申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-11-01

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN210575831U

主分类号：H01L21/308(20060101)

分类号：H01L21/308(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/3213(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权

摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于待刻蚀层的表面，牺牲层具有开口，开口暴露出部分待刻蚀层的表面；保护层，形成于牺牲层的侧壁表面；侧墙材料层，形成于保护层的表面。上述半导体器件使得线宽进一步缩小成为可能，而且牺牲层侧壁表面的保护层能避免在形成侧墙材料层时等离子体对牺牲层造成损伤，保证牺牲层的完整性，进一步使得形成的保护层和侧墙材料层的尺寸满足工艺要求，使得最终形成的待刻蚀图形的尺寸满足工艺要求，实现图案的精准转移。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于所述待刻蚀层的表面，所述牺牲层具有开口，所述开口暴露出部分所述待刻蚀层的表面；保护层，形成于所述牺牲层的侧壁表面；侧墙材料层，形成于所述保护层的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件

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