申请/专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司

申请日：2020-02-03

公开（公告）日：2020-06-16

公开（公告）号：CN111293189A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/205(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2020.07.10#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要：本发明提供一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，包括：将硅片装入水平插片舟中，使硅片呈水平排列，持续通入保护氮气，升温抽压，通入氧气与硅片表面形成二氧化硅，降温，释放至标准大气压，关闭氧气，通入氮气，出舟。本发明使用水平舟工艺，可以保证气流均匀流畅地通过作业硅片，从而保证硅片表面隧穿氧化层均匀性。

主权项：1.一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：将硅片装入水平插片舟中，使硅片呈水平排列，在设定温度进舟，将装有硅片的石英舟推入LPCVD设备的炉体中，持续通入1L-3Lmin的保护氮气，直至步骤2开始停止通入氮气；步骤2：升温并管内压力抽至100-300Torr，并保持10-20min；步骤3：温度恒温在550-600℃，通入20-30Lmin的氧气，氧气与硅片表面形成二氧化硅，Si+O2＝SiO2；步骤4：将温度降低至530℃，管内压力释放至标准大气压，关闭氧气，通入20-30Lmin氮气，持续10-20min；步骤5：出舟，将装有硅片的石英舟从设备的炉体中拉出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种基于水平放置LPCVD设备的隧穿氧化方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD