申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-11-07

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210575840U

主分类号：H01L21/60(20060101)

分类号：H01L21/60(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型涉及一种半导体结构，包括：衬底、焊盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二保护层；重布线层包括第一金属线、第二金属线；第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当于形成于同一层，因此第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共面性较高，第二金属线与焊盘绝缘，因此形成于第二金属线上的凸块并不起导电作用，在衬底翘曲产生应力时将应力转移到第一保护层，本申请的衬底中凸块共面性较好，减小倒装到基板上时出现浸润不良的概率，提高整个封装的可靠性。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；焊盘，位于所述衬底上；第一保护层，覆盖部分所述焊盘；连接插塞，所述连接插塞位于所述第一保护层内；重布线层，位于所述第一保护层上；所述重布线层包括第一金属线、第二金属线；所述第一金属线经由所述连接插塞与所述焊盘电连接；所述第二金属线与所述第一金属线的上表面相平齐，所述第二金属线不进行任何电连接；第二保护层，位于所述第一保护层的上表面，且覆盖所述重布线层；所述第二保护层内形成有第一开口及第二开口，所述第一开口暴露出所述第一金属线，所述第二开口暴露出所述第二金属线；凸块，位于所述第一金属线和所述第二金属线的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体封装结构

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