申请/专利权人：索尼公司

申请日：2015-10-26

公开（公告）日：2020-06-23

公开（公告）号：CN107211505B

主分类号：H01L51/50(20060101)

分类号：H01L51/50(20060101);H05B33/24(20060101);G09F9/30(20060101);H01L27/32(20060101);H05B33/02(20060101);H05B33/12(20060101);H05B33/22(20060101);H05B33/26(20060101);H05B33/28(20060101)

优先权：["20150203 JP 2015-019391"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.23#授权;2018.02.16#实质审查的生效;2017.09.26#公开

摘要：根据本文公开的本发明的显示装置通过将反光板和半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处来构造共振器结构。在该共振器结构中，包括发光层的发光功能层、透明阴极电极以及保护所述阴极电极的保护膜按该顺序层压在反光板与半透射板之间。此外，半透射板形成在保护膜上。

主权项：1.一种显示装置，包括：像素阵列区域，包括多个像素；所述多个像素中的至少一个包括：红色子像素，绿色子像素和蓝色子像素，沿着第一方向布置的用于红色子像素的第一反光板、用于绿色子像素的第二反光板和用于蓝色子像素的第三反光板；半透射板，包括上表面和下表面，上表面和下表面在第一方向上平行延伸，下表面更靠近第一反光板、第二反光板和第三反光板，并且下表面在第一反光板、第二反光板和第三反光板上沿着第一方向上的直线连续延伸；发光功能层，包括分别对应于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的发光层；透明的阴极电极，沿着第一方向延伸；以及保护膜，在所述阴极电极上；其中，所述发光功能层、所述阴极电极以及所述保护膜沿垂直于所述第一方向的第二方向被布置在反光板与所述半透射板之间，至少保护膜的上表面在第一反光板、第二反光板和第三反光板上与所述半透射板的所述直线和所述下表面平行地连续延伸；所述第一反光板、第二反光板和第三反光板分别沿着第二方向被布置在距半透射板三个不同距离处；并且所述半透射板形成在所述保护膜上。

全文数据：显示装置及电子设备技术领域[0001]本公开涉及显示装置和电子设备。背景技术[0002]存在使用有机电致发光EL元件S卩，自发光元件作为像素的发光元件的有机El显示装置。在这种有机EL显示装置中，采用通过共振效应来强调具有特定波长的光的共振器结构，使能够扩大色域并提高发光效率例如，参考专利文献1。[0003]在专利文献1所描述的显示装置中，阳极电极是半透射电极，并且层间膜设置在阳极电极与反光板之间。层间膜的膜厚度被改变，以便由此改变作为半透射电极的阳极电极与反光板之间的光路径长度。随后，通过半透射电极（阳极电极与反光板之间的共振效应针对每个像素改变发光颜色。[0004]文献列表[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本专利申请公开第2009-135081号发明内容[0007]本发明要解决的问题[0008]为了最大化利用采用共振器结构的上述显示装置中的共振效应，必须抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。然而，在专利文献1所描述的显示装置中，半透射电极与反光板之间的光路径长度通过改变介在阳极电极与反光板之间的层间膜的膜厚度而改变。因此，最终光路径长度仅通过不能被处理的发光功能层的膜形成来确定。这使得即使存在最终光路径长度的变化，也难以调节最终光路径长度。因此，不可能最大化利用共振效应，从而产生色域和发光效率的变化。[0009]因此，本公开的目标是提供允许最大化利用共振效应并且进一步增强共振效应的显示装置，并且提供包括该显示装置的电子设备。[0010]问题的解决方案[0011]在根据本公开的实现以上目标的显示装置中，反光板和半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处。包括发光层的发光功能层、透明阴极电极以及保护阴极电极的保护膜按顺序层压在反光板与半透射板之间。半透射板形成在保护膜上。此外，根据本公开的实现以上目标的电子设备包括如上配置的显示装置。[0012]如上配置的显示装置或包括显示装置的电子设备具有如下结构：其中，阴极电极布置在发光功能层上，半透射板通过保护膜布置在阴极电极上，并且在反光板与半透射板之间获得共振效应，反光板与半透射板之间的距离针对每种发光颜色不同。根据该结构，在形成保护膜之后形成半透射板，并且反光板与半透射板之间的最终光路径长度可通过处理保护膜来确定。因此，共振器结构的最终光路径长度的变化可被抑制。[0013]本发明的效果[0014]根据本公开，能够抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。因此，能够最大化利用共振效应并进一步增强共振效应。应注意，效果不必限于本文描述的那些，并且效果可以是说明书中描述的任意效果。此外，在说明书中描述的效果仅是示例性的。效果不限于那些效果并且可存在额外效果。附图说明[0015]图1是示意性示出作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置的基本配置的系统配置图。[0016]图2是示出2Tr2C的单位像素像素电路的电路配置的电路图。[0017]图3是示出根据具有共振器结构的三个RGB子像素的传统实例的像素结构的截面图。[0018]图4是示出具有典型串联tandem结构的白色有机EL元件的示例性结构的主要部分的截面图。[0019]图5是示出根据具有共振器结构的三个RGB子像素的第一实施方式的像素结构的截面图。[0020]图6是示出根据具有共振器结构的三个RGB子像素的第二实施方式的像素结构的截面图。[0021]图7是示出镜头可互换的单镜头反光式数字静态照相机的外观图；图7A是其前视图并且图7B是其后视图。[0022]图8是头戴式显示器的外观图。[0023]用于执行本发明的模式[0024]在下文中，将参考附图描述用于执行根据本公开的技术的模式在下文中被描述为“实施方式”）。根据本公开的技术不限于实施方式，并且实施方式中的各种数值、材料等是示例性的。在以下描述中，相同部件或具有相同功能的部件将由相同参考符号表示，并且其重复描述将被省略。应注意，描述将按以下顺序进行。[0025]1.关于根据本公开的显示装置和电子设备的一般描述[0026]2.作为本公开的前提的显示装置[0027]2-1.系统结构[0028]2-2.像素电路[0029]2-3.共振器结构[0030]3•本公开的一个实施方式[0031]3-1.第一实施方式[0032]3-2.第二实施方式[0033]4•电子设备[0034]〈关于根据本公开的显示装置和电子设备的一般描述〉[0035]根据本公开的显示装置以及包括显示装置的电子设备包括共振器结构，在该共振器结构中，在半透射板与反光板之间获得共振效应，该半透射板与反光板之间的距离针对每种发光颜色不同。不同颜色的光具有不同波长。因此，在共振器结构中，使得每种颜色的谱峰波长与半透射板与反光板之间的光路径长度相匹配，因此从每种颜色中提取最强的光。在发光功能层中产生的光重复半透射板与反光板之间的反射。随后，只有具有与光路径长度相匹配的波长的光被共振并强调，同时具有与光路径长度不匹配的波长的其他光被削弱。因此，提取至外部的光的光谱变得陡峭且高度密集，并且亮度和色纯度变得优异。[0036]在根据本公开的包括上述优选结构的显示装置和电子设备中，对于每种发光颜色，保护膜的膜厚度不同的结构是可能的。利用对于每种发光颜色保护膜的膜厚度不同，可以针对每种发光颜色优化构成共振器结构的半透射板与反光板之间的光路径长度。此外，透明阳极电极设置在反光板与发光功能层之间的结构是可能的。替换地，将反光板用作阳极电极即，它用作反光板和阳极电极的结构是可能的。[0037]替换地，在根据本公开的包括上述优选结构的显示装置和电子设备中，层间膜设置在反光板与发光功能层之间并且对于每种发光颜色层间膜的膜厚度不同的结构是可能的。利用对于每种发光颜色层间膜的膜厚度不同，可以针对每种发光颜色优化构成共振器结构的半透射板与反光板之间的光路径长度。此外，透明阳极电极设置在层间膜与发光功能层之间的结构是可能的。[0038]根据本公开的显示装置是彩色显示装置，在该彩色显示装置中，包括多个子像素各自具有不同发光颜色）的单位像素被布置为矩阵。在彩色显示装置中，一个像素包括三个子像素（即，发射红光的红色发光子像素、发射绿光的绿色发光子像素以及发射蓝光的蓝色发光子像素），或者四个或更多个子像素。[0039]在这种彩色显示装置中，发光功能层发射白光的结构是可能的。此外，通过层压发射红光的红色发光功能层、发射绿光的绿色发光功能层以及发射蓝光的蓝色发光功能层而形成发光功能层的结构是可能的。[0040]在发光功能层发出白光的彩色显示装置中，包括滤色器并且每种彩色发光子像素包括白色发光元件和滤色器的组合的结构是可能的。替代地，通过共振器结构而不使用滤色器来提取针对每种子像素的红光、绿光以及蓝光的结构是可能的。[0041]在根据本公开的包括上述优选结构的显示装置和电子设备中，显示装置是具有发光单元发光元件的有机电致发光EL显示装置的结构是可能的，该发光单元具有多个包括有机EL元件的子像素。即，在有机EL显示装置中，子像素包括有机EL元件。[0042]有机EL显示装置可用作例如，构成个人计算机、数码照相机或数字静态照相机的监控设备。另外，有机EL显示装置可用作内置于电视接收器、手机听筒、个人数字助理PDA或游戏机中的监视设备。替代地，有机EL显示装置可被应用至电子取景器EVF和头戴式显示器HMD。进一步替代地，有机EL显示装置可应用至包括用于液晶显示装置或平面光源设备的背光设备的其他照明设备。[0043]在有机EL元件中，作为发光功能层的有机层包括发光层例如，由有机发光材料制成的发光层）。具体地，该有机层可包括例如，包括空穴传输层、发光层和电子传输层的层压结构，包括空穴传输层和还用作电子传输层的发光层的层压结构，或者包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的层压结构。此外，在那些层压结构等处于串联单元的情况下，有机层可包括第一串联单元、连接层和第二串联单元层压的两层串联结构，并且此外，可包括三个或更多个串联单元层压的三层或更多层串联结构。在那些情况下，对于每个串联单元，可以通过改变发光颜色（g卩，红色、绿色和蓝色获得通常发出白光的有机层。[0044]形成有机层的方法的实例包括:物理气相沉积方法PVD方法），诸如真空蒸发方法;印刷方法，诸如丝网印刷法和喷墨印刷法;激光转印法；以及各种应用方法。在激光转印法中，利用激光照射包括形成在转印基板上的激光吸收层和有机层的层压结构，从而分离激光吸收层上的有机层并且转印有机层。在使用真空蒸发方法形成有机层的情况下，可通过例如使用所谓的金属掩膜并且对穿过设置在该金属掩膜上的开口的材料进行沉积来获得有机层，或者有机层可形成在没有图案化的整个表面上。[0045]〈作为本公开的前提的显示装置〉[0046][系统配置][0047]图1是示意性示出作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置的基本配置的系统配置图。[0048]有源矩阵显示装置是通过设置在与发光单元相同的像素中的有源元件例如，绝缘栅场效应晶体管来驱动发光单元发光元件）的显示装置。通常，薄膜晶体管TFT可用作绝缘栅场效应晶体管。[0049]这里，在举例（作为示例）说明有源矩阵有机EL显示装置在其中，单位像素像素电路的发光单元发光元件包括有机EL元件的情况的同时进行描述。有机EL元件是电流驱动型电光元件，其发光亮度根据流过装置的电流的值而变化。在下文中，在一些情况下，“单位像素像素电路”仅被描述为“像素”。[0050]如图1所示，作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示装置10包括像素阵列单元30和驱动单元外围电路）。像素阵列单元30通过以矩阵二维矩阵二维地设置多个单位像素20而形成。驱动单元布置在像素阵列单元30周围的区域中，并且驱动像素20。驱动单元包括例如，写入扫描单元40、电源供给扫描单元50、信号输出单元60等，并且驱动像素阵列单元30中的每个像素20。[0051]在本实施方式中，作为像素阵列单元30的外围电路，写入扫描单元40、电源供给扫描单元50和信号输出单元60安装在与像素阵列单元30相同的基板上，S卩，安装在显示面板70上。然而，可采用如下配置，其中，写入扫描单元40、电源供给扫描单元50和信号输出单元60中的一些或所有设置在显示面板70外部。此外，写入扫描单元40和电源供给扫描单元50均布置在像素阵列单元30的一侧上。然而，可采用如下配置，其中，写入扫描单元40和电源供给扫描单元5〇在夹住像素阵列单元30的同时，布置在像素阵列单元30的两侧上。作为显示面板70的基板，可使用诸如玻璃基板的透明绝缘基板或者可使用诸如硅基板的半导体基板。[0052]在支持彩色显示的有机EL显示装置10中，作为形成彩色图像的单位的一个像素单位像素包括多个颜色的子像素。此时，子像素中的每一个与图1中的像素20相对应。更具体地，在支持彩色显示的显示装置中，一个像素包括例如，三个子像素，即，红色I?发光子像素、绿色⑹发光子像素以及蓝色⑻发光子像素。[0053]然而，一个像素的配置不限于三原色RGB中的子像素的组合。一个像素可被配置为将一个颜色中的子像素或多个颜色中的子像素进一步添加至三原色中的子像素。更具体地，例如，为了提高亮度，可以通过添加白色W发光子像素来配置一个像素。此外，为了扩大颜色再现范围，可以通过添加至少一个补色发光子像素来配置一个像素。[0054]在像素阵列单元30中，相对于m行n列的像素2〇的阵列，扫描线3131^31^和电源供给线3232iS32m沿着用于每个像素行的行方向（像素行水平方向的像素阵列方向）布线。此外，相对于m行n列的像素2〇的阵列，信号线33331至33„沿着用于每个像素列的列方向像素列垂直方向的像素阵列方向布线。[0055]扫描线311至31„均连接至写入扫描单元40的对应行中的输出端。电源供给线321至32m均连接至电源供给扫描单元5〇的对应行中的输出端。信号线331至33„均连接至信号输出单元60的对应列中的输出端。[0056]写入扫描单元40包括移位寄存器电路等。当视频信号的信号电压被写入像素阵列单元30中的每个像素20时，该写入扫描单元40执行所谓的线顺序扫描（linesequentialscanning。在线顺序扫描中，写入扫描信号依次被提供至扫描线31^^至3U，由此以行为单位依次扫描像素阵列单元30中的每个像素20。[0057]与写入扫描单元40相似，电源供给扫描单元50包括移位寄存器电路等。与通过写入扫描单元40的线顺序扫描同步，该电源供给扫描单元50将电源电压DS〇51至031〇提供至电源供给线32321至32„，电源电压DS051至08„可在第一电源电压Vccp与低于第一电源电压Vccp的第二电源电压Vini之间可切换。如下所述，通过电源电压DS的Vccp与Vini之间的切换来控制像素20的发光非发光淬火。[0058]信号输出单元6〇选择性输出与亮度信息对应的视频信号的信号电压Vsig在下文中，在某些情况下仅被描述为“信号电压”）和参考电压Vofs，信号电压Vsig和参考电压信号提供源未示出）提供。本文，参考电压Vofs是用作视频信号的信号电压Vsig的参考的电压例如，相当于视频信号的黑色电平的电压）。在执行稍后描述的阈值校正处理时，使用该参考电压Vofs。[0059]以由写入扫描电路40扫描而选择的像素行为单位，通过信号线33331至33„将从信号输出单元6〇输出的信号电压Vsig参考电压Vofs写入到像素阵列单元30中的像素20中的每一个。即，信号输出单元60采用以行线为单位写入信号电压Vsig的线顺序写入的驱动形式。[0060][像素电路][0061]图2是示出单位像素像素电路2〇的示例性特定电路配置的电路图。像素20的发光单元包括作为电流驱动型电光元件的实例的有机EL元件21，其发光亮度根据流过该装置的电流的值而改变。[0062]如图2所示，像素20均包括有机EL元件21以及通过使电流通过有机EL元件21来驱动有机EL元件21的驱动电路。有机EL元件21的阴极电极被连接至公共电源线34，该公共电源线34被布线为所有像素20共用。[0063]驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管23、保持电容24以及辅助电容25。即，驱动电路具有包括两个晶体管Tr和两个电容元件C的2Tr2C的电路配置。本文，N沟道薄膜晶体管TFT被用作驱动晶体管22和写入晶体管23。然而，本文示出的驱动晶体管22和写入晶体管23的导电型组合仅是示例，并且电路配置不限于该组合。[0064]驱动晶体管22的一个电极源电极漏电极连接至电源供给线32，并且其另一电极源电极漏电极连接至有机EL元件21的阳极电极。写入晶体管23的一个电极源电极漏电极连接至信号线3333i至3¾，并且其另一电极源电极漏电极连接至驱动晶体管22的栅电极。此外，写入晶体管23的栅电极连接至扫描线31。[0065]在驱动晶体管22和写入晶体管23中，一个电极指电连接至一个源极漏极区域的金属线，并且另一电极指电连接至另一源极漏极区域的金属线。此外，取决于一个电极与另一电极之间的电位关系，一个电极用作源电极或漏电极，并且另一个电极用作漏电极或源电极。[0066]保持电容24的一个电极连接至驱动晶体管22的栅电极，并且其另一电极连接至驱动晶体管22的另一电极和有机EL元件21的阳极电极。辅助电容25的一个电极连接至有机EL元件21的阳极电极，并且其另一电极连接至有机EL元件21的阴极电极，g卩，辅助电容25并联连接至有机EL元件21。[0067]在以上配置中，响应于写入扫描信号WS其在高电压状态下变为有效并且通过扫描线31从写入扫描单元40施加至栅电极），写入晶体管23变为导通状态。因此，写入晶体管23根据亮度信息或参考电压V采样视频信号的信号电压Vsig，并且随后将信号电压Vslg或参考电压乂❿写入像素20中。信号输出单元60在不同时刻通过信号线33提供信号电压Vslg和参考电压V〇fs。由写入晶体管23写入的信号电压Vsig或参考电压Vofs被保持在保持电容24中。[0068]当电源供给线32321至32„1中的电源电压DS处于第一电源电压VCCP时，驱动晶体管22的一个电极用作漏电极并且其另一电极用作源电极，并且驱动晶体管22工作在饱和区域中。因此，驱动晶体管22被提供有来自电源供给线32的电流，并且通过电流驱动来驱动有机EL元件21发光。更具体地，驱动晶体管22工作在饱和区域中，因此，向有机EL元件21与保持电容24中保持的信号电压Vsig的电压值相应的电流值的驱动电流，并且通过电流驱动来驱动有机EL元件21发光。[0069]此外，当电源电压DS从第一电源电压VCCP切换为第二电源电压VinJt，驱动晶体管22的一个电极用作源电极并且其另一电极用作漏电极，并且驱动晶体管22作为开关晶体管操作。因此，驱动晶体管22停止向有机EL元件21提供驱动电流，并且使得有机EL元件21进入不发光状态。即，驱动晶体管22也具有作为控制有机EL元件21的发光不发光的晶体管的作用。[0070]驱动晶体管22的该切换操作允许设置有机EL元件21进入不发光状态的时间周期不发光周期），并且允许控制有机EL元件21的发光周期与不发光周期的比率（占空比）。控制占空比允许减少在一个显示帧周期中的与像素的发光相关的残像模糊。因此，具体地，可进一步提高动态图像的图像质量。[0071]在通过电源供给线32从电源供给扫描单元50选择性提供的第一电源电压和第二电源电压Vini中的第一电源电压V。#是将驱动电流提供至驱动晶体管22以驱动有机EL元件21发光的电源电压。此外，第二电源电压Vini是将反向偏置施加至有机EL元件21的电源电压。当低于参考电压V。fs的电压例如，驱动晶体管22的阈值电压是Vth时，该第二电源电压Vini被设为低于Vdfs-Vth的电压，并且优选地，被设为比V〇fs-Vth足够低的电压。[0072]像素阵列单元30中的每一个像素20具有校正由驱动晶体管22的特性的变化而造成的驱动电流的变化的功能。驱动晶体管22的特性的示例包括驱动晶体管22的阈值电压Vth以及构成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率u在下文中，仅被描述为“驱动晶体管22的迁移率U”）。[0073]通过将驱动晶体管22的栅极电压Vg初始化为参考电压VQfs来校正因阈值电压Vth的变化而造成的驱动电流的变化在下文中，被描述为“阈值校正”）。具体地，存在基于驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始化电压参考电压Vofs，执行将驱动晶体管22的源极电压、改变为通过从初始化电压减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电位的操作。当该操作继续时，驱动晶体管22的栅源极电压Vgs最终收敛为驱动晶体管22的阈值电压Vth。随后，等同于该阈值电压Vth的电压被保持在保持电容24中，因此使得能够在驱动晶体管22由视频信号的信号电压Vsig驱动时，抑制流过驱动晶体管22的漏源极电流Ids对阈值电压Vth的依赖性。[0074]同时，在写入晶体管23变为导通状态并且写入视频信号的信号电压^^时，通过使得电流经由驱动晶体管22穿过保持电容24来校正由迀移率U的变化所造成的驱动电流的变化在下文中，被描述为“迁移率校正”）。换言之，通过利用根据流过驱动晶体管22的电流Ids的反馈量校正量向保持电容24施加负反馈来执行校正。当视频信号通过以上阈值校正被写入时，漏源极电流Ids对阈值电压Vth的依赖性已被消除，并且漏源极电流Ids取决于驱动晶体管22的迀移率u。因此，利用根据流过驱动晶体管22的电流Ids的反馈量，将负反馈施加至驱动晶体管22的漏源极电压Vds。这允许抑制流过驱动晶体管22的漏源极电流Ids对迀移率y的依赖性。[0075][共振器结构][0076]在上述有机EL显示装置10中，其中，包括多个子像素各自具有不同发光颜色）的单位像素2〇被布置为矩阵，采用通过共振效应强调具有特定波长的光的共振器结构以扩大色域并提高发光效率。在下文中，将参考图3描述共振器结构的传统实例。[0077]图3是示出根据具有共振器结构的R红色）、G绿色和B蓝色）的三个子像素20R、20G和20B的传统实例的像素结构的截面图。在根据图3所示的传统实例的像素结构中，阴极电极S1由例如镁Mg和银Ag的合金Mg-Ag合金制成，被配置为也用作半透射板半透射电极），并且设置为对于所有像素子像素共用。阴极电极81形成在作为发光功能层的有机层82上。在阴极电极81上，形成保护阴极电极81的保护膜83。[0078]有机层82是发射白光的白色发光功能层，并且形成在例如由作为透明导电材料的氧化铟锡ITO制成的阳极电极84R、84G和84B上。例如由铝A1和铜Cu的合金Al-Cu合金）制成的反光板85R、85G和85B放置在分别用于子像素20R、20G和20B的阳极电极84R、84G和84B以下。此外，层间膜86插入在阳极电极84R、84G和84B与反光板85R、85G和85B之间。[0079]在根据如上构造的传统实例的像素结构中，使用作为半透射电极的阴极电极81以及反光板85R、85G和85B，形成共振器结构，其在作为白色发光功能层的有机层82处产生光谐振。在该共振器结构中，插入在阳极电极84R、84G和84B与反光板85R、85G和85B之间的层间膜86的膜厚度被改变。通过这样做，对于每种发光颜色，阴极电极81与反光板85R、85G和85B之间的光路径长度被改变并被优化，从而改变每个像素子像素的发光颜色。[0080]为了最大化利用包括子像素20R、20G和20B的具有共振器结构的有机EL显示装置10中的共振效应，必须抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。[0081]然而，在根据如上配置的传统实例的像素结构中，将层间膜86插入在阳极电极84R、84G和84B与反光板85R、85G和85B之间，并且层间膜86的膜厚度被改变。通过这样做，阴极电极81与反光板85R、85G和85B之间的光路径长度被优化。因此，仅通过作为发光功能层并且不能被处理的有机层82的膜形成来确定最终光路径长度。这使得即使存在最终光路径长度的变化，也难以调节最终光路径长度。因此，不可能最大化利用共振效应，由此产生色域和发光效率的变化。[0082]〈本公开的一个实施方式[0083]因此，在本公开的一个实施方式中，为了最大限度地利用共振效应并进一步增强共振效应，在将反光板和半透射板布置在针对每种发光颜色不同的距离处且构成共振器结构的像素结构中，分离阴极电极的功能与半透射板的功能。此外，采用如下配置:其中，作为发光功能层的有机层、透明阴极电极以及保护阴极电极的保护膜按顺序层压在反光板与半透射板之间，并且半透射板形成在保护膜上。[0084]如上所述，在根据本实施方式的像素结构中，阴极电极布置在发光功能层上，半透射板通过保护膜布置在阴极电极上，并且在反光板与半透射板之间获得共振效应，反光板与半透射板之间的距离针对每种发光颜色不同。根据该共振器结构，在形成保护膜之后形成半透射板，并且可通过加工保护膜来确定半透射板与反光板之间的最终光路径长度。因此，可以抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。因此，能够最大限度地利用共振效应并进一步增强共振效应。[0085]作为发光功能层的有机层包括发光层（例如，由有机发光材料制成的发光层）。具体地，该有机层可包括例如，包括空穴传输层、发光层和电子传输层的层压结构，包括空穴传输层和还用作电子传输层的发光层的层压结构，或者包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的层压结构。[0086]此外，在那些层压结构等处于串联单元的情况下，有机层可包括第一串联单元、连接层和第二串联单元层压的两层串联结构，并且此外，可包括三个或更多个串联单元层压的三层或更多层串联结构。在那些情况下，能够通过改变针对每个串联单元的发光颜色即，红色、绿色和蓝色获得通常发射白光的有机层（白色发光功能层），并且通常发射白光的有机层用作串联结构中的白色有机EL元件。[0087]图4是示出具有典型串联结构的白色有机EL元件的示例性结构的主要部分的截面图。在该视图中，对于没有共振器结构的串联结构中的白色有机EL元件，以三层串联结构的情况为例进行了示例，并且示出简化的基本结构以简化附图。此外，示出三个RGB子像素中的两个子像素的像素结构。[0088]在图4中，阳极电极8484R、84G和84B设置在缠绕绝缘膜71的凹部71A的底部处的像素子像素单位中。在该阳极电极84与阴极电极81设置为对于所有像素共用之间的有机层82设置为对于所有像素共用，并且构成白色有机EL元件21W。此外，层间绝缘膜72层压在阴极电极81上。[0089]在白色有机EL元件21W中，有机层82形成在阳极电极84上，例如，通过按顺序堆积对于所有像素共用的电荷注入层821、R发光层822R、连接层823、G发光层822G、连接层824和B发光层822B。此外，在通过图2的驱动晶体管22的电流驱动下，电流通过阳极电极84从驱动晶体管22流经有机层82。这允许在电子和空穴在有机层82中的每个发光层822R、822G和822B中重新结合时发光。此时，R发光层822R、G发光层82%和B发光层822B的发光颜色彼此叠加结合以便变为白光。[0090]在下文中，将给出关于根据包括共振器结构的本实施方式的像素结构的具体实施方式的描述。[0091][第一实施方式][0092]图5是示出根据具有共振器结构的三个RGB子像素的第一实施方式的像素结构的截面图。[0093]在图5中，RGB子像素20R、20G和20B中的反光板85R、85G和85B中的每一个由例如，Al-Cu合金制成，并且作为每个发光颜色中的相同层形成在层间膜86的表面部分上。在每个RGB子像素20R、20G和20B中，由例如ITO制成的透明阳极电极84R、84G和84B形成在反光板85R、85G和85B上。[0094]作为白色发光功能层的有机层82形成在阳极电极84R、84G和84B上。由例如IT0制成的透明阴极电极81形成在对于所有像素共用的该有机层82上。此外，在阴极电极S1上，保护阴极电极81的保护膜83A由氮化硅膜SiN等形成。保护膜83A对于每个子像素20R、20G和20B具有不同厚度。该厚度差可通过干蚀刻工艺等形成。[0095]在对于每个子像素20R、20G和20B具有不同厚度的保护膜83A上，半透射板87R、87G和87B，作为半反射镜，由例如，Mg-Ag合金和氧化铝Al2〇3形成。在半透射板87R、87G和87B上，保护这些半透射板87R、87G和87B的保护膜83B由氮化硅膜SiN等形成。[0096]在根据如上构成的第一实施方式的像素结构中，使用其功能与阴极电极81的功能分离的半透射板87R、87G和87B以及反光板85R、85G和85B，形成使得在作为白色发光功能层的有机层82处生成的光共振的共振器结构。在该共振器结构中，插入在阴极电极81与半透射板87R、87G和87B之间的保护膜83A的膜厚度被改变。通过这样做，对于每种发光颜色，半透射板87R、87G和87B与反光板85R、85G和85B之间的光路径长度被改变并被优化，从而改变每个像素子像素的发光颜色。[0097]依据根据第一实施方式的像素结构中的共振器结构，形成保护膜83A，并且通过干蚀刻工艺等为每种发光颜色形成台阶。在形成台阶之后，形成半透射板87R、87G和87B。这允许通过加工保护膜83A来确定半透射板87R、87G和87B与反光板85R、85G和85B之间的最终光路径长度。因此，能够抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。因此，能够最大限度地利用共振效应并进一步增强共振效应。从而，可以抑制色域和发光效率的变化。[0098]在根据先前描述的传统实例的像素结构中（参考图3，层间膜86插入在阳极电极84R、84G和84B与反光板85R、85G和85B之间，并且层间膜86的膜厚度被改变。通过这样做，优化了阴极电极81与反光板85R、85G和85B之间的光路径长度。因此，作为阳极电极84R、84G和84B的透明电极与反光板85R、85G和85B分离是必要的。[00"]在根据第一实施方式的像素结构的情况下，在以上实例中，设置作为透明电极的、与反光板85R、85G和85B分离的阳极电极84R、84G和84B。然而，可采用反光板85R、85G和85B具有阳极电极84R、84G和84B的功能的结构。即，反光板85R、85G和85B也可用作阳极电极84R、84G和84B。[0100][第二实施方式][0101]图6是示出根据具有共振器结构的三个RGB子像素的第二实施方式的像素结构的截面图。[0102]如图6所示，阳极电极84R、84G和84B各自包括透明电极，并且设置在层间膜86与作为白色发光功能层的有机层82之间。此外，在根据第二实施方式的像素结构中，插入在阳极电极S4R、84G和S4B与反光板85R、85G和85B之间的层间膜86的膜厚度被改变，从而改变每个像素子像素）的发光颜色。这与根据先前描述的传统实例的像素结构参考图3相似。然而，与根据传统实例的像素结构的较大结构差异在于:将半透射板87R、87G和87B设置为与阴极电极81分离，保护膜83A形成在阴极电极81上，并且阴极电极81形成在保护膜83A上。[0103]另外在根据如上配置的第二实施方式的像素结构中，与根据第一实施方式的像素结构一样，使用具有与阴极电极81的功能分离的功能的半透射板87R、87G和87B以及反光板85R、85G和85B，形成共振器结构，其使得在作为白色发光功能层的有机层82处产生的光共振。然而，不同于根据第一实施方式的像素结构，插入在阳极电极84R、84G和84B与反光板85R、85G和85B之间的层间膜86的膜厚度被改变。通过这样做，对于每种发光颜色，半透射板87R、87G和87B与反光板85R、85G和85B之间的光路径长度被改变并被优化，从而改变每个像素子像素的发光颜色。[0104]依据根据第二实施方式的像素结构中的共振器结构，在形成保护膜83A之后，形成半透射板87R、87G和87B。这允许通过加工保护膜83A来确定半透射板87R、87G和87B与反光板85R、85G和85B之间的最终光路径长度。因此，能够抑制共振器结构的最终光路径长度的变化。从而，能够最大限度地利用共振效应并进一步增强共振效应。因此，可以抑制色域和发光效率的变化。[0105]〈电子设备〉[0106]根据本公开的上述显示装置可用作用于所有领域中的电子设备的显示单元显示装置），该显示单元显示作为图像或视频的输入到电子设备中的视频信号或在电子设备中生成的视频信号。作为实例，显示装置可用作用于例如，电视机、数字静态照相机、笔记本型个人计算机、诸如移动电话的手提式终端设备、摄像机以及头戴式显示器的显示单元。[0107]如上所述，根据本公开的显示装置用作所有领域中的电子设备的显示单元，由此可获得以下效果。即，根据本公开的技术，能够最大限度地利用谐振效应并进一步增强谐振效应。因此，可以抑制色域和发光效率的变化。这有助于提高显示品质。[0108]根据本公开的显示装置包括具有密封结构的模块形式的显示装置。作为实例，通过将透明玻璃等的相对部分附接至像素阵列单元而形成的显示模块与模块形式的显示装置相对应。应注意，可以在显示模块中设置用于从外部向像素阵列单元输入输出信号等的电路单元、柔性印刷电路FPC等。在下文中，作为使用根据本公开的显示装置的电子设备的具体实例，将示例数字静态照相机和头戴式显示器。然而，本文举例说明的具体实例仅是实例，并且实例不限于那些具体实例。[0109]具体实例1[0110]图7是示出镜头可互换的单镜头反光式数字静态照相机的外观图；图7A是其前视图并且图7B是其后视图。镜头可互换的单镜头反光式数字静态照相机包括例如，照相机主体单元（照相机主体）111的右前侧上的可互换摄像镜头单元可互换镜头）112以及左前侧上的由拍摄者握持的握持单元113。[0111]此外，监控器114大致设置在照相机主体单元111的背面的中心处。在监视器114的上方设置有取景器（目镜窗）115。拍摄者可观察取景器115,由此能够视觉地检查从摄像镜头单元112导出的物体的光图像并确定构图。[0112]在如上配置的镜头可互换的单镜头反光式数字静态照相机中，根据本公开的显示装置可用作取景器115。即，使用根据本公开的显示装置作为取景器115，来制造根据本实例的镜头可互换的单镜头反光式数字静态照相机。[0113]具体实例2[0114]图8是头戴式显示器的外观图。头戴式显示器包括例如，眼^肜状的®亦毕兀的每侧上的耳钩部212。耳钩部212附接至用户的头部。在该头戴式显示器中，根据本公开的显示装置可用作显示单元211。即，使用根据本公开的显示装置作为显示单元211来制造根据本实例的头戴式显示器。[0115]应注意，本公开可采用以下配置。[0116][1]—种显示装置，包括：[0117]反光板；^[0118]半透射板，反光板和半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处；[0119]发光功能层，包括发光层；[0120]透明的阴极电极；以及[0121]保护膜，保护阴极电极，[0122]其中，发光功能层、阴极电极以及保护膜按顺序层压在反光板与半透射板之间，并且[0123]半透射板形成在保护膜上。[0124][2]根据以上[1]中所描述的显示装置，其中，保护膜的膜厚度针对每种发光颜色不同。[0125][3]根据以上[1]或[2]中所描述的显示装置，进一步包括反光板与发光功能层之间的透明的阳极电极。[0126][4]根据以上[1]或[2]中所描述的显示装置，其中，反光板具有阳极电极的功能。[0127][5]根据以上[1]中所描述的显示装置，进一步包括反光板与发光功能层之间的层间膜，层间膜具有针对每种发光颜色不同的膜厚度。[0128][6]根据以上[5]中所描述的显示装置，进一步包括层间膜与发光功能层之间的透明的阳极电极。[0129][7]根据以上[1]至[6]中所描述的显示装置，其中，发光功能层发射白光。[0130][8]根据以上[7]中所描述的显示装置，其中，发光功能层通过层压发射红光的红色发光功能层、发射绿光的绿色发光功能层以及发射蓝光的蓝色发光功能层而形成。[0131][9]一种包括显示装置的电子设备，[0132]其中，显示装置包括：[0133]反光板；[0134]半透射板，反光板和半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处；[0135]发光功能层，包括发光层；[0136]透明的阴极电极；以及[0137]保护膜，保护阴极电极，[0138]发光功能层、阴极电极以及保护膜按顺序层压在反光板与半透射板之间，并且[0139]半透射板形成在保护膜上。[0140]参考符号列表[0141]10有机EL显示装置[0142]2020R、20G、20®单位像素像素像素电路）[0143]2121R、21G、21B、21W有机EL元件[0144]22驱动晶体管[0145]23写入晶体管[0146]24保持电容[0147]25辅助电容[0148]30像素阵列单元[0149]3131i至3U扫描线[0150]3232i至32m电源供给线[0151]3333i至33n信号线[0152]34公共电源线[0153]40写入扫描单元[0154]50电源供给扫描单元[0155]60信号输出单元[0156]70显示面板[0157]81阴极电极[0158]82有机层（白色发光功能层）[0159]83、83A、83B保护膜[0160]84R、84G、84B阳极电极[0161]85R、85G、85B反光板[0162]86层间膜[0163]87R、87G、87B半透射板。

权利要求：1.一种显示装置，包括：反光板；半透射板，所述反光板和所述半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处；发光功能层，包括发光层；透明的阴极电极;以及保护膜，保护所述阴极电极；其中，所述发光功能层、所述阴极电极以及所述保护膜依次层压在所述反光板与所述半透射板之间，并且所述半透射板形成在所述保护膜上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护膜的膜厚度针对每种发光颜色不同。3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述反光板与所述发光功能层之间的透明的阳极电极。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反光板具有阳极电极的功能。5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述反光板与所述发光功能层之间的层间膜，所述层间膜具有针对每种发光颜色不同的膜厚度。6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括所述层间膜与所述发光功能层之间的透明的阳极电极。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光功能层发射白光。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述发光功能层通过层压发射红光的红色发光功能层、发射绿光的绿色发光功能层以及发射蓝光的蓝色发光功能层而形成。9.一种包括显示装置的电子设备，其中，所述显示装置包括：反光板；半透射板，所述反光板和所述半透射板被布置在针对每种发光颜色不同的距离处；发光功能层，包括发光层；透明的阴极电极；以及保护膜，保护所述阴极电极；所述发光功能层、所述阴极电极以及所述保护膜依次层压在所述反光板与所述半透射板之间，并且所述半透射板形成在所述保护膜上。

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