申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2019-11-19

公开（公告）日：2020-06-19

公开（公告）号：CN111312851A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/108(20060101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.11.01#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要：本发明公开了一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法，包括，S1在Si衬底上沉积5‑25nm厚的Ni金属层；S2采用等离子体辅助化学气相沉积法制备AlN一维材料；S3在AlN一维材料上光刻出所需的叉指电极图形；S4在叉指电极图形蒸镀TiNiAu电极，与AlN一维材料形成肖特基接触，并剥离出叉指电极，得到AlN纳米线探测器。本发明在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，运用该工艺重现性和可控性良好，同时器件的制备加工也相对容易，推动了紫外探测技术的发展。

主权项：1.一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1在Si衬底上沉积5-25nm厚的Ni金属层；S2采用等离子体辅助化学气相沉积法制备AlN一维材料；S3在AlN一维材料上光刻出所需的叉指电极图形；S4在叉指电极图形蒸镀TiNiAu电极，与AlN一维材料形成肖特基接触，并剥离出叉指电极，得到AlN纳米线探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法

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