申请/专利权人：昆山国显光电有限公司

申请日：2020-03-24

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111341232A

主分类号：G09G3/00(20060101)

分类号：G09G3/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.17#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明实施例公开了一种残影测试方法和残影测试装置。所述方法包括：在阵列基板中预设驱动晶体管的电压由第一预设电压切换至第二预设电压后的预设时间内，获取预设驱动晶体管的源漏电流与时间的第一对应关系；在预设驱动晶体管的电压由第三预设电压切换至第二预设电压后的预设时间内，获取预设驱动晶体管的源漏电流与时间的第二对应关系；根据第一对应关系、第二对应关系及残影评价公式获取阵列基板的第一残影测试曲线，第一残影测试曲线为时间与残影评价值的对应关系。本发明实施例能够减少流片周期，降低成本。

主权项：1.一种残影测试方法，其特征在于，所述方法包括：在阵列基板中预设驱动晶体管的电压由第一预设电压切换至第二预设电压后的预设时间内，获取所述预设驱动晶体管的源漏电流与时间的第一对应关系；在所述预设驱动晶体管的电压由第三预设电压切换至所述第二预设电压后的预设时间内，获取所述预设驱动晶体管的源漏电流与时间的第二对应关系；根据所述第一对应关系、所述第二对应关系及残影评价公式获取所述阵列基板的第一残影测试曲线，所述第一残影测试曲线为时间与残影评价值的对应关系。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆山国显光电有限公司 残影测试方法和残影测试装置

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