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【发明公布】S波段GaN MMIC低噪声放大器_桂林电子科技大学_202010120589.4 

申请/专利权人:桂林电子科技大学

申请日:2020-02-26

公开(公告)日:2020-06-23

公开(公告)号:CN111327277A

主分类号:H03F1/26(20060101)

分类号:H03F1/26(20060101);H03F3/68(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2024.03.15#发明专利申请公布后的驳回;2020.07.17#实质审查的生效;2020.06.23#公开

摘要:本发明公开了一种S波段GaNMMIC低噪声放大器,电路结构包括:第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益,提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。

主权项:1.一种S波段GaNMMIC低噪声放大器,其特征在于,所述S波段GaNMMIC低噪声放大器包括第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络、第二级漏极偏置网络、输入匹配网络、级间匹配网络、输出级匹配网络、第一级漏极电阻、第二级栅极电阻和第二级漏极电阻,所述第一级场效应晶体管放大器、所述输入匹配网络和所述第一级栅极偏置网络依次连接,所述第一级场效应晶体管放大器、所述第一级漏极电阻和所述第一级漏极偏置网络依次连接,所述第一级场效应晶体管放大器与所述级间匹配网络连接,所述级间匹配网络与所述第二级栅极电阻和所述第二级场效应晶体管放大器连接,所述第二级场效应晶体管放大器与所述输出级匹配网络连接,所述输出级匹配网络与所述第二级漏极偏置网络和所述第二级漏极电阻连接,所述第二级栅极电阻与所述第二级栅极偏置网络连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 桂林电子科技大学 S波段GaN MMIC低噪声放大器

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