申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-10-31

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN111192613A

主分类号：G11C13/00(20060101)

分类号：G11C13/00(20060101)

优先权：["20181114 KR 10-2018-0139645"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.09.24#实质审查的生效;2020.05.22#公开

摘要：提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge‑Se‑Te、Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的一种，并且Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的每种的砷As成分的组分比率大于0.01且小于0.17。

主权项：1.一种存储器器件，包括：字线；与所述字线交叉的位线；以及在所述字线和所述位线之间的存储器单元，其中所述存储器单元包括：连接到所述字线的第一电极；连接到所述位线的第二电极；和形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一存储器元件层，所述第一存储器元件层包括Ge-Se-Te、Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的一种，并且所述Ge-Se-Te-As和所述Ge-Se-Te-As-Si中的每种的砷As成分的组分比率大于0.01且小于0.17。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 存储器器件和存储器单元

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