申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日:2018-12-07
公开(公告)日:2020-06-16
公开(公告)号:CN111293215A
主分类号:H01L43/12(20060101)
分类号:H01L43/12(20060101);H01L43/10(20060101);H01L27/22(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/06(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态:2023.10.27#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.07.10#实质审查的生效;2020.06.16#公开
摘要:本发明提供一种基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法,该器件包括:第一金属连接层,形成于一CMOS电路基底上,且与MOS管的漏极连接;第一金属过渡层;固定磁层;隧穿层;自由磁层,所述自由磁层为二维铁磁材料层;第二金属过渡层;第二金属连接层。本发明在制作完隧穿层之后,采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层,相比于溅射工艺来说,可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤,提高隧穿层的质量。本发明的自由磁层为二维铁磁材料层,其厚度较薄,一方面可以提高磁性隧穿结器件的磁化取向速度,另一方面可以获得较为轻薄的磁性隧穿结器件。
主权项:1.一种基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:1于基底上形成固定磁层;2于所述固定磁层上形成隧穿层;3采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺于所述隧穿层上沉积自由磁层,所述自由磁层为二维铁磁材料层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法
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