申请/专利权人:深圳先进技术研究院
申请日:2020-03-25
公开(公告)日:2020-06-26
公开(公告)号:CN111334857A
主分类号:C30B29/10(20060101)
分类号:C30B29/10(20060101);C30B29/62(20060101);C30B25/00(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.04.16#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开
摘要:本发明公开了一种SiP晶体生长调控方法,该方法涉及单晶材料生长。制备方法是将硅源、磷源、输运剂、调控剂一起真空密封于石英管中,经过高温烧结成功得到SiP线状单晶,晶体长度可达到厘米级。该方法通过引入合适的调控剂便能改变SiP晶体形貌,晶体尺寸显著增大,并且大大提高晶体结晶性,这对于获得高质量单晶SiP具有重要意义。
主权项:1.一种调控SiP晶体生长的方法,其特征在于,包括以下步骤:将硅源、磷源按照SiP化学计量比称量混匀,加入一定物质的量比例的输运剂和调控剂;将其放入反应容器中后进行抽真空密封,在加热装置中高温烧结一定温度和时长得到SiP晶体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳先进技术研究院 一种SiP晶体生长调控方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。