申请/专利权人:上海华力微电子有限公司
申请日:2020-03-27
公开(公告)日:2020-06-05
公开(公告)号:CN111244104A
主分类号:H01L27/1157(20170101)
分类号:H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.09.15#授权;2020.06.30#实质审查的生效;2020.06.05#公开
摘要:本发明提供一种SONOS存储器及其制作方法。所述SONOS存储器的制作方法包括提供半导体基底,再刻蚀半导体基底上依次形成的ONO层、栅氧化层和栅极材料层,得到存储管栅极叠层和选择管栅极叠层,然后在各栅极叠层侧面形成侧墙,再在露出的半导体基底表面上形成外延层,接着在外延层表面以及存储管栅极叠层和选择管栅极叠层的上表面形成金属硅化物层。由于在外延层上形成金属硅化物层,金属硅化物层与各栅极叠层下的沟道区不在同一高度上,可以避免因金属硅化物扩延导致的存储器沟道区漏电,从而可以避免由于沟道区漏电干扰而导致的存储器失效的问题,可以提升SONOS存储器的可靠性和生产良率。本发明还提供一种SONOS存储器。
主权项:1.一种SONOS存储器的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体基底,所述半导体基底表面包括存储管区、选择管区和位于所述存储管区与所述选择管区之间的节间区,所述存储管区的半导体基底表面上形成有ONO层,所述选择管区的半导体基底表面上形成有栅氧化层,所述ONO层和所述栅氧化层在所述节间区相接,在所述半导体基底表面还形成有栅极材料层,所述栅极材料层覆盖所述ONO层和所述栅氧化层的表面;执行刻蚀工艺,刻蚀所述栅极材料层、所述ONO层和所述栅氧化层,直至露出所述半导体基底的表面,在所述存储管区得到存储管栅极叠层,并在所述选择管区得到选择管栅极叠层;在所述存储管栅极叠层和所述选择管栅极叠层的侧面形成侧墙;执行外延工艺,在露出的所述半导体基底表面形成外延层;以及执行硅化物工艺,在所述外延层表面以及所述存储管栅极叠层和所述选择管栅极叠层的上表面形成金属硅化物层。
全文数据:
权利要求:
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