申请/专利权人：桂林电子科技大学

申请日：2020-03-05

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111334812A

主分类号：C25B1/04(20060101)

分类号：C25B1/04(20060101);C25B11/04(20060101);C25B11/06(20060101);C23C16/24(20060101);C23C16/50(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C01B3/04(20060101);C01G49/02(20060101);C23C28/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法，既具有较好的光透过性，又能够有效地保护不稳定的非晶硅光阴极。所述电极，包括依次耦合的导电衬底、具有pin结构的a‑Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。本发明利用甚高频等离子体气相沉积设备在透明导电衬底上制备具有pin结构的a‑Si薄膜，然后利用水浴法在薄膜硅电极表面生长厚度可达150nm的水合羟基氧化铁层，该界面层能带结构与薄膜硅匹配较好，然后既具有较好的光透过性，且在光照下可以从硅中快速提取电子到金属催化剂纳米粒子表面进行反应，在不影响薄膜的吸光性的同时，进一步增强光电流，同时减缓电极受光腐蚀的影响，将硅薄膜电极的稳定性明显提升。

主权项：1.基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极，其特征在于，包括依次耦合的导电衬底、具有pi结构的a-Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桂林电子科技大学 基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法

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