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【实用新型】半导体材料制备装置_苏州纳维科技有限公司_201921670209.3 

申请/专利权人:苏州纳维科技有限公司

申请日:2019-10-08

公开(公告)日:2020-05-19

公开(公告)号:CN210575857U

主分类号:H01L21/67(20060101)

分类号:H01L21/67(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.05.19#授权

摘要:本实用新型提供一种半导体材料制备装置,其包括:预处理单元、生长单元、传送单元;预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室,第一腔室中设置有预处理机构,预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理,生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室,传送单元包括:通道、设置于通道中的传送机构,通道连通第一腔室和第二腔室,且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝,传送机构一端延伸至第一腔室中,另一端延伸至第二腔室中。本实用新型能够在外延生长之前,对基底表面吸附的Si、O等杂质进行去除,从而避免后续生长时,在生长界面处出现高掺杂层,进而提升器件的光电性能。

主权项:1.一种半导体材料制备装置,其特征在于,所述半导体材料制备装置包括:预处理单元、生长单元、传送单元;所述预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室,所述第一腔室中设置有预处理机构,所述预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理,所述生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室,所述传送单元包括:通道、设置于所述通道中的传送机构,所述通道连通所述第一腔室和第二腔室,且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝,所述传送机构一端延伸至所述第一腔室中,另一端延伸至第二腔室中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州纳维科技有限公司 半导体材料制备装置

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