申请/专利权人:阳光电源股份有限公司
申请日:2019-09-02
公开(公告)日:2020-05-22
公开(公告)号:CN210606823U
主分类号:H01B17/56(20060101)
分类号:H01B17/56(20060101);H01B17/60(20060101);H01B17/64(20060101);H01B5/14(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.05.22#授权
摘要:本实用新型公开了一种半导电层及绝缘结构,半导电层包括:半导电层主体;包覆于半导电层主体内的导电薄膜层,其中,半导电层主体上设置有与导电薄膜层导通的等电位连接点,等电位连接点能够与待连接导体导通。由于在半导电层主体内设置了导电薄膜层,且导电薄膜层与半导电层主体上的等电位连接点导通,等电位连接点与待连接导体导通,因此,半导电层主体能够通过导电薄膜层实现与待连接导体等电位,即本实用新型利用导体等电位解决了半导电层电位不一致的问题,提高了半导电层的等电位效果,进而降低绝缘风险。
主权项:1.一种半导电层,其特征在于,包括:半导电层主体;包覆于所述半导电层主体内的导电薄膜层,其中,所述半导电层主体上设置有与所述导电薄膜层导通的等电位连接点,所述等电位连接点能够与待连接导体导通。
全文数据:
权利要求:
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