申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-10-15

公开（公告）日：2020-05-26

公开（公告）号：CN111201588A

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101);H01L43/12(20060101)

优先权：["20171027 JP 2017-207991"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.21#实质审查的生效;2020.05.26#公开

摘要：本发明提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第1气体的等离子体对多层膜进行蚀刻。第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢。接着，利用内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对多层膜进行蚀刻。第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。

主权项：1.一种蚀刻方法，其是磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的多层膜的蚀刻方法，所述多层膜具有磁性隧道结层，该磁性隧道结层包含第1磁性层及第2磁性层、以及设置在该第1磁性层与该第2磁性层之间的隧道势垒层，在该蚀刻方法中，使用具备腔室主体的等离子体处理装置，该腔室主体提供内部空间，该蚀刻方法包括如下工序：将所述被加工物容纳于所述内部空间中；利用所述内部空间中所生成的第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻，所述第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢；以及利用所述内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻，所述第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法

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