申请/专利权人:江苏国网自控科技股份有限公司
申请日:2019-12-02
公开(公告)日:2020-06-16
公开(公告)号:CN210780610U
主分类号:H02P5/68(20060101)
分类号:H02P5/68(20060101);H02H3/08(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.06.16#授权
摘要:本实用新型公开了一种基于单MOSFET斩波的驱动电路,其包括将市电整流降压后输出至待驱动电机模块的整流桥电路、微控制器、检测所述整流桥电路输出电压并将其传输给所述微控制器的光耦隔离模块、设置在所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上的MOSFET晶体管、一与门逻辑器、与所述与门逻辑器输出端连接且驱动所述MOSFET晶体管的MOSFET驱动电路,所述微控制器的PWM输出信号与一MOSFET保护电路的输出信号接入所述与门逻辑器的两路输入端。本实用新型控制方便,短路保护动作更加迅速,可靠性更高,降低能耗,同时减少了元件数量,成本得到降低。
主权项:1.一种基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:其包括将市电整流降压后输出至待驱动电机模块的整流桥电路、微控制器、检测所述整流桥电路输出电压并将其传输给所述微控制器的光耦隔离模块、设置在所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上的MOSFET晶体管、一与门逻辑器、与所述与门逻辑器输出端连接且驱动所述MOSFET晶体管的MOSFET驱动电路,所述微控制器的PWM输出信号与一MOSFET保护电路的输出信号接入所述与门逻辑器的两路输入端。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江苏国网自控科技股份有限公司 一种基于单MOSFET斩波的驱动电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。