例如Ν2-、ΝΗ3-、Ν20的等离子体进行等离子体处理装置的表面、例如所有表面。在各种实施例中，等离子体处理可在将模制化合物提供给封装体之前立即进行。从而，可形成保护层。可使用射频RF:radiofrequency、微波或远程等离子体作为等离子体。[0140]例如，用含N的等离子体例如N2、NH3、N20处理表面可形成保护层、例如保护性表面涂层、例如如CuxN、CuxNH、或AgxN的金属-氮表面涂层。[0141]例如，用含0的等离子体例如02、03、Nx0处理表面可形成保护层、例如保护性表面涂层、例如如CuO;CuxON的金属-氧化物或金属-氧-氮表面涂层。[0142]在各种实施例中，通过等离子体处理产生的保护层、例如薄涂层可对Cu和Ag表面具有高亲和力，并且可强烈地附着到它们和其它表面，从而保护它们免受腐蚀性侵蚀。[0143]通过等离子体处理形成的保护层的图案化可不是必需的，这是因为保护层可以是不导电的。[0M4]在各种实施例中，装置的所有表面可用含Si物质、例如硅氧烷或聚硅氧烷进行预处理。[0145]在各种实施例中，可用含Si的物质（例如SiH4-衍生物、硅氧烷、聚硅氧烷进行处理表面、例如封装体中的所有表面，以形成保护层、例如如CuSix或AgSix的保护性金属-硅表面层。所述处理可例如在不同工具中的模制工艺之前不久执行，作为预涂覆工艺在模制工具中的模制工艺之前立即执行，或作为在模制工具中的模制工艺的第一部分执行。[0146]在各种实施例中，可使用材料和工艺，所述材料和工艺涂覆所有导电表面，或优选地和或选择性地涂覆焊线1〇〇例如Cu或Ag的未受保护的芯11OaO的材料及其接合面。[0147]在各种实施例中，可使用在典型的应用或应力条件下在贵金属和或塑料上不形成M-Sx化合物或不遭受M-Sx蠕变腐蚀的材料。例如ZnS、MoS、SnS和NiS不显示出蠕变腐蚀。[0148]在各种实施例中，可使用不增强或催化例如含硫物质在其表面分解的材料，并且所述材料不增强或催化金属硫化物的形成，特别是不增强或催化CuSx或AgSx的形成。[0149]在各种实施例中，在执行连接、例如引线结合工艺之后，非导电有机材料可选择性地沉积在装置、例如芯片和金属接触结构的导电表面和接合面之上，或者非选择性地沉积在装置的任何表面之上。换句话说，在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前，可进行选择性涂覆、例如将非导电有机材料沉积在装置的导电表面和接合面之上，或者非选择性涂覆、例如在装置的任何表面和接合面之上的沉积。[0150]在各种实施例中，用于将非导电有机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择，可包括通过浸渍、喷涂或任何其他合适的物理或化学工艺可施加到表面的含N的有机材料、如唑azoles具有一个或一个以上N-原子的杂芳族化合物hetero-aromates、肼、胺或氰基化合物（cyaηο-compounds及其衍生物、如卩比卩坐、三卩坐（例如苯并三卩坐（BTA:benzotriazole、咪挫（IMD:imidazole或恶挫、四氨基对醌二甲烧（TCNQ:tetracyanoquinodimethan。该基团的化合物可对某些金属表面具有高的结合亲和力，并且已知与金属形成强复合物，特别是部分选择性地与Cu形成强复合物（例如BTA和其它唑，TCNQ〇[0151]用于将非导电有机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择，可还包括酰亚胺、聚酰亚胺、帕利灵例如通过CVD涂覆或高性能热塑性塑料例如通过聚合物溶液实现涂覆或其他涂料或面漆如SU-8漆）。[0152]用于将非导电有机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料的选择，可还包括官能化聚合物、如用于金属和模具的聚苯乙烯或具有锚定基团的聚乙二醇本文所用的锚定基团可指优选与金属或模制成分结合的官能团）。[0153]聚合物或低聚物的官能团中的C-S结合可比单体中相同的官能团更耐分解。因此，在各种实施例中，这种聚合物或和低聚物可用于形成非导电有机保护层。[0154]在各种实施例中，可使用对Cu和或Ag表面具有高度亲和性的材料，所述材料可强烈地附着于它们并因此防止腐蚀性侵蚀，用于形成保护层。这样的材料可例如包括富电子的含N有机化合物。对Cu和或Ag表面具有高度亲和性的材料可容易地以低成本工艺应用。[0155]在各种实施例中，在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前，可执行将非导电无机材料选择性地涂覆、例如选择性地沉积在装置的导电表面和接合面之上，或者非选择性地涂覆、例如沉积在装置的任何表面和接合面之上。[0156]在各种实施例中，用于将非导电无机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或者非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择可包括，通过ALD、PECVD或PLCVD选择性地或非选择性地或通过PVD非选择性地沉积Al-氧化物Al2O3或Al-氮化物（AlNx的薄层，通过ALD、PECVD或PLCVD选择性地或非选择性地）或通过PVD非选择性地沉积硅-氧化物（SiO2或硅-氮化物SiNx的薄层。用液体化学品的处理，可导致形成表面氧化物例如Cu2O:来自碱性Cu-酒石酸盐溶液Cu2O可沉积在表面之上），可用这样的氧化物（例如四乙基娃酸盐，TE0S:TetraethylorthosiIicat涂覆相应的金属表面，或可实现在表面处形成金属-氮复合物例如Cu-氨基-复合物），通过例如PLCVD沉积的无定形碳或其它富碳层、SiO2或Si3N4层或任何其它陶瓷层，和通过ALD、PECVD或PLCVDdlJ用适当官能团同时共吸附硅烷地沉积Si-氧化物SiO2或Si-氮化物SiNx的薄层。通过沉积氧化硅或氮化硅，可形成官能化硅胶，由于它们用于金属清除剂或催化剂。可嵌入无机Si-O-或SiN-网络中的金属氧化物，可作为离子或元素捕集器。Sn、Zn、Mo或Zr可作为硫捕集器，Ca可捕获氯化物。[0157]在各种实施例中，不需要图案化，这是因为无机材料是不导电的。[0158]在各种实施例中，对于用来形成保护层所有变体，即导电和非导电的，选择性的和非选择性的）的上述材料和方法，也可应用一组替代且相当新颖的方法，例如类似于喷墨印刷，类似于DoD按需打印：dropondemand印刷或类似的或从所谓的“快速原型”或“快速制造”的其他方法。[0159]这些方法可应用于金属、无机或有机材料。在例如喷墨印刷中，可在液体乳状液或悬浮液中提供各个材料金属、无机或有机的小几nm至μπι的尺寸颗粒。可通过提供适当的坐标选择性地或特定于区域地，或者非选择性地将这样的液滴或气泡喷射到限定的表面之上。可通过加热至高达约200°C的温度蒸发液体溶剂，使沉积的或涂覆的材料留在相应的表面之上。一些有机材料可没有附加的溶剂地以熔融（已经是液体）的状态施加，所述有机材料可冷却并在相应的表面处形成形状。[0160]在各种实施例中，相同的方法、例如类似于喷墨印刷或类似于DoD印刷，也可用于保护层的直接图案化。印刷可用于将特定的蚀刻剂供应到预定的位置，以从这些位置去除不需要的材料，实现直接图案化结构。可通过例如以数字方式的结合图来提供具体位置上的所需ig息。[0161]在各种实施例中，对于上述用于形成非导电保护层的材料和方法，可使用用于例如液态的天然或合成树脂的数字光处理，用于例如塑料或树脂的熔融沉积成型，或这些方法的具体变型。[0162]上述实施例的优点可以是可显著减少或完全避免金属表面的、例如导线的腐蚀性侵蚀。因此，例如导线互连结构的劣化可被最小化或完全抑制，并且可显著减少对电（例如导线互连结构可靠性和寿命的不利影响。[0163]在各种实施例中，通过优化的焊线和金属表面可防止引线结合互连结构劣化。焊线（和或其他金属表面可用于芯片封装体中，在所述芯片封装体中，芯材料例如Cu、Ag等可由比贵金属更有效的保护层、例如涂层或掺杂，部分地或完全地保护或屏蔽。这可避免或至少显著地减少例如如上所述的含硫化合物和其他化合物在金属表面处的催化分解，例如金属-Sx-化合物沿导线或其他金属表面的快速扩散，和或反应化合物、例如Cu-Sx-化合物的蠕变腐蚀。[0164]在各种实施例中，可提供用于形成可靠的Cu-Cu金属结合的独立于Cu屏障堆叠（即独立于多层Cu屏障堆叠的组成、层厚度等）的新方法。无论屏障结构和Cu厚度如何，由于Cu结合工艺，可显著地最小化可靠性损失的风险。[0165]在各种实施例中，在Cu结合之后，可例如通过电沉积执行Cu例如来自液体溶液例如电解液）的附加化学沉积。附加的沉积工艺之后可进行热处理，以消除两种金属的接合面（即预沉积和沉积后）。使用所描述的工艺顺序，可使标准Cu结合工艺更有效，并且可使所述结合稳定，所述结合因此具有更高的可靠性。另外，可从铜层释放应力。[0166]图3A至图3C示出根据各种实施例的相应芯片封装体的示意性横截面300、301和302〇[0167]在各种实施例中，可提供芯片封装体。[0168]芯片封装体可通常包括相似或相同的部件和或可如文中描述的那样通过与图1A、图IB和图2相似或相同的工艺形成。对于这些部件，可使用相同的附图标记，并且可省略重复的描述。[0169]芯片封装体可包括芯片106,所述芯片106包括芯片金属表面106m有或没有覆盖层106c;金属接触结构110,所述金属接触结构110电接触芯片金属表面106m或覆盖层106c，例如在覆盖层106c导电的情况下）；封装材料224;和保护层336a、336b、336c、336d、3366，所述保护层336、33613、336：、3361、3366包括或由在金属接触结构110的部分110、IlOb与封装材料224之间的接合面处形成的部分336a、336b、336c组成，其中，保护层336a、336b、336c、336d、336e可包括或本质上由无机材料的组中的至少一种材料组成，所述无机材料的组包括氧化铝、氧化铜、无定形或结晶二氧化硅、原硅酸四乙酯、氮化物、磷酸盐、碳化物、硼化物、铝酸盐、无定形碳或其它富碳材料、包括氮和芯片金属表面的金属和或金属接触结构的金属的化合物、和包括娃和芯片金属表面l〇6m的金属和或金属接触结构110的金属的化合物。[0170]在各种实施例中，金属接触结构110可包括或由以下中的至少一种组成：例如导线、引线框架、凸块、微凸块、柱、夹、弹簧、在例如“通过包封体”或“通过模制化合物”或“通过娃”通孔中的金属填充物、或用于3维连接或垂直连接的任何其他互连结构、封装体的（例如聚合物衬底中或之上的金属层、芯片顶部前侧金属化、再分布层、和芯片背侧金属化。[0171]可在各种实施例中附加地存在于芯片封装体未示出）中的金属表面可包括在芯片106之上或封装体中的其他地方的无源部件、例如电感器、电容器或电阻器。在各种实施例中，在附加金属表面与封装材料224之间，也可形成保护层336的一部分。[0172]在各种实施例中，并非保护层336的所有部分336、33613、336：、3361、3366都可形成在芯片封装体中。例如，如图3A中示出的，可形成仅部分336a和336b或它们中的仅一个，未示出）。部分336a可形成在金属接触结构110物理和电接触芯片106、例如芯片金属表面106m的接触区域218处。部分336b可形成在金属接触结构110的第一部分110a、例如导线物理和电接触金属接触结构110的第二部分ll〇b、例如引线框架的接触区域220处。例如，如图3B中示出的，可形成仅部分336a、336b和336c或它们中的仅一个或两个，除图3A之外未示出）。部分336c可形成在金属接触结构110的第一部分110a、例如导线处。例如，如图3C中示出的，可形成部分336a和或336b和或336c和或部分336e，其中，部分336e可形成在金属接触结构11〇的第二部分11Ob与封装材料224之间的接合区域处。如图3C中示出的，除了部分336a和或部分336b，和或部分336c和或部分336e之外，部分336d可形成在芯片金属表面106m与封装材料224之间的接合面处。[0173]在各种实施例中，保护层336a、336b、336c、336d、336e也简称为保护层336的材料可不由或不仅由一种或一种以上贵金属组成，可知道所述贵金属强烈地吸附和催化分解例如含硫化合物，和或可知道所述贵金属有助于例如含硫部分沿其表面的快速扩散，和或可知道所述贵金属允许反应产物、例如CuSx或AgSx的蠕变腐蚀。层336、例如涂层或掺杂材料，可包括一种或一种以上可例如与腐蚀性元素形成稳定化合物、例如金属-硫化合物的金属。因此，硫或其他腐蚀性部分可不可逆地结合和固定，并且可不可用于金属表面、例如导线芯110a3的金属的腐蚀性侵蚀。[0174]根据各种实施例，因此可通过优化的例如保护性涂覆的或等离子体处理的焊线IlOa和金属表面，防止引线结合互连结构劣化。在各种实施例中，金属接触结构110,其可例如包括或由Cu、Ag等组成，可由比贵金属更有效的层336、例如涂层或掺杂部分地或完全地保护或屏蔽。这可避免或至少显著地减少例如如上所述的含硫化合物212和其它化合物在金属表面处的催化分解，例如金属-Sx-化合物沿导线IlOa或其他金属表面的快速扩散，和或反应化合物、例如Cu-Sx-化合物的蠕变腐蚀。[0175]在各种实施例中，可在将芯片106与金属接触结构110电接触、例如引线结合之后，但是在模制之前，例如在布置例如以物理接触地封装材料224模制化合物224成至少部分地围绕芯片106和芯片接触结构110之前，执行形成保护层336。[0176]在各种实施例中，保护层336可阻碍或减缓腐蚀性侵蚀。根据各种实施例，保护层336可覆盖仅未受保护的芯线材料（区域218和220中的部分336a和336b，如图3A所示），完整的焊线IlOa部分336a、336b和336c，如图3B所示），所有导电表面部分336a、336b、336c、336d和336e，如图3C所示），或封装体中的所有表面未示出）。[0177]在各种实施例中，例如在保护层336包括或由一种或一种以上导电（金属，类金属或有半导体特性的材料组成的情况下，在执行连接、例如引线结合工艺之后，保护层336可选择性地沉积在装置、例如芯片金属表面106m和金属接触结构110的导电表面和接合面之上。沉积的导电材料可包括或由以下组成：金属、合金、氧化物、磷酸盐、钒酸盐和或钼酸盐，例如六1、了3、：〇、11、1：〇仍、：〇冊、¥、]\111、2广]\1〇^11、1?11、诎、2广1^、、无定形碳或其他富碳材料。[0178]在各种实施例中，例如在保护层336包括或由一种或一种以上导电（金属，类金属或有半导体特性的材料组成的情况下，在执行连接、例如引线结合工艺之后，保护层336可非选择性地沉积在装置、例如芯片和金属接触结构的表面和接合面之上。沉积的导电材料可包括或由以下组成:金属、合金、氧化物、磷酸盐、钒酸盐和或钼酸盐，例如Al、Ta、Co、Ti、W、Co⑻、CoWP、V、Mn、Zr、Mo、Au、Ru、Rh、Zr、Re、Ir、无定形碳或其他富碳材料。可例如通过热、激光、辐射和或偏压来执行激活。在激活之后，可例如物理地或化学地去除导电材料的过量的、未反应的材料也称为过多装载）。[0179]在各种实施例中，保护层336可包括或由非导电有机材料组成。在执行连接、例如引线结合工艺之后，保护层336可选择性地沉积在装置、例如金属接触结构110、芯片金属表面106m等的导电表面和接合面之上，或非选择性地沉积在装置的任何表面之上。保护层336的非导电有机材料可包括或由唑、肼、胺或氰基化合物组成。[0180]在各种实施例中，保护层336可包括或由非导电无机材料组成。在执行连接、例如引线结合工艺之后，保护层336可选择性地沉积在装置、例如金属接触结构110、芯片金属表面106m等的导电表面和接合面之上，或非选择性地沉积在装置的任何表面之上。非导电有机材料可包括或由△12〇3^1队、5102、51队组成，具有或不具有对某些元素的嵌入捕集器。[0181]在各种实施例中，在执行连接、例如引线结合工艺之后，装置的所有表面可例如利用含N、含C或含0的等离子体被等离子体处理。[0182]在各种实施例中，装置的所有表面可用含Si的物质、例如硅氧烷或聚硅氧烷来预处理。[0183]在各种实施例中，用于在芯片封装体中的金属表面中的一个或一个以上中或之上、例如在金属接触结构110、例如导线IlOa或部分IlOb中或之上、或者在芯片金属表面106m中或之上形成导电保护层336的材料的选择，可包括?11、呢、了、：〇、11、¥和或其它。在各种实施例中，导电材料可通过选择性原子层沉积（ALD工艺、选择性化学气相沉积CVD工艺、选择性等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺、或者选择性低压化学气相沉积LPCVD工艺，沉积为保护层336。[0184]在各种实施例中，可通过选择性无电沉积将?1、听、呢史）、呢1〇?、：〇、：〇史）、：〇肝、Mo、Cr、Au和或合金，沉积为保护层336。[0185]在各种实施例中，可通过选择性电子偏压沉积（电解沉积法）、例如电镀，将Zn、Cr、八11、？1、附、311、]\1〇、0、¥、]\111、1?11、诎、2广了3、¥、1^、和或这些材料的结合、钒酸盐和或钼酸盐，包括例如商业材料、例如涂层、例如锡基涂层如由奥林金属研究实验室提供的奥林黄铜和对其的改性），沉积为保护层336。[0186]在包括或由导电材料组成的保护层336的各种实施例中，可通过将导电（金属，类金属或有半导体特性的）材料非选择性地涂覆、例如沉积在装置的表面和接合面之上来施加导电材料，这可在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前执行。经短暂处理例如热、激光、辐射、偏压）后，保护层336可与导电表面反应形成合金、金属间化合物、固溶体或类似物。其他表面之上的过多装载未反应的材料可通过物理处理或化学处理去除。[0187]在各种实施例中，用于将导电保护层336非选择性地形成在芯片封装体中的表面中一个或多个中或之上的材料和工艺的选择可包括:至少在金属例如Cu表面、例如具有未受保护的Cu区域的芯片金属表面106m和或金属接触结构110之上沉积Al。在回火工艺之后，Al可扩散至Cu中，以形成CuAl金属间化合物。可选择性地蚀刻未反应的Al，可由AlCu金属间化合物保护Cu表面。[0188]在各种实施例中，可使用下述材料和工艺:其可涂覆所有导电表面，或优选地和或选择性地涂覆焊线IlOa例如Cu或Ag的未受保护的芯IlOaO的材料和其接合面。[0189]在各种实施例中，保护层336可包括或由一种或一种以上材料组成，所述材料在贵金属和或塑料之上在典型应用或应力条件下不形成M-Sx化合物，或者不遭受M-Sx蠕变腐蚀。例如21^、]«〇3、3113、呢3不显示出蠕变腐蚀。[0190]在各种实施例中，保护层336可包括或由一种或一种以上材料组成，所述材料不增强或催化例如含硫物质在其表面处的分解，并且不增强或催化金属硫化物的形成，特别是不增强或催化CuSx或AgSx的形成。[0191]在各种实施例中，导电保护层336的厚度可在从约Inm至约200nm、例如从约20nm至约150nm、例如从约50nm至约IOOnm的范围内。[0192]在各种实施例中，形成导电保护层336期间的处理温度可以在从约180°C至约240°C、例如从约200°C至约220°C的范围内。温度范围可与芯片封装体中使用的材料有关，例如衬底例如芯片衬底l〇6b和或芯片载体102的材料和胶粘材料104例如芯片载体的胶粘材料和胶粘材料，参见图1A。[0193]在各种实施例中，可在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前，执行将非导电有机材料选择性地涂覆、例如沉积在装置的导电表面和接合面之上，或者非选择性地涂覆、例如沉积在装置的任何表面和接合面之上，用来形成保护层336。[0194]在各种实施例中，用于将非导电有机材料的保护层336选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择，可包括通过浸渍、喷涂或任何其他合适的物理或化学工艺可施加到表面的含N的有机材料、如唑具有一个或一个以上N-原子的杂芳族化合物）、肼、胺或氰基化合物及其衍生物、如吡唑、三唑（例如苯并三唑出了4461^〇廿丨32〇16、咪唑（頂0:丨111丨^2〇16或恶唑、四氰基对醌二甲烧TCNQ:tetracyanoquinodimethan。该基团的化合物可对某些金属表面具有高的结合亲和力，并且已知与金属形成强复合物，特别是部分选择性地与Cu形成强复合物例如BTA和其它唑，TCN©。[0195]用于将非导电有机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择，可还包括酰亚胺、聚酰亚胺、帕利灵例如通过CVD涂覆或高性能热塑性塑料例如通过聚合物溶液实现涂覆或其他涂料或面漆如SU-8漆）。[0196]用于将非导电有机材料的保护层选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料的选择，可还包括官能化聚合物、如用于金属和模具的聚苯乙烯或具有锚定基团的聚乙二醇本文所用的锚定基团可指优选与金属或模制成分结合的官能团）。[0197]在各种实施例中，聚合物或低聚物的官能团中的C-S结合可比单体中相同的官能团更耐分解。[0198]在各种实施例中，可使用对Cu和或Ag表面具有高度亲和性的材料，所述材料可强烈地附着于它们并因此防止腐蚀性侵蚀，用于形成保护层。这样的材料可例如包括富电子的含N有机化合物。对Cu和或Ag表面具有高度亲和性的材料可容易地以低成本工艺应用。[0199]在各种实施例中，非导电性有机保护层的厚度可以在从约Inm至约lOOOnm、例如从约20nm至约700nm、例如从约50nm至约500nm、例如从约IOOnm到约250nm的范围内。[0200]在各种实施例中，形成非导电有机保护层期间的处理温度可在从约180°C至约240°C、例如从约200°C至约220°C的范围内。温度范围可与芯片封装体中使用的材料、例如衬底的材料和胶粘材料有关。[0201]在各种实施例中，可在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前，执行将非导电无机材料选择性地涂覆、例如沉积在装置的导电表面和接合面之上，或者非选择性地涂覆、例如沉积在装置的任何表面和接合面之上，用来形成保护层336。[0202]在各种实施例中，用于将非导电无机材料的保护层336选择性地形成在芯片封装体的金属表面之上或者非选择性地形成在芯片封装体的表面之上的材料和工艺的选择可包括，通过AUXPECVD或PLCVD选择性地或非选择性地或通过PVD非选择性地沉积Al-氧化物Al2O3或Al-氮化物AlNx的薄层，通过ALD、PECVD或PLCVD选择性地或非选择性地）或通过PVD非选择性地沉积硅-氧化物SiO2或硅-氮化物SiNx的薄层。用液体化学品的处理，可导致形成表面氧化物例如Cu2O:来自碱性Cu-酒石酸盐溶液Cu2O可沉积在表面之上），可用这样的氧化物（例如四乙基娃酸盐，TEOS:TetraethylorthosiIicat涂覆相应的金属表面，或可实现在表面处形成金属-氮复合物例如Cu-氨基-复合物），通过例如PLCVD沉积的无定形碳或其它富碳层、SiO2或Si3N4层或任何其它陶瓷层，和通过ALD、TOCVD或PLCVD，利用适当官能团同时共吸附硅烷地沉积Si-氧化物SiO2或Si-氮化物SiNx的薄层。通过沉积氧化硅或氮化硅，可形成官能化硅胶，由于它们用于金属清除剂或催化剂。可嵌入无机Si-O-或SiN-网络中的金属氧化物，可作为离子或元素捕集器。Sn、Zn、Mo或Zr可作为硫捕集器，Ca可捕获氯化物。[0203]在各种实施例中，由于无机材料是不导电的，因此不需要保护层336的图案化。[0204]在各种实施例中，非导电无机保护层336的厚度可在从约2nm至约50nm、例如从约5nm至约30nm、例如从约IOnm至约20nm的范围内。[0205]在各种实施例中，形成非导电无机保护层336期间的处理温度可在从约180°C至约240°C、例如从约200°C至约220°C的范围内。温度范围可与芯片封装体中使用的材料、例如衬底的材料和胶粘材料有关。[0206]在各种实施例中，对于用来形成保护层336所有变体，即导电和非导电的，选择性的和非选择性的）的上述材料和方法，也可应用一组替代且相当新颖的方法，例如类似于喷墨印刷，类似于DoD按需喷墨：dropondemand印刷或类似的或从所谓的“快速原型”或“快速制造”的其他方法。[0207]这些方法可应用于金属、无机或有机材料。在例如喷墨印刷中，可在液体乳状液或悬浮液中提供各个材料金属、无机或有机的小几nm至μπι的尺寸颗粒。可通过提供适当的坐标选择性地或特定于区域地，或者非选择性地将这样的液滴或气泡喷射到限定的表面之上。可通过加热至高达约200°C的温度蒸发液体溶剂，使沉积的或涂覆的材料留在相应的表面之上。一些有机材料可没有附加的溶剂地以熔融（已经是液体）的状态施加，所述有机材料可冷却并在相应的表面处形成形状。[0208]在各种实施例中，相同的方法、例如类似于喷墨印刷或类似于DoD印刷，也可用于保护层336的直接图案化。印刷可用于将特定的蚀刻剂供应到预定的位置，以从这些位置去除不需要的材料，实现直接图案化结构。可通过例如以数字方式的结合图来提供具体位置上的所需ί目息。[0209]在各种实施例中，对于上述用于形成非导电保护层336的材料和方法，可使用用于例如液态的天然或合成树脂的数字光处理，用于例如塑料或树脂的熔融沉积成型，或这些方法的具体变型。[0210]在各种实施例中，在执行电接触、例如引线结合工艺之后，并且在将模制化合物提供给封装体之前立即地，可利用含N-、C-或0-例如Ν2-、ΝΗ3-、Ν20的等离子体进行等离子体处理装置的所有表面和接合面。从而，可形成保护层336。可使用射频（RF-:radiofrequency、微波或远程等离子体作为等离子体。[0211]例如，用含N的等离子体例如N2、NH3、N20处理表面可形成保护层336、例如保护性表面涂层、例如如CuxN、CuxNH、或AgxN的金属-氮表面涂层。[0212]用含〇的等离子体例如〇2、〇3、NxO处理表面可形成保护层336、例如保护性表面涂层、例如如CuO;CuxON的金属-氧化物或金属-氧-氮表面涂层。[0213]在各种实施例中，通过等离子体处理产生的保护层336、例如薄涂层可对Cu和Ag表面具有高亲和力，并且可强烈地附着到它们和其它表面，从而保护它们免受腐蚀性侵蚀。[0214]通过等离子体处理形成的保护层336的图案化可不是必需的，这是因为保护层可以是不导电的。[0215]在各种实施例中，通过等离子体处理形成的保护层336的厚度可在从约Inm至约5nm、例如从约2nm至约4nm的范围内、例如约3nm。[0216]在各种实施例中，在通过等离子体处理形成非导电保护层336期间的处理温度可在从约180°C至约240°C、例如从约200°C至约220°C的范围内。温度范围可与芯片封装体中使用的材料、例如衬底的材料和胶粘材料有关。[0217]在各种实施例中，可用含Si的物质（例如SiH4-衍生物、硅氧烷、聚硅氧烷进行处理所述表面，以形成保护层336、例如如CuSix或AgSix的保护性金属-硅表面层。所述处理可例如在不同工具中的模制工艺之前不久执行，作为预涂覆工艺在模制工具中的模制工艺之前立即执行，或作为在模制工具中的模制工艺的第一部分执行。[0218]上述实施例的优点可以是可显著减少或完全避免金属表面的、例如导线的腐蚀性侵蚀。因此，例如导线互连结构在区域218和220中示出）的劣化可被最小化或完全抑制，并且可显著减少对导线互连结构可靠性和寿命的不利影响。[0219]图4A至图4C示出根据各种实施例的芯片封装体的示意性横截面400、401和402。[0220]在各种实施例中，可提供芯片封装体。[0221]芯片封装体通常可通常包括相似或相同的部分，和或可如文中描述那样通过与图1A、图1B、图2和或图3A至图3C相似或相同的工艺形成。对于这些部件，可使用相同的附图标记，并且可以省略重复的描述。[0222]芯片封装体可包括芯片106,所述芯片106包括芯片金属表面106m具有或不具有覆盖层106c;金属接触结构110,所述金属接触结构110电接触所述芯片金属表面106m或者覆盖层l〇6c，例如在覆盖层导电的情况下）；封装材料224;和保护层，所述保护层可具有不同部分，例如在金属接触结构110的第一部分IlOa之上形成的保护层440a，和或在金属接触结构110的第二部分IlOb之上形成的保护层440b。封装体中的所有保护层440a、440b和或可能其它也可被称为保护层440。[0223]在各种实施例中，由保护层440形成的金属表面可设置在封装体中，所述金属表面不会或至少较低程度地有助于、增强或催化由于所述腐蚀反应而导致的结合互连结构的劣化。这样的表面可包括保护层440的作为特定的焊线表面的部分440a，和或封装体中的金属部件、例如如上所述的金属部件的其它表面，所述表面可用特定金属掺杂或涂覆为保护层440,或者可包括这样的金属的暴露的或嵌入的岛。[0224]在各种实施例中，如图4A至图4C所示，保护层440可形成为在装置的导电表面和接合面之上、例如在金属接触结构ll〇a、IlOb之上和或在芯片106例如芯片金属表面106m之上的导电（金属，类金属或有半导体特性的材料的选择性涂覆、例如沉积。[0225]沉积的导电材料，即保护层440可包括或由金属、合金、氧化物、磷酸盐、钒酸盐和或钼酸盐，例如△1、了、〇、11、¥、〇03、〇¥?、¥、]\111、2广]\1〇^11、1?11、诎、2广1^、1广无定形碳或其他富碳材料组成。[0226]在非选择性地沉积的情况下，可例如通过热、激光、辐射和或偏压来执行激活。可例如物理地或化学地未示出）去除导电材料的过量的、未反应的材料也称为过多装载）。[0227]在各种实施例中，用于在芯片封装体中的金属表面中的一个或一个以上中或之上、例如在金属接触结构110、例如导线IlOa即形成保护层440a或部分IlOb即形成保护层440b中或之上、或者在芯片金属表面106m中或之上未示出）形成导电保护层440的材料和工艺的选择，可包括通过选择性原子层沉积ALD工艺、选择性化学气相沉积CVD工艺、选择性等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺、或选择性低压化学气相沉积LPCVD工艺来沉积Pd、Al、Ni、Ta、Co、Ti、W和或其他，通过选择性无电沉积来沉积PcUNi、NiP、NiMoP、Co、CoP、CoWP、Mo、Cr、Au、和或合金，和或通过选择性电子偏压沉积、例如电镀来沉积Zn、Cr、Au、Pd、Ni、Sn、Mo、Co、V、Mn、Ru、Rh、Zr、Ta、W、Re*^SUr。[0228]在各种实施例中，可通过选择性电子偏压沉积（电解工艺）、例如电镀来沉积上文提到的材料的组合、合金、钒酸盐和或钼酸盐，包括例如商业涂层、如锡基涂层如奥林金属研究实验室提供的奥林黄铜以及对其的改性）。[0229]在各种实施例中，用于形成导电保护层440的材料和工艺的选择可还包括非选择性地将Al沉积在芯片封装体中的一个或一个以上表面中或之上未示出）、例如至少包括具有未受保护的Cu区域的芯片表面106m中或之上。在回火工艺之后，Al可扩散到Cu中以形成CuAl金属间化合物。可选择性地蚀刻未反应的Al，Cu表面可由作为保护层440的AlCu金属间化合物保护起来。[0230]在各种实施例中，保护层440可包括或由芯线材料IlOaO参见图1B的涂层组成，所述涂层具有以下中的一种或一种以上金属:镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锆Zr、钼Mo、锡Sn、和锌Zn等;保护层440可包括或由芯线材料IlOaO的涂层组成，所述涂层具有一种或一种以上合金，所述合金由芯线材料例如Cu和以下中的金属中的一种或一种以上组成:镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、锌（Zn锆（Zr、和钼Mo，所述合金还包括可商购和在工业中使用的合金、例如“monel”（NiO.66CuO.33合金），所述“monel”（NiO.66CuO.33合金）是美国西弗吉尼亚州亨丁顿的专用金属SpecialMetals公司的商标;保护层440可包括或由芯线材料的涂层组成，所述涂层具有一种或一种以上二元或三元合金、金属间相或以下中的固溶体：镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒V、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、银Ag、锌Zn、锆Zr、和钼Mo;由具有以下中的氮化物、碳化物、硼化物、或铝酸盐的芯线材料的涂层组成：镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡Sn、钯Pd、金Au、锌Zn、锆Zr、和钼Mo;或者保护层440可包括或由芯线材料涂覆或未涂覆的）的掺杂组成，所述掺杂具有以下中一种或一种以上金属：镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡（Sn、钯Pd、金Au、银Ag锌Zn锆Zr、钼Mo、和锑Sb。[0231]在各种实施例中，仅焊线IlOa可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金，从而形成保护层440a，或者封装体中的更多的或所有金属表面例如还有引线框架表面110b可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金中的一种或一种以上，从而形成其他保护层，例如440b等。替代焊线ll〇a，也可使用不同的金属接触结构110并设置有如上所述的保护层440a。[0232]在各种实施例中，通过使用其中芯材料IlOaO例如Cu、Ag等）可由保护层440保护或屏蔽的焊线IlOa和其他金属表面），可避免或至少显著减少下述过程:含硫和其他化合物在金属表面处的催化分解，例如金属-Sx-化合物沿导线IlOa或其他金属表面的快速分解，和反应例如Cu-Sx-化合物的蠕变腐蚀。[0233]在各种实施例中，例如涂层或掺杂的保护层440，例如除了焊线IIOa或除了金属表面以外，也可形成在封装体中的其他表面中之上。[0234]在各种实施例中，封装体可不包括任何由贵金属Au、Pd、Pt或由这些贵金属的合金或固溶体组成的表面。例如，保护层440可不含贵金属。[0235]在各种实施例中，保护层440可包括或由贵金属Au、Pd、Pt或这些贵金属的合金或固溶体组成。在那种情况下，保护层440可具有小于20nm、例如小于IOnm的厚度。[0236]在各种实施例中，这些表面中的一个或一个以上（图4C中示出一个示例性实施例，参见保护层440b可包括不同金属的（例如芯金属的、例如如上所述的金属接触结构110的、例如引线框架IlOb的）嵌入的或暴露的岛442。这样的岛442可用作腐蚀性成分的清除剂。嵌入或暴露的岛442的图案和密度可在大范围内变化。[0237]在各种实施例中，与单独层、例如单独涂覆层的数量有关，并且与芯线直径有关，可包括多个单独层未示出）的保护层440、例如涂覆层的厚度可在Inm至约300nm的范围内，例如在从5nm至约200nm的范围内，例如从约IOnm至约IOOnm的范围内。[0238]在各种实施例中，保护层440可在结合工艺之前形成。在那种情况下，可理解的是，在处理例如如上所述的具有保护层440的导线IlOa的第一结合部期间（例如在FAB形成期间），和或在处理例如如上所述的具有保护层440的导线IlOa的第二结合部（例如楔形工艺期间，导线的芯材料IlOaO例如Cu或Ag可暴露在互连结构形成的区域218、220之处。相应地，芯线材料可不再受到例如在这些位置处的涂层440a的保护。然而，应指出的是，上述实施例中关于在金属接触结构110、例如导线IlOa中之上形成的保护层440而提出的涂层和掺杂，可不会增强或甚至催化例如含硫成分212的分解，可不会允许例如含硫成分212或其部分214沿导线表面的容易且快速的扩散，可不会有助于、增强或甚至催化芯线材料与例如含硫成分212或部分214的反应，所述反应将导致形成例如CuSx或AgSx，可不会如纯贵金属例如Pd、Pt、Au可达到的程度那样有助于反应产物、如CuSx或AgSx沿其表面或接合面的快速且容易的蠕变腐蚀。[0239]在电接触芯片106之前在金属接触结构、例如导线IlOa和或引线框架IlOb上方、例如之上形成保护层440,可促进芯片封装体的制造，这是因为保护层440可形成为制造金属接触结构110中的工艺。然而，在各种实施例中，保护层440可在执行电接触、例如引线结合之后，在将封装材料224提供给封装体之前形成。[0240]因此，在各个实施例中，在芯片封装体中使用保护层440,可显著减少互连结构的有害的腐蚀性侵蚀和劣化，并且可提高互连结构可靠性。[0241]在各种实施例中，例如如图4A中示出的，仅焊线IlOa可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金。[0242]在各种实施例中，封装体中的更多的或所有金属表面（例如还有引线框架表面IlOb可涂覆或掺杂有上文详述的金属或合金中的一种或一种以上。[0243]在各种实施例中，在封装体的一个或一个以上部分处的贵金属保护层440的厚度可小于约20nm，例如小于约10nm。实验证实对贵金属层涂覆厚度的这种限制可提供腐蚀问题的解决方案。这可例如对于以下情况特别是如此:如果粗糙化相应表面例如引线框架表面IlOb和或如果特定封装体部件例如引线框架IlOb的芯材料由例如镍Ni、钴Co、铬Cr、钛Ti、钒V、锰Mn、锡Sn、锌Zn、锆Zr、钼Mo或其他金属组成，所述其他金属可形成稳定化合物、例如金属-硫化合物，但是所述稳定化合物不会显示出懦变腐蚀，而是显示出自钝化，并因此不会导致互连结构劣化。[0244]在各种实施例中，封装体可包括可由贵金属Au、Pd、Pt或由贵金属的合金或固溶体组成的一个或一个以上表面。这些表面中的一个或一个以上可具有不同金属的嵌入的或暴露的岛442,所述不同金属可包括或由例如镍Ni、钴Co、铬（Cr、钛Ti、钒⑺、锰Mn、锡Sn、锌Zn、锆Zr、钼Mo或其他金属组成，所述其他金属可形成稳定化合物、例如金属-硫化合物，所述稳定化合物可不显示出蠕变腐蚀，而是显示出自钝化，并因此不会导致互连结构劣化。硫和或其他腐蚀性部分214可不可逆地结合和固定在这些嵌入的或暴露的金属岛442处。因此，它们不可用于对芯线材料例如Cu、Ag的腐蚀性损害，并因此可避免或至少显著减少结合互连结构的腐蚀性劣化。不同金属的所提出的嵌入的或暴露的岛214的图案和密度可在大范围内变化。[0245]在各种实施例中，嵌入的或暴露的岛214可具有大于约lnm、例如大于约2nm、例如大于约5nm、例如大于约IOnm、例如大于约50nm、例如大于约IOOnm的尺寸。在此，术语尺寸可指基本上圆形的岛的直径，或者指在岛不具有基本上圆形，而是椭圆形、多边形或任何其他形状的情况下，最大尺寸的长度。在各种实施例中，由多个岛214覆盖的总面积分数，例如与金属表面、例如引线框架IlOb的总面积相比，由多个岛214覆盖的面积的百分比，可大于约5%、例如大于约10%、例如大于约20%。在各种实施例中，可在以下之间得到权衡：由可由贵金属Au、Pd、Pt或由贵金属的合金或固溶体防止氧化，其可允许改进的焊接或引线结合性能或改进的粘合组成的表面所提供的功能，与由暴露的岛提供的腐蚀保护之间。暴露的岛越大和或由暴露的岛覆盖的部分表面越大，防止腐蚀的保护就越好。从约5%的面积由暴露的岛覆盖和或Inm的最小尺寸开始，可在各种实施例中提供防止腐蚀的保护。在各种实施例中，可由暴露的岛覆盖的区域的最大值和或岛的最大尺寸，可与各种参数有关，所述参数比如金属表面的金属、用于形成导电连接例如焊接或引线结合的工艺，对于例如封装材料224的）粘合的要求等，使得对于暴露的岛的最大尺寸和或由暴露的岛覆盖的部分面积的最大尺寸的权衡，因此为上限，可与境况有关。[0246]图5A作为示意性横截面500,示出根据各种实施例的形成电接触结构的两种替代的工艺的各个阶段。所述两种替代的工艺具有两个共同阶段，a和e，和三个对于替代的工艺中的彼此来说是独特的阶段，（b至d。左侧所示的工艺包括按次序的阶段a、bl、Cl、dl*e可称为接触工艺，右侧所示的工艺包括按次序的阶段士2、：2、12和6可称为非接触工艺。[0247]在各种实施例中，可提供形成电接触结构的方法。所述电接触结构可在金属接触结构或它的一部分、如金属接触结构ll〇a，与金属表面106s之间形成。[0248]在各种实施例中，金属接触结构IIOa可包括或由导线、例如铜线组成。在各种实施例中，接触结构IlOa可以是任何种类的电引线并且可包括与导线不同的引线几何形状，如夹、弹簧、3D板等，所描述的实施例以上述词的普通含义将其表示为电化学接合工艺。[0249]在各种实施例中，金属接触结构IlOa的材料可不同于例如纯的）铜，例如包括或由不同的金属、例如银组成。换言之，Cu可在此仅表示具体实施例。数据表可在文献中可用，从中可选择金属与电解液的具体组合，以优化金属化合物沉积的不同组合和或选择性地选取不同层多厚度层）的在不同层多厚度层之上的沉积速率。[0250]金属表面106s可以金属层106m的表面，所述金属层106m的表面包括或由铜或另外的金属、例如与金属接触结构11Oa相同的金属组成。[0251]在各种实施例中，金属接触结构IlOa和或芯片106,或芯片106的一部分、例如金属层106m或其表面106s，或它们的一部分，可在由图5A的面板cl和c2中不出的阶段所表不的工艺之前，通过附加层（其可与上述覆盖层106c相似或相同）均匀地、非均匀地或以结构化的方式被覆盖。各种实施例在图5Cbl-Ι和b2-l中示出，其可分别被认为是图5Abl和b2的放大视图，附加层l〇6c形成在金属层106m之上。图5C的面板bl-1所示的阶段之后可以是由面板cl、dl和e所表示的工艺，图5C的面板b2-l所示的阶段之后可以是分别由面板c2、d2和e表示的工艺。[0252]在各种实施例中，金属表面106s和金属层106m可以是半导体装置106的、例如芯片106的、例如如上所述的芯片106的一部分。在各种实施例中，芯片可不限于此，包括半导体106b，结构化的层间氧化物106z也称为ILOX:interlayeroxide，所述结构化的层间氧化物106z包括到半导体106b的接触孔106h，Cu阻挡层或任何种类的填充、保护或堆叠的金属或导电层）l〇6mb和厚Cu106mt。在电接触之后，芯片106可利用封装材料这里未示出）进行封装。在各种实施例中，金属表面106s可以是不同装置、例如金属接触结构的第二部分ll〇b、例如引线框架的一部分，或者是例如如上所述的、例如包括可需要电接触的铜和或银的任何其它金属表面。[0253]bl示出在结合工艺之后的阶段，其中，（例如薄的）Cu焊线IlOa可结合至金属表面106s〇[0254]b2示出导线IlOa被布置成不完全与装置106的Cu表面106s接触。而是，可在焊线IlOa的下边缘与金属表面106s之间存在距离d来布置焊线110a。[0255]b3参见图5B示出在结合工艺之后的阶段，所述结合工艺可被认为是bl与b2的结合，焊线IlOa的一部分结合到金属表面106s，另一部分被布置成不完全与装置106的Cu表面106s接触。在各种实施例中，b3的布置可用作为分别在图5A的面板bl和b2中示出的布置的替代。[0256]cl和c2受制于附加的Cu沉积工艺，分别示出bl和b2的布置。[0257]在各种实施例中，在cl中，可使用电沉积在包括铜离子的电解质550中施加电流）用来获得附加的沉积层l〇6d在示例性实施例中，附加的沉积层是铜层）。对于电化学铜）沉积，可需要电路径。这样的沉积工艺可如本领域普遍已知的那样执行。与具体实施例有关，附加层106d可被沉积，仅在金属表面106之上布置，仅在导线IlOa之上布置，在它们的一部分之上布置，或者在它们两者之上均布置。[0258]在c2中，可使用无电技术来获得附加的沉积层106d，所述无电子技术使用电解质552,不需要向所述电解质552提供外部电流来实现离子、例如包括在电解质552中的铜离子的沉积。[0259]图5d2所示的示例性无电铜沉积的总体反应可使用甲醛HCHO:f〇rmaldehyde作为还原剂，并且可总结为：[0261]在此，HCOO-甲酸可以是还原剂的氧化产物。[0262]化学方程式⑴可分解成简单的还原反应和（阴极部分反应“k”），和一个氧化反应阳极部分反应“a”）：[0264]然而，这两个部分反应可发生在一种并且同一电极处，即在金属溶液界面interphase。这些反应中的每个均可争取建立其自己的平衡电位。[0265]如M.Paunovic,Plating,55,11611986中所描述的，并且在图6中示意性地示出的那样，薄膜形成的机理可通过三个同时的晶体构造过程来表征：成核过程也称为形成；参见图6的最左视图），生长参见图6的中间视图）和三维微晶600TDC:threedimensiona1crystallite;参见图6的最右视图）共同在它们的晶界GB:grainboundary660处的合并。这种生长机理可使得形成连续的，直到约3μηι的厚度的薄Cu膜。对于大于约2μηι的Cu厚度，整个膜生长可根据特定的优选的TDC晶体取向，抑制非有利的晶体取向的垂直生长，晶粒的横向接合例如在晶界660处），和新层晶粒662的生长。[0266]在各种实施例中，可例如通过使用不同的化学性质或通过在附加的沉积层106d中包含空隙来获得大于约2至3μπι例如直到5μπι或更多）的Cu厚度，例如因为与目的有关，它们可能不是有害的，或者甚至是令人期望的。[0267]在图6左）中，示出Cu的成核过程以形成三维晶体600,所述三维晶体600可最终形成沉积层l〇6d。如图6的中间所示的那样，三维晶体600可合并并且形成晶界660。最后，在沉积过程更进一步进行的情况下（如图6的右面板所示），由于几个涉及的增长机理的竞争而无法避免形成空隙664。[0268]在为结合而提出的工艺期间，为防止在最终Cu堆叠内形成空隙664,如在工艺顺序、匕2、：2、12、6或在43、32、12中那样，或者如在它们的任何变化中那样，可将〇1线IlOa设置在距离106s不大于3μηι、例如在从约Ομπι至约3μηι的范围内、例如从约0.5μηι至约2μm、例如约Ιμπι的距离d处。[0269]在各种实施例中，具有结合工艺的模块装配应在沉积工艺之前进行。因此，整个模块可浸入沉积槽550、552中。[0270]因此，金属沉积可发生在直接铜结合DCB:DirectCopperBonded金属之上，或印刷电路板PCB:PrintedCircuitBoard金属之上，或者还有任何接触或支撑金属之上引线、板或方程式“k”可导致离子沉淀的任何系统部分之上）。可使用具体设计规则来减少或增强在系统的不同区域中，从沉积槽550、552的金属沉积。[0271]在d1和d2中，为实施例中的每个示出附加的沉积层106d。作为一个说明性示例，沉积层106d被示为在金属表面106s和导线IlOa之上的均勾沉积层，但并不限于此。clc2中示出的沉积工艺可执行足够长的时间，以使沉积层106d形成为可覆盖金属表面106s的至少一部分并且同时包围金属接触结构IlOa的至少一部分的层，从而，在dl的情况下，包住和加固金属接触结构IlOa接触金属层106m的接触区域，并且在d2的情况下，在金属接触结构IlOa与金属层l〇6m之间产生物理和电接触（换句话说，桥接焊线IlOa的下边缘与金属表面106s之间的距离d，并且进一步包住并加固如为dl所描述的接触区域。可形成一个或一个以上接触区域在图5A的示例性实施例中：两个接触区域）。[0272]在各种实施例中，附加的沉积层106d可在金属接触结构IlOa和金属表面106s如图所示）之上，或仅在金属表面106s之上（如上文所述），或仅在金属接触结构IlOa之上，或仅在金属表面l〇6s和金属接触结构IlOa中的任一个或两个的局部区域之上生长未示出）。[0273]如e中所示，可分别在cldl和c2d2的沉积工艺之后进行退火工艺。从而，如dl和d2中示出的Cu-Cu接合面可消失。换句话说，在退火工艺之后，预沉积金属层106mt和沉积的金属层l〇6d可已经接合以形成均勾的或更坚固连接的金属层554。在金属层554中，金属接触结构IlOa可以是结果为至少部分地嵌入的，参见接触区域556。这样或附加的如温度或环境的后处理条件，可根据本发明的具体应用领域而改变。例如，在各种实施例中，退火可作为加热工艺来执行，其中，装置可被加热到低于450°C、例如在从约250°C至约420°C的范围内、例如从约300°C至约400°C的温度。[0274]为退火、例如为消除去除金属晶界的低温低于450°C工艺，可与完成的半导体装置并且与标准钝化层完全兼容。[0275]在各种实施例中，可包括附加的可选工艺，例如在退火之前或之后的清洁工艺，或附加的镀覆工艺例如保护层沉积），或这样的附加工艺的任何组合。[0276]在各种实施例中，退火工艺、例如低温退火工艺，可在沉积层106d的沉积之后进行，在所述低温退火工艺期间可从铜层的GB释放空隙氢（interstitialhydrogen，在铜层的GB中，只有非挥发性H保持与Cu的强结合。从而，可恢复Cu延展性和电阻率。[0277]在各种实施例中，可执行最终的附加工艺、例如如图5D中的面板f中所表示的，可在图5A的面板e中示出的工艺之后执行的工艺，例如形成保护覆盖层558,以便保护形成的加固的接触和或金属表面。[0278]在各种实施例中，在形成保护覆盖层558之前，可进行清洁和或调整例如等离子体蚀刻工艺以用来调节沉积的Cu层106d的表面性质。[0279]用于阴极沉积的化学方程式2图5A的非接触式替代方案可被概括也用于电镀Cu沉积（图5A的接触式替代方案），在所述电镀Cu沉积中，可由电流提供可需要用来激活Cu沉积的两个电子。[0280]根据各种实施例，可向阴极提供足够高的电流，所述阴极可电连接例如短接至外部偏压。这样的偏压可通过DCB或PCB或任何接触金属）、例如焊线IlOa的第二端（图5A中的虚线部分提供。在这种情况下，Cu焊线IlOa可与Cu焊盘处在相同的电位，使得两者可在电镀工艺期间同时被覆盖。[0281]图7示出根据各种实施例的形成电接触结构的方法的两个阶段的示意性横截面。[0282]各个部分和工艺可如文中描述的那样，与图5A、图5B、图5C、图5D和图6的相应部分和工艺相同或相似。他们的描述可能已被省略。[0283]在结合工艺期间（在初始布置接触的意义上），例如如图5Abl所示，由于通过结合工艺传递到金属接触层106mt的机械应力，裂纹772可在焊脚下的金属接触层106mt中或在可不同于焊脚的其它位置中形成。在各种实施例中，可通过如上所述的形成电接触结构的方法来密封裂纹772参见图7,右面板）。[0284]在各种实施例中，因此可通过执行“填充工艺”来去除通过所述“填充工艺”裂纹772可基本上被完全填充未示出），或者从顶部通过执行“覆盖工艺”来封闭（根据裂纹的尺寸和幅度和数量，通过所述“覆盖工艺”可通过覆盖层将裂纹从环境所述环境可例如包含污染的离子密封或部分地密封），软结合工艺期间引起的小裂纹。[0285]在各种实施例中，形成电接触的方法可以标准方式，在发生任何结合之后作为“纯覆盖”方法来执行，以防止或阻碍已经形成的裂纹使有害离子朝半导体、例如Si接合面穿透。在该实施例中，加固结合可能是次要的。[0286]在各种实施例中，可减轻或消除穿透金属焊盘106mt的裂纹772的有害影响。金属阻挡设计可尝试将小裂纹的存在考虑进来，例如通过实施离子捕获或包括目的是延迟离子扩散的层。在如上所述的各种实施例中，可减少有害离子的可用性。如果在结合工艺之后，应用根据各种实施例的形成电接触结构的方法，那么可如图7右）中示出的那样封闭（密封裂缝。因此，通过防止附加的外部有害元素的侵入，可使离子扩散最小化。[0287]在各种实施例中，在图5A至图9的上下文中描述的实施例的优点可以是，结合工艺在初始布置接触的意义上，例如如图5Abl所示的那样不需要为金属接触表面106s和或为金属接触层l〇6m也称为金属焊盘提供足够的强度，否则所述金属焊盘可在焊盘本身中引起裂纹772的形成，如果裂纹穿过Cu焊盘下方深处，则可引起功能问题。在各种实施例中，软结合工艺可足以确保仅金属导线IlOa足够接近或刚好接触阴极金属表面106s。由于导线IlOa被放置在离金属表面106s—定的距离处，可不需要焊线IlOa的穿透和或金属表面106s的修改。由于可在Cu焊盘金属接触层106m的金属表面106s之上和Cu线IlOa之上同时发生生长机理，直到得到一种连续的材料或化合物，因此在通常的结合穿透工艺期间可获得的结合连接的机械可靠性在此可能已经过时。[0288]图8中的每个作为示意性的横截面，示出根据各种实施例的形成电接触结构的工艺的各个阶段。[0289]各个部分和工艺可与上文描述的相应的部分和工艺相同或相似。他们的描述可能已经被省略。[0290]在各种实施例中，形成电连接的方法可包括对电结合工艺的附加中间工艺或后续工艺。[0291]在各种实施例中，形成电连接的方法可附加地包括中间沉积工艺，从而形成结构化层882。例如如在B.Miceletal.，IBMJ.RESDEV，45,52001中所描述的那样，中间沉积工艺可例如包括光刻工艺、或者是丝网-、模版-、或微接触-印刷工艺。从而，金属表面106s可为后续的电结合工艺而附加地被制备预处理。在各种实施例中还可包括另外的附加中间工艺，如热处理或清洁工艺或包含薄层。作为中间沉积工艺的示例，可执行模板-印刷，所述模板-印刷作为在电沉积之前的预处理已经被成熟而广泛地用于类似IC的SMD或单个DIE的组装。在此，如图8a的a-b-c-d序列所示出的那样，可使用不锈钢模版880以在金属层106mt装置金属焊盘）的顶部之上转移使用金属膏乳液882的图案，该金属膏乳液882含有金属、如SnAgCiKSAO合金、Sn、Zn、In、Mn等等。可使用刮板886将金属膏乳液882挤压到模板的开口中。随后，可去除模板，将结构化金属膏乳液882留在金属表面106s之上。[0292]在各种实施例中，薄层884可通过沉积工艺、例如ALD、PVD或其它方法形成，以获得直至约20nm、例如约IOnm的薄层厚度。薄层可例如包括氧或氮或其它保护性或粘合促进性材料。可例如在形成结构化层882的工艺如图8B所示之前执行薄层沉积工艺。在各种实施例中，薄层沉积工艺可在图8A和8B所示的工艺之后执行未示出）。[0293]在各种实施例中，根据化学组成、流变能力以及印刷焊盘的图案化几何形状，可获得不同的结果。例如，可实现系统的不同区域中沉积速度的进一步分化，可提高焊线置换效率，可减轻裂纹的风险，可缓轻溶液包封到空隙中的风险等。[0294]图9作为示意性横截面，示出根据各种实施例的形成电接触结构的工艺的各个阶段。[0295]各个部分和工艺可与如上所述的相应的部分和工艺相同或相似。他们的描述可能已经被省略。[0296]在各种实施例中，微接触光刻可例如用作防止局部金属沉积的示例。作为另一示例，可使用诸如微接触光刻的光刻技术，通过该光刻技术可以大通过量将掩模层992沉积到焊盘表面106s之上。在微光刻工艺中，可在金属接触层106m金属焊盘）的顶部之上使用结构化的印模990形成、例如冲压出掩模层992、例如聚合物单层。聚合物单层可在随后的电化学沉积工艺中能够防止附加金属的生长，并且允许仅在未被掩模层992覆盖的区域994中生长出附加的金属沉积的金属层106d。此方法在图9的a-b-c序列中示意性地示出，并且可被视为代表上述丝网模板-印刷方法的补充方法。这些工艺都可代表预处理工艺，即在电化学结合之前进行的工艺。[0297]在各种实施例中，在后处理中，焊膏可局部沉积到电化学结合接触结构接合面之上未示出）。[0298]在各种实施例中，作为后处理，例如如上所述的那样，可沉积保护层。[0299]在各种实施例中，中间工艺（例如清洁、等离子体粘合促进剂工艺或热调节可可选地在上述工艺序列中的任何合适的点执行。[0300]图10示出根据各种实施例的形成电接触结构的方法的两个阶段的示意图。[0301]在各种实施例中，可提供形成电接触结构的方法。电接触结构可形成在金属接触结构IlOa与金属表面IlObs之间。金属接触结构IlOa可电连接至芯片106,所述芯片106也称为管芯。[0302]在各种实施例中，金属接触结构IIOa可包括或由焊线、例如铜焊线组成。除导线之夕卜，金属接触结构IlOa可形成为如上所述的任何其它合适的接触装置用于金属接触结构110的第一部分110a。[0303]在各种实施例中，金属表面IlObs可以是金属元件IlOb的表面。金属元件IlOb可相应于上述金属接触结构110的第二部分ll〇b、例如相应于引线框架、例如由铜构成或包括铜的引线框架。除引线框架之外，金属元件IIOb可形成为下述任何其它金属结构:金属接触结构IIOa可电接触所述金属结构，并且所述金属结构可包括或由铜组成。[0304]在各种实施例中，形成电接触结构的方法可包括:通过原子层沉积将钝化层1098a沉积在金属表面IlObs的至少一个区域之上，其中，钝化层可包括氧化铝。ALD工艺可以是非常正形的，并且与金属表面IlObs的几何形状、例如引线框架几何形状无关。钝化层1098a的厚度可基本上是均匀的。[0305]钝化层1098a可保护金属表面IIObs的铜免受氧化，例如在储存期间，特别是在组装期间，所述组装可在高温例如结合工艺可需要高于200°C的温度下进行，否则可会导致铜的氧化。使用适当的层厚度，例如在从约Inm至约100nm、例如从约5nm至约50nm、例如从约5nm至约20nm、例如从约5nm至约IOnm的范围内的厚度，金属表面11Obs、例如引线框架表面，可被保护，并且可仍然使得能够引线结合。[0306]在各种实施例中，形成电接触结构的方法还可包括将金属表面IlObs的区域与金属接触结构11Oa电接触，其中，金属接触结构11Oa可包括铜。[0307]在各种实施例中，如本领域技术人员已知的那样，在施加ALD工艺之前，可需要考虑抗磨损涂层的影响，并且金属表面IlOb可需要被适当地清洁。[0308]图11示出根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程1100。[0309]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法可包括:将芯片与金属接触结构电接触1110中），在电接触芯片之前或之后，使金属接触结构的至少一部分粗糙化，使得获得至少50nm的表面粗糙度Ra1120中），至少在金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层，其中，所述保护层具有小于IOnm的厚度（1130中），在电接触芯片之后，并且在布置保护层之后，利用封装材料封装芯片和金属接触结构，使得保护层布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处1140中）。[0310]在各种实施例中，表面粗糙度Ra可以为至少lOOnm、例如至少200nm、例如至少500nm、例如至少Ιμπι。[0311]表面粗糙度Ra可指:表面粗糙度曲线与垂直偏差的平均线的垂直偏差的绝对值的算术平均值。[0312]图12示出了根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程1200。[0313]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法可包括:将芯片与金属接触结构电接触1210中），至少在金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层（1220中），部分地去除在金属接触结构之上的保护层，从而形成多个不含贵金属的区域，其中，不含贵金属的区域提供在封装材料与金属接触结构的非贵金属之间的接合面（1230中），在电接触芯片之后，并且在布置和部分地去除保护层之后，利用封装材料封装芯片和金属接触结构，使得保护层布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处1240中）。[0314]图13示出根据各种实施例的用于形成芯片封装体的方法的工艺流程1300。[0315]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法可包括:将芯片与金属接触结构电接触1310中），用等离子体处理金属接触结构和芯片金属表面，从而在金属接触结构的至少一部分和或芯片金属表面中或之上形成保护层（1320中），在电接触芯片之后，并且在布置保护层之后，利用封装材料封装芯片和金属接触结构，使得保护层布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处1330中）。[0316]图14示出根据各种实施例的用于形成电接触结构的方法的工艺流程1400。[0317]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法可包括:在金属表面上方或之上布置金属接触结构（1410中），在金属表面之上和金属接触结构之上镀覆金属层，从而将金属接触结构固定至金属表面，并且在金属接触结构与金属表面之间形成电接触或者加固金属接触结构与金属表面之间的现有的电接触1420中）。[0318]图15示出根据各种实施例的用于形成电接触结构的方法的工艺流程1500。[0319]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法可包括:通过原子层沉积，将钝化层沉积在金属接触结构的第一部分的至少一个区域之上，其中，钝化层可包括氧化铝，并且金属接触结构的第一部分的区域的表面可包括铜（1510中），将金属接触结构的第一部分的区域与金属接触结构的第二部分电接触，其中，金属接触结构的第二部分可包括铜（1520中）。[0320]在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括芯片，所述芯片包括芯片金属表面;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面;封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层包括或本质上由无机材料所组成的组中的至少一种材料组成，所述组由以下组成:氧化铝、氧化铜、无定形或结晶二氧化硅、原硅酸四乙酯、氮化物、磷酸盐、碳化物、硼化物、铝酸盐、无定形碳或其他富碳材料、包括氮和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物、和包括硅和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物。[0321]在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括芯片，所述芯片包括芯片金属表面;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面，其中，所述金属接触结构包括铜和或银;封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，保护层可包括或本质上由与封装材料不同的聚合物组成。[0322]在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括芯片，所述芯片包括芯片金属表面;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面;封装材料;和保护层，所述保护层包括或本质上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括或本质上由金属所组成的组中的至少一种金属组成，所述组由以下组成:厶1、了、：〇、1^、¥、：〇屮）、：〇砰、¥、]\111、2广]\1〇、厶11、1?11、1^、Zr、Re、和Ir。[0323]在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括芯片，所述芯片包括芯片金属表面;金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面;封装材料;和保护层，所述保护层包括或本质上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，保护层可包括厚度小于IOnm的贵金属。[0324]在各种实施例中，金属接触结构的部分可具有至少50nm的表面粗糙度。[0325]在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括芯片;包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构;封装材料;和保护层，所述保护层包括或本质上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的部分可包括多个不含贵金属的区域，不含贵金属的区域可提供封装材料与非贵金属之间的接合面。[0326]在各种实施例中，非贵金属可以是金属接触结构的金属。[0327]在各种实施例中，非贵金属可沉积在不含贵金属的区域中。[0328]在各种实施例中，多个不含贵金属的区域中的每个区域可具有Inm的最小直径。[0329]在各种实施例中，不含贵金属的区域的累积面积可以是保护层的部分面积的至少5%〇[0330]在各种实施例中，提供了形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料。所述方法可包括:将芯片与金属接触结构电接触，在电接触芯片之前或之后，使金属接触结构的至少一部分粗糙化，使得获得至少50nm的表面粗糙度，至少在所述金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层，其中，所述保护层具有小于IOnm的厚度，在电接触所述芯片之后并且在布置所述保护层之后，利用封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得保护层可布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处。[0331]在各种实施例中，提供了形成芯片封装体的方法，芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料。所述方法可包括:将芯片与金属接触结构电接触，至少在所述金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层，部分地去除金属接触结构之上的保护层，从而形成多个不含贵金属的区域，其中，不含贵金属的区域可提供封装材料与金属接触结构的非贵金属之间的接合面，在电接触芯片之后并且在布置和部分地去除保护层之后，利用封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得保护层可布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处。[0332]在各种实施例中，提供了形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料。所述方法可包括:至少在所述金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层，部分地去除金属接触结构之上的保护层，从而形成多个不含贵金属的区域，将芯片与金属接触结构电接触，在电接触芯片之后并且在布置和部分地去除保护层之后，利用封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，从而将不含贵金属的区域与封装材料物理接触，其中，在不含贵金属的区域中，可暴露非贵金属。[0333]在各种实施例中，暴露的非贵金属可以是金属接触结构的非贵金属。[0334]在各种实施例中，该方法可还包括在不含贵金属的区域中沉积非贵金属。暴露的非贵金属可以是沉积的非贵金属。[0335]在各种实施例中，可在布置和部分地去除保护层之后执行电接触芯片。[0336]在各种实施例中，提供了形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料。所述方法可包括:将芯片金属表面与金属接触结构电接触，用等离子体处理金属接触结构和芯片金属表面，从而在金属接触结构的至少一部分和或芯片金属表面中或之上形成保护层，在电接触芯片之后，并且在布置保护层之后，利用封装材料封装芯片和金属接触结构，使得可将保护层布置在金属接触结构的至少一部分与封装材料之间的接合面处。[0337]在各种实施例中，等离子体可包括或由等离子体组成的组中的等离子体组成，该组由N2、NH3、N2O、O2、O3和NxO组成。[0338]在各种实施例中，提供了形成电接触结构的方法。所述方法可包括:在金属表面上方或之上布置金属接触结构，在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆金属层，从而将所述金属接触结构固定至所述金属表面，并且在所述金属接触结构与所述金属表面之间形成电接触，或者加固或增厚所述金属接触结构与所述金属表面之间的现有的电接触。[0339]在各种实施例中，所述方法还可包括:在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆所述金属层结构之前，通过涉及湿化学、干化学和或等离子体的工艺来处理所述金属表面和所述金属接触结构，以制备所述金属表面的表面和所述金属接触结构的表面用于镀覆。[0340]在各种实施例中，所述方法还可包括:在布置所述金属接触结构之前，在所述金属表面之上布置中间层。[0341]在各种实施例中，所述方法还可包括:在布置金属接触结构之前，在所述金属表面之上布置结构化的中间层。[0342]在各种实施例中，所述方法还可包括:在布置金属接触结构之后，在所述金属表面之上和所述接触结构之上布置最终保护层。[0343]在各种实施例中，所述结构化的中间层可包括粘合促进剂，并且布置金属接触结构可包括将所述金属接触结构布置在所述粘合促进剂中或之上或将所述金属接触结构部分地布置在所述粘合促进剂中。[0344]在各种实施例中，布置所述中间层可包括沉积例如ALD、模版印刷或丝网印刷。[0345]在各种实施例中，所述中间层可被配置成用来防止金属镀覆在所述中间层之上。[0346]在各种实施例中，该方法还可包括:在镀覆所述金属层之后，将焊料布置在接触部分之上，在所述接触部分之处可形成所述金属接触结构与所述金属表面之间的电接触。[0347]在各种实施例中，金属表面可以是芯片金属表面、印刷电路板或直接铜结合。[0348]在各种实施例中，金属接触结构可以是封装体连接级别的接触结构，所述接触结构提供第一封装体第二封装体之间的电接触。[0349]在各种实施例中，提供了形成电接触结构的方法。所述方法可包括:通过原子层沉积，将钝化层沉积在金属表面的至少一个区域之上，其中，所述钝化层包括氧化铝，所述金属表面的区域可包括铜，并且将所述金属表面的区域与金属接触结构电接触，其中，所述金属接触结构可包括铜。[0350]在各种实施例中，金属接触结构可以是导线。[0351]在各种实施例中，金属表面可以是引线框架的表面。[0352]在各种实施例中，将金属表面与金属接触结构电接触可包括结合工艺。[0353]在各种实施例中，结合工艺可以是楔形结合工艺。[0354]在各种实施例中，提供了形成芯片封装体的方法。所述方法可包括形成电接触结构的方法。[0355]在各种实施例中，形成芯片封装体的方法还可包括:将芯片与金属接触结构的第二部分电接触。[0356]在各种实施例中，所述方法还可包括：用封装材料至少部分地包封芯片和金属接触结构。[0357]虽然已经参考具体实施例特别地示出和描述了本发明，但是本领域技术人员应当理解，在不背离本发明的如通过所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。因此，本发明的范围由所附权利要求指出，因此旨在包含在权利要求的等同方案的含义和范围内的所有改变。

权利要求：1.一种芯片封装体，包括：包括芯片金属表面的芯片；金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面；封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；其中，所述保护层包括或基本上由无机材料的组中的至少一种材料组成，所述组由以下无机材料组成：氧化铝；氧化铜；无定形或结晶二氧化娃；原硅酸四乙酯；氮化物；磷酸盐；碳化物，硼化物，铝酸盐；无定形碳或其他富碳材料；Al、Ta、Co、Ti、W、CoP、CoWP、V、Mn、Zr、Mo、Au、Ru、Rh、Zr、Re、Ir、Si;包括氮和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物;和包括硅和所述芯片金属表面的金属和或所述金属接触结构的金属的化合物。2.—种芯片封装体，包括：包括芯片金属表面的芯片；金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面，其中，所述金属接触结构包括铜和或银；封装材料;和保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；其中，所述保护层包括或基本上由与所述封装材料不同的聚合物组成。3.—种芯片封装体，包括：芯片；电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料;和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；其中，所述保护层包括厚度小于IOnm的贵金属。4.根据权利要求3所述的芯片封装体，其中，所述金属接触结构的所述部分具有至少50nm的表面粗糙度。5.一种芯片封装体，包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料;和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；其中，所述保护层包括贵金属；其中，所述保护层的所述部分包括多个不含所述贵金属的区域，和其中，所述不含所述贵金属的区域提供所述封装材料与非贵金属之间的接合面。6.根据权利要求5所述的芯片封装体，其中，所述多个不含所述贵金属的区域中的每个区域具有Inm的最小直径。7.根据权利要求5或6所述的芯片封装体，其中，所述不含所述贵金属的区域的累积面积是所述保护层的所述部分的面积的至少5%〇8.—种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括：将所述芯片与所述金属接触结构电接触；在电接触所述芯片之前或之后，粗糙化所述金属接触结构的至少一部分，使得获得至少50nm的表面粗糙度；至少在所述金属接触结构的所述部分之上形成包括贵金属的保护层，其中，所述保护层具有小于IOnm的厚度;和在电接触所述芯片之后并且在布置所述保护层之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得所述保护层布置在所述金属接触结构的至少一部分与所述封装材料之间的接合面处。9.一种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括：至少在所述金属接触结构的一部分之上形成包括贵金属的保护层；部分地去除在所述金属接触结构之上的所述保护层，从而形成多个不含所述贵金属的区域；将所述芯片与所述金属接触结构电接触;和在布置并部分地去除所述保护层之后并且在电接触所述芯片之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，从而将非贵金属暴露的所述不含所述贵金属的区域与所述封装材料物理接触。10.—种形成芯片封装体的方法，所述芯片封装体包括具有芯片金属表面的芯片、金属接触结构和封装材料，所述方法包括：将所述芯片金属表面与所述金属接触结构电接触；用等离子体处理所述金属接触结构和所述芯片金属表面，从而，在所述金属接触结构的至少一部分和或所述芯片金属表面中或之上形成保护层;和在电接触所述芯片之后并且在布置所述保护层之后，用所述封装材料封装所述芯片和所述金属接触结构，使得所述保护层布置在所述金属接触结构的至少一部分与所述封装材料之间的接合面处。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述等离子体包括以下等离子体的组中的等离子体：吣、见13、吣0、〇2、〇3和队0。12.—种形成电接触结构的方法，包括：在金属表面上方或之上布置金属接触结构；在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆金属层，从而将所述金属接触结构固定至所述金属表面，并且在所述金属接触结构与所述金属表面之间形成电接触结构，或加固或增厚所述金属接触结构与所述金属表面之间的现有的电接触结构。13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上镀覆所述金属层结构之前，通过涉及湿化学、干化学和或等离子体的工艺处理所述金属表面和所述金属接触结构，以准备所述金属表面的表面和所述金属接触结构的表面用于镀覆。14.根据权利要求12或13所述的方法，还包括：在布置金属接触结构之前，在所述金属表面之上布置中间层。15.根据权利要求14所述的方法，其中，布置所述中间层包括将所述中间层布置为结构化的中间层。16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，还包括:在布置金属接触结构之后，在所述金属表面之上和所述金属接触结构之上布置最终保护层。17.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述中间层包括粘合促进剂，且布置金属接触结构包括将所述金属接触结构布置在所述粘合促进剂中或之上或者将所述金属接触结构部分地布置在所述粘合促进剂中。18.根据权利要求14或15所述的方法，其中，布置所述中间层包括沉积、模版印刷或丝网印刷。19.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述中间层被配置成防止金属镀覆在所述中间层之上。20.根据权利要求12至19中任一项所述的方法，还包括：在镀覆所述金属层之后，将焊料布置在接触部分之上，在所述接触部分处形成所述金属接触结构与所述金属表面之间的所述电接触结构。21.—种形成电接触结构的方法，包括：通过原子层沉积，将钝化层沉积在金属表面的至少一个区域之上，其中，所述钝化层包括氧化铝，所述金属表面的所述区域包括铜;和将所述金属表面的所述区域与金属接触结构电接触，其中，所述金属接触结构包括铜。

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 芯片封装体

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD