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【发明公布】粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法_日东电工株式会社_201911307193.4 

申请/专利权人:日东电工株式会社

申请日:2019-12-18

公开(公告)日:2020-06-26

公开(公告)号:CN111334212A

主分类号:C09J7/30(20180101)

分类号:C09J7/30(20180101);C09J7/10(20180101);C09J7/24(20180101);C09J163/00(20060101);C09J133/00(20060101);C09J161/06(20060101);C09J11/04(20060101);H01L21/78(20060101);H01L21/683(20060101)

优先权:["20181218 JP 2018-236334"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2023.01.03#发明专利申请公布后的撤回;2021.10.26#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要:提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜10,其损耗角正切在‑20~20℃的范围具有第1峰顶、并且在20~60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外,粘接薄膜10优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂,优选含有玻璃化转变温度为‑40~10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜10的厚度例如为40~150μm。

主权项:1.一种粘接薄膜,其中,损耗角正切在-20~20℃的范围具有第1峰顶、并且在20~60℃的范围具有第2峰顶。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日东电工株式会社 粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法

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