申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2018-12-07

公开（公告）日：2020-06-16

公开（公告）号：CN111293212A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/14(20060101);G11C11/16(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.11.16#授权;2020.07.10#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要：本发明提供一种基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，所述第一金属连接层形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、隧穿隔离底层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、隧穿隔离顶层、第二金属过渡层以及第二金属连接层。本发明采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的隧穿隔离层可有效隔绝金属过渡层与固定磁层以及自由磁层，使固定磁层、自由磁层与金属过渡层间没有界面态，以保证固定磁层、自由磁层良好的铁磁性能。

主权项：1.一种基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1提供一CMOS电路基底，于所述CMOS电路基底上形成第一金属连接层并对所述第一金属连接层进行平坦化处理，所述第一金属连接层与所述CMOS电路的MOS管的漏极连接；2于所述第一金属连接层上形成第一金属过渡层；3于所述第一金属过渡层上形成隧穿隔离底层，于所述隧穿隔离底层上形成固定磁层；4于所述固定磁层上形成隧穿层；5采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺于所述隧穿层上沉积自由磁层，于所述自由磁层上形成隧穿隔离顶层；6于所述隧穿隔离顶层上形成第二金属过渡层；7于所述第二金属过渡层上形成第二金属连接层；8图形化刻蚀所述第二金属连接层、第二金属过渡层、隧穿隔离底层、自由磁层、隧穿层、固定磁层、隧穿隔离顶层、第一金属过渡层及第一金属连接层，以形成柱形结构的磁性隧穿结器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法

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