申请/专利权人：深圳方正微电子有限公司

申请日：2018-12-12

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN111192821A

主分类号：H01L21/04(20060101)

分类号：H01L21/04(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.14#授权;2020.06.16#实质审查的生效;2020.05.22#公开

摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件。其制造方法包括以下步骤：提供具有碳化硅外延层的衬底；自碳化硅外延层表面向远离碳化硅外延层的方向上，沉积形成层叠叠设的若干层介质薄膜；对介质薄膜进行多次刻蚀处理，使各介质薄膜具有不同边界；在介质薄膜表面形成便于进行P型杂质注入的硬掩膜图案；对碳化硅外延层表面进行P型杂质注入处理，获得具有不同深度和浓度分布的P型杂质；去除碳化硅外延层表面的硬掩膜和具有不同边界的介质薄膜，得到碳化硅功率器件结终端结构。由此制造方法实现对碳化硅外延层进行不同浓度和深度的P注入，从而获得结终端区域电场分布可控的碳化硅功率器件结终端结构。

主权项：1.一种碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01.提供具有碳化硅外延层的衬底；步骤S02.在所述碳化硅外延层表面且自所述碳化硅外延层表面向远离所述碳化硅外延层的方向上，沉积形成层叠叠设的若干层介质薄膜；步骤S03.分别对各个所述介质薄膜进行刻蚀处理，使各介质薄膜具有不同的边界；步骤S04.采用光刻胶的涂布曝光显影工艺对具有不同边界的所述若干层介质薄膜进行处理，获得便于进行P型杂质注入的硬掩膜图案；步骤S05.对所述碳化硅外延层表面进行P型杂质注入处理，获得具有不同深度和浓度分布的P型杂质；步骤S06.去除所述碳化硅外延层表面的硬掩膜和具有不同边界的若干层介质薄膜，得到碳化硅功率器件结终端结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳方正微电子有限公司 碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件

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