申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-11-08

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN210607187U

主分类号：H01L21/308(20060101)

分类号：H01L21/308(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L27/105(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.22#授权

摘要：一种存储器，所述存储器包括：衬底，所述衬底包括阵列区域；所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；所述各个分立有源区通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。上述存储器可靠性提高。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括阵列区域；所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；所述各个分立有源区通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器

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