申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2019-10-24

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210578467U

主分类号：H03K3/353(20060101)

分类号：H03K3/353(20060101);H03K3/01(20060101);G01S7/484(20060101);G01S7/282(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围，能够在更多场景下取代MOSFET，获得比MOSFET更优的性能。

主权项：1.一种氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；所述反向续流单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与所述第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；所述泄放单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为所述第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达

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