申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2019-09-27

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210575953U

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L23/48(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。

主权项：1.一种半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述电接触结构包括：多个接触插塞，形成于所述半导体器件的核心元件区的核心元件的上方，且各个所接触插塞的底部与相应的核心元件的有源区接触，其中，形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，且所述顶部相联在一起的接触插塞中包括边界处最外侧的接触插塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件及其电接触结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD