申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-11-01

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111344834A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H05H1/46(20060101);H01J37/32(20060101);H01L21/67(20060101);C23C16/455(20060101)

优先权：["20171121 US 62/589,432","20181031 US 16/176,267"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。

主权项：1.一种用于形成氮化硅膜的方法，包括：将包括表面的基板设置在腔室中；以第一总流率使含硅气体和第一含氮气体流入所述腔室中；通过以第一功率水平将第一射频RF功率施加到所述含硅气体和所述第一含氮气体来在所述基板的所述表面上沉积含硅和氮层；中断所述含硅气体和所述第一含氮气体的流动并使第二含氮气体流入所述腔室中，其中所述第二含氮气体的流率高于所述第一总流率；通过以高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二含氮气体来处理所述含硅和氮层；以及重复进行以下操作直到形成具有预确定的厚度的膜为止：使所述含硅气体和所述第一含氮气体流动，沉积所述含硅和氮层，中断所述含硅气体和所述第一含氮气体的流动并使所述第二含氮气体流动，以及处理所述含硅和氮层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 氮化硅膜的干法蚀刻速率降低

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