申请/专利权人:美蓓亚三美株式会社
申请日:2019-11-18
公开(公告)日:2020-05-26
公开(公告)号:CN111198216A
主分类号:G01N27/22(20060101)
分类号:G01N27/22(20060101)
优先权:["20181116 JP 2018-215855"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.10.15#实质审查的生效;2020.05.26#公开
摘要:本发明提供一种检测装置,其目的是提高制造时的成品率。该检测装置具有:半导体基板;检测部,其设置在上述半导体基板的上方,输出与物理量对应的信号;静电放电保护电路,其在上述半导体基板上由MOS晶体管构成;以及虚设图案,其在上述半导体基板上,由与上述静电放电保护电路所包含的栅极电极同样的材料形成。
主权项:1.一种检测装置,其特征在于,具有:半导体基板;检测部,其设置在上述半导体基板的上方,输出与物理量对应的信号;静电放电保护电路,其在上述半导体基板上由MOS晶体管构成;以及虚设图案,其在上述半导体基板上,由与上述静电放电保护电路所包含的栅极电极同样的材料形成。
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