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【发明公布】基于柔性衬底的磁性隧穿结器件及其制作方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_201811495201.8 

申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日:2018-12-07

公开(公告)日:2020-06-16

公开(公告)号:CN111293214A

主分类号:H01L43/12(20060101)

分类号:H01L43/12(20060101);H01L43/08(20060101);H01L27/22(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.01.13#发明专利申请公布后的驳回;2020.07.10#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要:本发明提供一种基于柔性衬底的磁性隧穿结器件及其制作方法,该器件包括:第一金属连接层,形成于一柔性CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、第二金属过渡层以及第二金属连接层。本发明采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层,可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤,提高隧穿层的质量。本发明的固定磁层及自由磁层为二维铁磁材料层,其厚度较薄,一方面可以提高磁性隧穿结器件的磁化取向速度,另一方面可以获得较为轻薄的磁性隧穿结器件。本发明可以将磁性隧穿结器件直接制备于柔性衬底电路上,减小了器件制备成本,扩大了其应用范围。

主权项:1.一种基于柔性衬底的磁性隧穿结器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:1提供一CMOS电路基底,所述CMOS电路基底包括柔性衬底、位于所述柔性衬底上的CMOS电路层以及覆盖于所述CMOS电路层的柔性介质层,于所述CMOS电路基底上形成第一金属连接层并对所述第一金属连接层进行平坦化处理,所述第一金属连接层与所述CMOS电路的MOS管的漏极连接;2于所述第一金属连接层上形成第一金属过渡层;3于所述第一金属过渡层上形成固定磁层,所述固定磁层为二维磁性材料层;4于所述固定磁层上形成隧穿层,所述隧穿层为二维绝缘材料层;5采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺于所述隧穿层上沉积自由磁层,所述自由磁层为二维磁性材料;6于所述自由磁层上形成第二金属过渡层;7于所述第二金属过渡层上形成第二金属连接层;8图形化刻蚀所述第二金属连接层、第二金属过渡层、隧穿隔离底层、自由磁层、隧穿层、固定磁层、隧穿隔离顶层、第一金属过渡层及第一金属连接层,以形成柱形结构的磁性隧穿结器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于柔性衬底的磁性隧穿结器件及其制作方法

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