申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2018-11-20

公开（公告）日：2020-05-26

公开（公告）号：CN111199933A

主分类号：H01L23/485(20060101)

分类号：H01L23/485(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.06.19#实质审查的生效;2020.05.26#公开

摘要：本公开是关于一种重布线层结构、重布线层结构的制造方法以及半导体结构。该重布线层结构包括：重布线层，设置于衬底上，所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部；其中，所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。本公开提供的重布线层结构，焊垫部相对导线部具有较厚的厚度，较厚的焊垫部能够在封装金或铜打线时提供较多的撞击缓冲区，以避免衬底受力破裂，同时也避免了在增加焊垫部厚度时而引起增加导线间的寄生电容的问题。

主权项：1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：重布线层，设置于一衬底上，所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部；其中，所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构、重布线层结构及其制造方法

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