申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司

申请日：2020-03-02

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111341632A

主分类号：H01J37/02(20060101)

分类号：H01J37/02(20060101);H01J37/14(20060101);H01J37/317(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本说明书一个或多个实施例提供一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备。所述碳板结构应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；以及，至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。本发明所述碳板结构、分析磁场以及离子注入设备能够解决剥落物受离子束撞击而引出至玻璃基板表面导致的点不良的问题。

主权项：1.一种碳板结构，其特征在于，应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；以及，至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。

全文数据：

权利要求：

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