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【实用新型】半导电层及绝缘结构_阳光电源股份有限公司_201921451717.2 

申请/专利权人:阳光电源股份有限公司

申请日:2019-09-02

公开(公告)日:2020-05-22

公开(公告)号:CN210606823U

主分类号:H01B17/56(20060101)

分类号:H01B17/56(20060101);H01B17/60(20060101);H01B17/64(20060101);H01B5/14(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.05.22#授权

摘要:本实用新型公开了一种半导电层及绝缘结构,半导电层包括:半导电层主体;包覆于半导电层主体内的导电薄膜层,其中,半导电层主体上设置有与导电薄膜层导通的等电位连接点,等电位连接点能够与待连接导体导通。由于在半导电层主体内设置了导电薄膜层,且导电薄膜层与半导电层主体上的等电位连接点导通,等电位连接点与待连接导体导通,因此,半导电层主体能够通过导电薄膜层实现与待连接导体等电位,即本实用新型利用导体等电位解决了半导电层电位不一致的问题,提高了半导电层的等电位效果,进而降低绝缘风险。

主权项:1.一种半导电层,其特征在于,包括:半导电层主体;包覆于所述半导电层主体内的导电薄膜层,其中,所述半导电层主体上设置有与所述导电薄膜层导通的等电位连接点,所述等电位连接点能够与待连接导体导通。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 阳光电源股份有限公司 半导电层及绝缘结构

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