申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-11-08

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN210607188U

主分类号：H01L21/308(20060101)

分类号：H01L21/308(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L27/105(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.22#授权

摘要：一种存储器，所述存储器包括：衬底，所述衬底包括阵列区域和包围所述阵列区域的外围区域；位于所述衬底的阵列区域内的若干阵列排布的分立有源区，位于所述阵列区域边缘的所述分立有源区一端连接至所述衬底的外围区域；各分立有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离。上述存储器可靠性提高。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括阵列区域和包围所述阵列区域的外围区域；位于所述衬底的阵列区域内的若干阵列排布的分立有源区，位于所述阵列区域边缘的所述分立有源区一端连接至所述衬底的外围区域；各分立有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器

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