申请/专利权人：张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司

申请日：2019-12-09

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN210607261U

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.22#授权

摘要：本实用新型提出一种超低功率半导体功率器件，其在半导体基板的N型外延层上表面开有三个沟槽，沟槽内填满场氧化层，场氧化层内填充导电多晶硅，第一沟槽上半部分内壁及其外围、第二、第三沟槽上方及其外围覆盖栅氧化层，第一沟槽的栅氧化层内填满栅极多晶硅，栅氧化层上方覆盖氧化层，第一沟槽外围的氧化层上方覆盖源极金属至第一源极孔内，第一沟槽上方覆盖栅极金属至栅极孔内，第二沟槽上方覆盖源极金属至第二源极孔内，N型衬底下表面覆盖背面电极。本实用新型采用4层光罩层数，相比现有的6‑7层的光罩技术，减少了光罩层数，在保证性能的前提下，有效降低了制造成本。

主权项：1.一种超低功率半导体功率器件，其特征在于，包括半导体基板，所述半导体基板包括重掺杂的N型衬底1和轻掺杂的N型外延层2，第一表面为N型外延层2的上表面，第二表面为N型衬底1的下表面，第二表面覆盖有背面电极19；第一表面开有垂直方向上的第一沟槽3、第二沟槽4和第三沟槽5，第一沟槽3内下半部分、第二沟槽4内、第三沟槽5内填满场氧化层6，场氧化层6内均填充有导电多晶硅7；第一沟槽3的上半部分内壁及其外围的第一表面、第二沟槽4内的场氧化层6上方及其外围的第一表面、第三沟槽5内的场氧化层6上方及其外围的第一表面覆盖有栅氧化层8，第一沟槽3的栅氧化层8内填满栅极多晶硅9，栅氧化层8上方覆盖氧化层11，第一沟槽3外围的第一表面下方、第二沟槽4外围的第一表面下方、第三沟槽5外围的第一表面下方均设置有P-型杂质注入层10；第一沟槽3外围的氧化层11上方覆盖有源极金属17，该源极金属17向下延伸至第一源极孔12内，所述第一源极孔12贯穿氧化层11、栅氧化层8直至第一沟槽3外围的P-型杂质注入层10的上部；第一沟槽3上方覆盖有栅极金属18，该栅极金属18向下延伸至栅极孔14内，所述栅极孔14贯穿氧化层11直至栅极多晶硅9；第二沟槽4上方覆盖有源极金属17，该源极金属17向下延伸至第二源极孔13内，所述第二源极孔13贯穿氧化层11、栅氧化层8、第二沟槽4内上半部分的场氧化层6直至第二沟槽4内的导电多晶硅7；且所述源极金属17与栅极金属18之间不相连；第一源极孔12与第一沟槽3之间、第一源极孔12与第二沟槽4之间设置N+型杂质层15，第一源极孔12底部设置P+型杂质层16。

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