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【发明授权】具有分离氮化物存储层的SONOS堆栈_经度快闪存储解决方案有限责任公司_201380016882.4 

申请/专利权人:经度快闪存储解决方案有限责任公司

申请日:2013-03-08

公开(公告)日:2020-06-12

公开(公告)号:CN104254921B

主分类号:H01L29/792(20060101)

分类号:H01L29/792(20060101)

优先权:["20120327 US 13/431,069"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.06.12#授权;2015.01.21#实质审查的生效;2014.12.31#公开

摘要:描述了包括分离电荷俘获区的非平面存储设备和形成所述非平面存储设备的方法的实施例。通常所述设备包括:由覆盖在衬底的表面的半导体材料的薄膜形成的沟道,所述沟道连接存储设备的源极和漏极;覆盖沟道的隧道氧化物;覆盖隧道氧化物的分离电荷俘获区,分离电荷俘获区包括底部电荷俘获层和顶部电荷俘获层,底部电荷俘获层包括更靠近隧道氧化物的氮化物,其中,底部电荷俘获层被包含氧化物的薄的反隧穿层从顶部电荷俘获层分开。本申请还公开了其它的实施例。

主权项:1.一种存储设备,包括:沟道,所述沟道由覆盖基于硅的半导体材料的衬底上的表面的半导体材料的薄膜形成,所述沟道连接所述存储设备的源极和漏极,其中绝缘层设置在所述衬底的所述表面和所述沟道之间;隧道氧化物,所述隧道氧化物覆盖所述沟道;分离电荷俘获区,所述分离电荷俘获区覆盖所述隧道氧化物,所述分离电荷俘获区包括底部电荷俘获层和顶部电荷俘获层,所述底部电荷俘获层包括更靠近于所述隧道氧化物的氮化物,其中所述底部电荷俘获层被包括氧化物的薄的反隧穿层从所述顶部电荷俘获层分开,其中,所述隧道氧化物和所述分离电荷俘获区被布置成在所述沟道的三个侧面上包围,以及其中,所述顶部电荷俘获层包括富硅、贫氧氮化物,所述底部电荷俘获层包括富氧氮化物,并且还包括覆盖所述分离电荷俘获区的阻挡介电层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 经度快闪存储解决方案有限责任公司 具有分离氮化物存储层的SONOS堆栈

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