申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2020-02-20

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111342342A

主分类号：H01S5/14(20060101)

分类号：H01S5/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.27#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：一种集成迈克尔逊干涉仪‑双程放大器的III‑V硅基端面耦合外腔激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器芯片的一个增益通道通过硅基光斑尺寸转换器连接到硅基移相器，之后再经过两个微环谐振腔级联构成的窄带滤波器，连接到环形反射镜，以此构成硅基外腔激光器。为了增加输出光功率，反射镜的输出端经过一个移相器连接到迈克尔逊干涉仪。该迈克尔逊干涉仪由硅基定向耦合器与反射型半导体光放大器芯片的另外两个增益通道端面对准构成。本发明能同时实现激光器的窄线宽和高功率，增益芯片和硅芯片只通过一个端面耦合，具有结构紧凑、封装简单和可靠性高的优点。

主权项：1.一种集成迈克尔逊干涉仪-双程放大器的III-V硅基端面耦合外腔激光器，其特征在于包括反射型半导体光放大器阵列101、第一光斑尺寸转换器102-1、第二光斑尺寸转换器102-2、第三光斑尺寸转换器102-3、第一移相器103-1、第二移相器103-2、第三移相器103-3、第四移相器103-4、第一微环滤波器104、第二微环滤波器105、反射镜106和定向耦合器107；所述反射型半导体光放大器阵列101的第一增益通道、第二增益通道和第三增益通道分别与所述硅芯片上的第一光斑尺寸转换器102-1、第二光斑尺寸转换器102-2、第三光斑尺寸转换器102-3的左端对接耦合，所述的第一光斑尺寸转换器102-1、第二光斑尺寸转换器102-2、第三光斑尺寸转换器102-3的右端与所述的第一移相器103-1、第二移相器103-2、第三移相器103-3的左端相连，所述的第二移相器103-2、第三移相器103-3的右端分别与所述的定向耦合器107左侧端口的两根波导相连，所述的第一移相器103-1的右端与所述第一微环滤波器104的输入端相连；所述的第一微环滤波器104的输出端与所述第二微环滤波器105的输入端相连，所述第二微环滤波器105的输出端与所述反射镜106的输入端相连，所述的反射镜106的输出端经过第四移相器103-4与所述的定向耦合器107的右侧端口的一根波导相连，该定向耦合器107右侧端口的另一根波导即为激光的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 集成迈克尔逊干涉仪-双程放大器的III-V/硅基端面耦合外腔激光器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD