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【发明授权】一种控制切花菊侧枝伸长的方法_北京林业大学_201810067775.9 

申请/专利权人:北京林业大学

申请日:2018-01-24

公开(公告)日:2020-05-26

公开(公告)号:CN108496613B

主分类号:A01G7/04(20060101)

分类号:A01G7/04(20060101);A01G2/10(20180101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.05.26#授权;2018.10.09#实质审查的生效;2018.09.07#公开

摘要:本发明涉及一种控制切花菊侧枝伸长的方法,其为在切花菊的腋芽未全部伸长前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比例为0.05~0.80:1,并保持上述比值至切花初开。本发明通过物理方法调整光质比例,改变菊花植株体内调控分枝的主要激素的合成及信号转导,使控制侧枝伸长相关的基因表达发生了变化,尤其是控制侧枝休眠和伸长的关键整合因子DgBRC1的表达发生变化,进而最终影响了菊花侧枝伸长。本发明有效解决了切花菊生产过程中由于侧枝过多过长而需要人工不断抹芽的突出问题,极大地节约了劳动力成本,操作方法简单易行,实用性强,易于推广。

主权项:1.一种控制切花菊侧枝伸长的方法,其特征在于,在切花菊的腋芽未全部伸长前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比例为0.05~0.80:1,并保持所述比例至切花菊初开;所述切花菊的种类为“神马”;包括如下方法:1将切花菊的插穗扦插于生根基质中培养至生根后,将生根的扦插苗定植于培养器中,在光照密度为160~200μmolm-2s-1,白天温度22~26℃,夜间温度16~20℃的条件下,进行16h的白天光照及8h的夜间黑暗培养;2腋芽未全部伸长前,调整红光和远红光的光密度比例为0.05~0.80:1,其它培养条件不变,培养至进入生殖生长,然后调整光周期为8h白天光照及16h夜间黑暗,保持上述处理条件至开花。

全文数据:一种控制切花菊侧枝伸长的方法技术领域[0001]本发明涉及切花菊的培养技术领域,特别涉及一种通过调整光质来控制切花菊侧枝伸长的物理方法。背景技术[0002]菊花ChrysanthemumXmorifolium是我国十大传统名花和世界四大切花之一,菊花因其丰富的变异类型成为现代花卉育种上的奇迹,在花卉生产中占有十分重要的地位TeixeiradaSilvaetal.,2013。切花菊是我国主要切花和优势出口花卉之一,然而,目前主栽的单头切花菊品种侧芽侧蕾发生严重,制约着切花菊的高效生产。比如主栽的单头切花菊品种‘神马’侧芽侧蕾发生严重,在正常生长条件下,所有叶腋部位的腋芽均能萌发形成侧枝,为控制侧芽伸长形成侧枝而获得只有顶芽主花蕾发育的单头切花菊,生产上采取利用人工在整个生长发育期不断去除侧枝来解决这一问题,一方面极大地增加了生产成本,另一方面如果摘除侧芽侧蕾不及时还会影响切花质量。主栽品种‘神马’的去除侧枝费用己占其生产成本的13以上,并随着人工成本的增加在逐年递增,如何低成本的控制切花菊侧枝伸长成为切花菊高效生产的关键。因此,亟待开发有效的切花菊分枝调控技术。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种控制切花菊侧枝伸长的方法,在切花菊的腋芽未全部伸长前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比例为〇.05〜0.80:1,并保持上述比值至切花菊初开。[0004]本发明发现,光照的调整时机和远红光的比例是影响侧枝伸长的两个重要因素。在腋芽处于休眠状态或部分腋芽萌发伸长时,补充远红光来降低红光的比例的效果显著。在腋芽全部伸长后,即便补充大量的远红光也不再有相应的效果。而且远红光的比例越高,抑制腋芽的萌发伸长的效果越好。[0005]优选的,调整光照环境中红光与远红光的光密度的比例为0.08〜0.50:1。[0006]优选的,在切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比值。[0007]作为优选的方案,本发明的方法包括如下步骤:在切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比例为0.08〜0.50:1,并保持上述比值至切花菊初开。[0008]优选的,所述切花菊的种类为“神马”。[0009]针对于“神马”切花菊,包括如下方法:[0010]1将切花菊的插穗扦插于生根基质中培养至生根后,将生根的扦插苗定植于培养器中,在光照密度为160〜200wnolnf2s'在白天温度22〜26°C,夜间温度16〜20°C的条件下,进行16h白天光照及8h夜间黑暗培养;[0011]2腋芽开始伸长前,调整红光和远红光的光密度比例为〇.05〜0.80:1,其它培养条件不变,进入生殖生长后,调整光周期为8h白天光照及16h夜间黑暗,保持上述处理条件至开花。[0012]优选的,所述步骤2中,调整红光和远红光的光密度比例为〇.〇8〜0.50:1。[0013]优选的,所述步骤2中,在定植培养后至切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前开始调整红光和远红光的比例。[0014]优选的,对于“神马”切花菊,一般在定植培养后一周后开始调整红光和远红光的比例。[0015]优选的,所述切花菊插穗的生根方法具体为:[0016]A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,所述插穗上保留3-5枚展开叶,所述插穗的长度4-6厘米,所述插穗的剪口接近节的下端;[0017]B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂,进行扦插,扦插基质为蛭石与珍珠岩1:1混合物,插后立即喷水,保持插床湿度85〜95%,插床温度18°C以上,培养至生根。[0018]本申请中所述的远红光的波长为735nm,在实验中可通过添加LED灯来增加远红光的光密度。[0019]针对于“神马”,其优选的方案包括如下步骤:[0020]1生根培养:[0021]A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,所述插穗上保留3-5枚展开叶,所述插穗的长度4-6厘米,所述插穗的剪口接近节的下端;[0022]B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂,进行扦插,扦插基质为蛭石与珍珠岩1:1混合物,插后立即喷水,保持插床湿度85〜95%,插床温度18°C以上,培养至生根;[0023]2定植培养:[0024]将生根的扦插苗定植于培养器中,在光照密度为160〜SOOwnoln^s—1,在白天温度22〜26°C,夜间温度16〜20°C的条件下,进行16h白天光照及8h夜间黑暗培养;[0025]3远红光处理[0026]定植培养至切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前,调整红光和远红光的光密度比例为0•0S〜0•5〇:1,其它培养条件不变,培养至进入生殖生长,然后调整光周期为8h光照及16h黑暗,保持上述处理条件至开花。[0027]本发明的方法具有如下有益效果:[0028]光照是调节植物形态建成的一个重要环境信号,当菊花感受到红光和远红光比例降低时,植株体内调控分枝的主要激素合成、运输及信号转导相关基因以及与侧枝伸长相关的基因表达发生变化,导致激素含量和分布发生改变,促使菊花产生庇荫响应,尤其是导致菊花叶腋处控制腋芽休眠的关键转录因子DgBRCl表达极显著上升,抑制了腋芽的萌发和伸长,最终导致分枝数减少侧枝长度缩短,达到控制侧枝伸长的目的。[0029]采用本发明所提供的方法,能有效缩短和降低切花菊侧枝数目和长度,大大降低切花菊生产中人工去除侧枝的频率和强度,降低切花菊生产成本。本发明的优势在于采用物理方法,仅需在正常生长环境中利用LED灯补充远红光,环保无污染,操作简便,便于生产者大规模的使用。附图说明[0030]图1A为对比例1中去叶前整株的生产情况;[0031]图1B为实施例2中去叶前整株生长情况;[0032]图1C为实施例1中去叶前整株生长情况;[0033]图1D为对比例1中去叶后植株腋芽伸长情况;[0034]图1E为实施例2中去叶后植株腋芽伸长情况;[0035]图1F为实施例1中去叶后植株腋芽伸长情况。[0036]图2为补充远红光处理8h菊花腋芽中DgBRCl基因表达情况。具体实施方式[0037]以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。[0038]实施例中所使用的切花菊品种为‘神马’。[0039]实施例1[0040]本实施例涉及一种通过调控红光和远红光的比例来控制切花菊侧枝生长的方法,包括如下步骤:[0041]1生根培养[0042]A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,插穗保留3_5枚展开叶,长度4-6厘米,剪口接近节的下端。[0043]B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂处理进行扦插,扦插基质为蛭石与珍珠岩1:1混合,插后立即喷水,保持插床湿度90%左右,插床温度18°C以上,15天后生根。[0044]2定植培养[0045]将生根后的“神马”苗后转移入12cmX12cm的营养杯花盆中定植;将上述定植好的扦插苗在光照密度为18〇wn〇1nfS—1,夜间温度18°C,白天温度24°C的条件下,保持16h白天光照及8h夜间黑暗条件进行培养;[0046]3远红光处理[0047]定植培养一周后,此时腋芽尚处于休眠状态而未萌发伸长,取50株移入补充远红外灯管的培养环境中,调整红光和远红光的光密度比例为0•〇8:1,其它培养条件不变,继续进行培养。培养至进入生殖生长后,调整光周期为8h光照及leh黑暗,持续上述处理至开花,培养过程中每周浇一次缓释肥。[0048]统计生长一个月后的数据,腋芽萌发和伸长受到极大抑制,仅有极个别叶腋处腋芽萌发伸长,大部分叶腋部位腋芽不萌发,侧枝长度仅为对比例1植株侧枝长度的32.9%。附图1C和图1F[0049]图2为DgBRCl基因的表达情况。DgBRCl基因特异性的在菊花腋芽中表达,并能够整合激素和环境刺激信号抑制腋芽伸长。W+FR为补充远红光处理,W为对照。补充远红光处理后8h,菊花腋芽中DgBRCl基因表达显著升高,表明腋芽伸长被抑制。[0050]实施例2[0051]本实施例涉及通过调控红光和远红光的比例来控制切花菊侧枝生长的方法,与实施例1相比,其区别在于,所述步骤3中,调整红光和远红光的比例为〇.50:1。[0052]统计生长一个月后的数据,腋芽萌发和伸长受到抑制,腋芽萌发数目为对比例1的48.8%,长度为对比例1的59.2%见附图13和图1©。[0053]实施例3[0054]本实施例涉及通过调控红光和远红光的比例来控制切花菊侧枝生长的方法,与实施例1相比,其区别在于,步骤3中培养至“神马”的部分腋芽开始萌发伸长时此时“神马”约生长至45cm,调整红光和远红光的光密度比例为〇.08:1。[0055]统计处理两周后的数据,菊花腋芽生长受抑制,腋芽长度显著低于对照环境中生长的植株,仅为对比例1中生长植株腋芽长度的58.5%。[0056]对比例1[0057]与实施例1相比,其区别在于,不改变远红光的比例,保持步骤1的培养条件至开花,其具体操作为:[0058]1生根培养[0059]A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,插穗保留3-5枚展开叶,长度4-6厘米,剪口接近节的下端。[0060]B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂处理进行扦插,扦插基质为蛭石与珍珠岩1:1混合,插后立即喷水,保持插床湿度90%左右,插床温度18°C以上,15天后生根。[0061]2定植培养[0062]将生根后的“神马”苗转移入12cmX12cm的营养杯花盆中定植;将上述定植好的扦插苗在光照密度为ISOwnolnf2s'夜间温度18°C,白天温度24°C的条件下,保持16h白天光照及8h夜间黑暗条件进行培养。[0063]3生长2个月后开始生殖生长,此时调整光周期为8h-光照16h-黑暗,其他培养条件不变,培养到开花。[0064]在此条件下,大量的腋芽正常地萌发和伸长,生长出大量的侧枝,影响终的效果见图1A和图1D。[0065]对比例2[0066]与实施例3相比,其区别在于,在所有腋芽开始伸长后调整红光和远红光的光密度比例为0.08:1。[0067]统计处理两周后的数据,在补充远红光处理环境中生长的菊花腋芽和对照环境中生长的菊花腋芽长度几乎一致,表明待腋芽开始萌发伸长后再补充远红光处理几乎无效果,因此,在实际操作时,补充远红光处理时期不应太晚。[0068]虽然,上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验,对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

权利要求:1.一种控制切花菊侧枝伸长的方法,其特征在于,在切花菊的腋芽未全部伸长前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比例为0.05〜0.80:1,并保持上述比值至切花菊初开。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调整光照环境中红光与远红光的光密度的比例为0.08〜0.5:1。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前,调整光照环境中红光与远红光的光密度比值。4.根据权利要求1〜3任一项所述的方法,其特征在于,所述切花菊的种类为“神马”。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,包括如下方法:1将切花菊的插穗扦插于生根基质中培养至生根后,将生根的扦插苗定植于培养器中,在光照密度为160〜200_〇1n^s—1,白天温度22〜26°C,夜间温度16〜20°C的条件下,进行16h的白天光照及8h的夜间黑暗培养;2腋芽未全部伸长前,调整红光和远红光的光密度比例为0.05〜0•80:1,其它培养条件不变,培养至进入生殖生长,然后调整光周期为8h白天光照及16h夜间黑暗,保持上述处理条件至开花。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤2中,调整红光和远红光的光密度比例为0.08〜0.50:1。7.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述步骤2中,在定植培养后至切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前开始调整红光和远红光的比例。8.根据权利要求5〜7任一项所述的方法,其特征在于,所述切花菊插穗的生根方法具体为:A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,所述插穗上保留3-5枚展开叶,所述插穗的长度4-6厘米,所述插穗的剪口接近节的下端;B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂,进行扦插,扦插基质为經石与珍珠岩1:1混合物,插后立即喷水,保持插床湿度85〜95%,插床温度18°C以上,培养至生根。9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:1生根培养A、剪取‘神马’母株顶梢作为插穗,所述插穗上保留3-5枚展开叶,所述插穗的长度4-6厘米,所述插穗的剪口接近节的下端;B、将剪取的插穗放入百菌清1000倍液的水中浸泡吸水10-15分钟后蘸生根剂,进行扦插,扦插基质为蛭石与珍珠岩1:1混合物,插后立即喷水,保持插床湿度85〜95%,插床温度18°C以上,培养至生根;2定植培养将生根的扦插苗定植于培养器中,在光照密度为160〜200wn〇lnf2s'在白天温度22〜26°C,夜间温度I6〜20°C的条件下,进行16h白天光照及8h夜间黑暗培养;3远红光处理定植培养至切花菊的腋芽尚处于休眠状态而未萌发前,调整红光和远红光的光密度比例为0.08〜0•5〇:1,其它培养条件不变,培养至进入生殖生长,然后调整光周期为8h白天光照及16h夜间黑暗,保持上述处理条件至开花。

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