申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-07-17

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210560741U

主分类号：C23C16/455(20060101)

分类号：C23C16/455(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型公开一种薄膜制备设备，其包括：反应腔室；多个用于向所述反应腔室内输入第一反应气体的第一注入口，多个所述第一注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；多个用于向所述反应腔室内输入第二反应气体的第二注入口，多个所述第二注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；用于向所述反应腔室内输入稀释气体的第三注入口，设置在所述反应腔室的底端；其中，多个所述第一注入口和多个所述第二注入口越靠近所述反应腔室的底端，其输出流量越大。采用这种薄膜制备设备在多个晶圆上生成薄膜，位于反应腔室上部的晶圆和位于反应腔室底部的晶圆其表面上生长出的薄膜的厚度趋于一致。

主权项：1.一种薄膜制备设备，其特征在于，包括：反应腔室；多个用于向所述反应腔室内输入第一反应气体的第一注入口，多个所述第一注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；多个用于向所述反应腔室内输入第二反应气体的第二注入口，多个所述第二注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；用于向所述反应腔室内输入稀释气体的第三注入口，设置在所述反应腔室的底端；其中，多个所述第一注入口和多个所述第二注入口越靠近所述反应腔室的底端，其输出流量越大。

全文数据：

权利要求：

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