申请/专利权人：株式会社斯库林集团

申请日：2019-12-11

公开（公告）日：2020-06-19

公开（公告）号：CN111312617A

主分类号：H01L21/67(20060101)

分类号：H01L21/67(20060101)

优先权：["20181212 JP 2018-232468","20181212 JP 2018-232317"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要：本发明的课题在于提供一种能够容易地进行热处理条件的条件设定的热处理方法及热处理装置。将收容构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入至热处理装置之后，对各半导体晶圆设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方。接着，测定收容于载具的各半导体晶圆的反射率。基于所设定的制程配方与测定出的半导体晶圆的反射率，估算闪光加热处理时半导体晶圆的到达预测温度，并显示该估算的到达预测温度。因为可将所显示的到达预测温度作为参考来设定处理条件，所以能够容易地进行热处理条件的条件设定。

主权项：1.一种热处理方法，其特征在于，通过对衬底照射闪光来加热该衬底，且具备：制程配方设定工序，对成为处理对象的衬底设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方；反射率测定工序，测定所述衬底的反射率；温度估算工序，基于在所述制程配方设定工序中设定的制程配方与在所述反射率测定工序中测定出的反射率，估算加热处理时的所述衬底的温度；以及显示工序，显示在所述温度估算工序中估算出的所述衬底的温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社斯库林集团 热处理方法及热处理装置

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