申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2018-12-07

公开（公告）日：2020-06-16

公开（公告）号：CN111293213A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.07.10#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要：本发明提供一种基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法，包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层，所述固定磁层为二维磁性材料层、隧穿层，所述隧穿层为二维绝缘材料层，所述隧穿层包含二维绝缘材料层的层数为1～5层、自由磁层，所述自由磁层为二维磁性材料；第二金属过渡层以及第二金属连接层。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的隧穿层为1～5层二维绝缘材料，隧穿层的一致性非常好，大大提高隧穿几率，同时，可以使得固定磁层和自由磁层的磁化方向互不发生强烈影响。

主权项：1.一种基于二维材料的磁性隧穿结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1于基底上形成固定磁层，所述固定磁层为二维磁性材料层；2于所述固定磁层上形成隧穿层，所述隧穿层为二维绝缘材料层，所述隧穿层包含二维绝缘材料层的层数为1～5层；3采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺于所述隧穿层上沉积自由磁层，所述自由磁层为二维磁性材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法

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