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【发明公布】一种SiP晶体生长调控方法_深圳先进技术研究院_202010217905.X 

申请/专利权人:深圳先进技术研究院

申请日:2020-03-25

公开(公告)日:2020-06-26

公开(公告)号:CN111334857A

主分类号:C30B29/10(20060101)

分类号:C30B29/10(20060101);C30B29/62(20060101);C30B25/00(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.04.16#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要:本发明公开了一种SiP晶体生长调控方法,该方法涉及单晶材料生长。制备方法是将硅源、磷源、输运剂、调控剂一起真空密封于石英管中,经过高温烧结成功得到SiP线状单晶,晶体长度可达到厘米级。该方法通过引入合适的调控剂便能改变SiP晶体形貌,晶体尺寸显著增大,并且大大提高晶体结晶性,这对于获得高质量单晶SiP具有重要意义。

主权项:1.一种调控SiP晶体生长的方法,其特征在于,包括以下步骤:将硅源、磷源按照SiP化学计量比称量混匀,加入一定物质的量比例的输运剂和调控剂;将其放入反应容器中后进行抽真空密封,在加热装置中高温烧结一定温度和时长得到SiP晶体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳先进技术研究院 一种SiP晶体生长调控方法

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