申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-11-19

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210575830U

主分类号：H01L21/033(20060101)

分类号：H01L21/033(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L27/108(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，半导体器件包括：待刻蚀层；图形化的第一掩膜层，形成于待刻蚀层上；图形化的第二掩膜层，形成于待刻蚀层上，第二掩膜层和第一掩膜层共同定义出开口，开口暴露待刻蚀层。上述半导体器件使得在器件特征尺寸相同的情况下，第一掩膜层和第二掩膜层的特征尺寸变大，而且为器件特征尺寸的进一步缩小成为可能，还能提高器件的良率，节约成本。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：待刻蚀层；图形化的第一掩膜层，形成于所述待刻蚀层上；图形化的第二掩膜层，形成于所述待刻蚀层上，所述第二掩膜层和所述第一掩膜层共同定义出开口，所述开口暴露所述待刻蚀层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件

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