申请/专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司

申请日：2019-12-19

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN210866775U

主分类号：H01S5/183(20060101)

分类号：H01S5/183(20060101);H01S5/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.26#授权

摘要：本实用新型提供一种VCSEL芯片，通过在第二对称波导层与P型限制层之间设置第一对称波导层，能有效减缓因第二对称波导层与P型限制层的Al组分不同而造成的势垒差异；其次，所述第一对称波导层的势垒呈函数渐变，使第一对称波导层的头、尾两端点的势垒分别与第二对称波导层、P型限制层的势垒无限接近，从而更大程度上降低第二对称波导层与P型限制层的势垒结，进而获得更好的串联阻值；再次，通过所述第一对称波导层的过渡，使所述第二对称波导层与P型限制层之间形成低电阻，从而在一定程度上降低了VCSEL芯片的热损耗，进一步达到了提高VCSEL芯片的微分增益的效果。

主权项：1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片包括：衬底；在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型限制层、第一波导层、第二波导层、量子阱、第二对称波导层、第一对称波导层及P型限制层；所述第一波导层及所述第一对称波导层分别包括函数渐变的势垒；在所述P型限制层背离所述第一对称波导层的一侧表面依次堆叠的P型氧化界面截止层、P型DBR层和P型包层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门乾照半导体科技有限公司 一种VCSEL芯片

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