【发明公布】溅射装置及溅射装置控制方法_亚威科股份有限公司_201911075379.1 

申请/专利权人:亚威科股份有限公司

申请日:2019-11-06

发明/设计人:朴瑨哲

公开(公告)日:2020-05-22

代理机构:北京鸿元知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN111188019A

代理人:姜虎;陈英俊

主分类号:C23C14/54(20060101)

地址:韩国大邱广域市

分类号:C23C14/54(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/24(20060101)

优先权:["20181115 KR 10-2018-0140443"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.05.22#公开

摘要:涉及溅射装置及溅射装置控制方法,该溅射装置包括:支撑部,用于支撑基板;靶,从所述支撑部沿第一轴方向隔开配置;获取部,用于以所述第一轴方向为基准测量在被所述支撑部支撑的基板与所述靶之间所生成的等离子体的强度,以获取等离子体值;磁体部,用于调节等离子体的强度;以及移动部,用于使所述磁体部沿所述第一轴方向移动,其中,所述移动部使所述磁体部沿所述第一轴方向移动,以便以多个中间等离子体值中的最大中间等离子体值为基准,调节多个中间等离子体值、多个上部等离子体值以及多个下部等离子体值中的至少一个。

主权项:1.一种溅射装置控制方法,该溅射装置利用以第一轴方向为基准时生成在基板与靶之间的等离子体进行溅射工艺,其特征在于,包括:获取步骤,测量各个中间区域的等离子体的强度,以获取多个中间等离子体值,测量各个上部区域的等离子体的强度,以获取多个上部等离子体值,测量各个下部区域的等离子体的强度,以获取多个下部等离子体值,其中,多个所述中间区域沿垂直于所述第一轴方向的第二轴方向配置,多个所述上部区域以分别垂直于所述第一轴方向和所述第二轴方向的上下方向为基准配置于多个所述中间区域的上侧,多个所述下部区域以所述上下方向为基准配置于多个所述中间区域的下侧;提取步骤,从多个所述中间等离子体值中提取最大中间等离子体值,从多个所述上部等离子体值中提取最大上部等离子体值,从多个所述下部等离子体值中提取最大下部等离子体值;以及调节步骤,以所述最大中间等离子体值为基准,调节多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值中的至少一个。

全文数据:

权利要求:

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