申请/专利权人：乐金显示有限公司

申请日：2017-11-30

公开（公告）日：2020-06-30

公开（公告）号：CN108118306B

主分类号：C23C14/56(20060101)

分类号：C23C14/56(20060101);C23C14/12(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：["20161130 KR 10-2016-0162013"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.30#授权;2018.06.29#实质审查的生效;2018.06.05#公开

摘要：公开了一种卷到卷基底沉积设备，其可以控制沉积区域的宽度和长度以调节膜的尺寸。该卷到卷基底沉积设备包括沉积区域控制器，该沉积区域控制器设置在供应至室内部的柔性基底与向柔性基底供应沉积材料的沉积单元之间，以调节在柔性基底的一个表面上的由沉积材料形成的膜的宽度和长度。

主权项：1.一种卷到卷基底沉积设备，包括：室，所述室被配置成在其中连续地接收柔性基底；沉积单元，所述沉积单元设置在所述柔性基底的下方以向所述柔性基底的一个表面供应沉积材料；以及沉积区域控制器，所述沉积区域控制器设置在所述柔性基底与所述沉积单元之间，以调节在其中所述柔性基底的所述表面上沉积有由所述沉积材料形成的膜的沉积区域的宽度和长度；其中所述沉积区域控制器包括：第一控制单元，所述第一控制单元包括多个侧壁并限定对应于所述柔性基底的所述表面的沉积区域，所述侧壁中的至少两个侧壁形成第一阻挡区域以控制所述沉积区域的宽度；以及第二控制单元，所述第二控制单元设置在所述第一控制单元的下方以与所述两个侧壁相交并形成第二阻挡区域以控制所述沉积区域的长度；所述第二阻挡区域在长度方向上比所述沉积区域更短。

全文数据：卷到卷基底沉积设备[0001]本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0162013号的权益，其通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述的一样。技术领域[0002]本发明涉及卷到卷基底沉积设备，并且更具体地，涉及可以控制沉积区域的宽度和长度以调节膜的尺寸的卷到卷基底沉积设备。背景技术[0003]近来，由于数字技术的发展，以目前商业化的平板显示器如触摸面板、OLED等的高性能研宄为中心，正在大力开发下一代显示装置。其中，可弯曲或可折叠而不损失显示装置的特性的柔性显示装置不仅被用作常规平板显示装置的替代品，而且还被应用于下一代显示装置，例如电子纸。[0004]柔性显示装置通过在柔性基底如膜上沉积膜如有机发光二极管而形成。柔性显示装置以卷到卷方式形成，其中在使柔性基底卷绕在辊上的条件下连续地进行沉积过程。[0005]图1是示意性地示出常规的卷到卷基底沉积设备的图。[0006]如图1中示例性示出的，常规的卷到卷基底沉积设备包括设置在室10中的一个或更多个沉积单元20。卷到卷基底沉积设备接收卷绕在外部退绕辊30上的柔性基底50,在柔性基底50的一个表面上形成指定的膜，然后将柔性基底50输出至外部重绕辊40。在此，室10中的沉积单元20向通过传送辊15移动的柔性基底50的一个表面供应沉积材料，由此在柔性基底5〇的该表面上形成指定的膜。在此，未描述的附图标记35和45分别表示导引和传送柔性基底50的导引辊。[0007]然而，常规的卷到卷基底沉积设备不能控制从沉积单元20供应的沉积材料的沉积区域，并因此，沉积材料沉积在柔性基底50的一个表面的整体之上，以形成膜55。[0008]因此，为了调节形成在柔性基底50上的膜55的尺寸，应当执行附加的图案化工艺，例如光刻工艺或激光工艺。发明内容[0009]因此，本发明涉及一种卷到卷基底沉积设备，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。[0010]本发明的一个目的是提供一种卷到卷基底沉积设备，其可以控制沉积区域的宽度和长度，以调节膜的尺寸。[0011]本发明另外的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且在考察了下面的内容的情况下对于本领域普通技术人员而言将部分地变得显见，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过在所撰写的说明书和其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。[0012]为了实现这些目的和其他优点并且根据本发明的目的，如在本文中所实施和广泛描述的，卷到卷基底沉积设备包括:沉积单元，所述沉积单元向连续供应至室内部的柔性基底的一个表面供应沉积材料；以及沉积区域控制器，所述沉积区域控制器调节在柔性基底的所述表面上的由沉积材料形成的膜的宽度和长度。[0013]沉积区域控制器设置在室内的柔性基底与沉积单元之间，并且在柔性基底的所述表面上限定的沉积区域中形成阻挡区域，以调节膜的宽度和长度。[0014]应理解，本发明的前述一般描述和下面的详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。附图说明[0015]包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本申请中且构成本申请的一部分，所述附图示出了本发明的实施方案并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：[0016]图1是示意性地示出常规的卷到卷基底沉积设备的图；[0017]图2是示出通过常规的卷到卷基底沉积设备获得的设置有形成于其上的膜的柔性基底的一部分的图；[0018]图3是示出根据本发明的一个实施方案的卷到卷基底沉积设备的图；[0019]图4是示意性地示出沉积区域控制器的图；[0020]图5a至图5f是示出使用图3的卷到卷基底沉积设备的柔性基底的沉积过程的截面图；和[0021]图6是示出根据本发明的另一个实施方案的卷到卷基底沉积设备的图。具体实施方式[0022]现在将详细地描述本发明的优选实施方案，其实例在附图中示出。[0023]在下文中，将详细地描述根据本发明的卷到卷基底沉积设备。[0024]图3是示出根据本发明的一个实施方案的卷到卷基底沉积设备的图。[0025]参照图3,根据该实施方案的卷到卷基底沉积设备100可以在从退绕辊200连续供应的柔性基底400的一个表面例如，背表面上形成膜未示出）。设置有形成在其上的膜的柔性基底400可以通过一个或更多个传送辊118供应至重绕辊300。柔性基底400可以通过室110内的传送辊118以直列方式传送。[0026]基底沉积设备1〇〇可以包括设置在室110中的沉积器和沉积区域控制器。[0027]沉积器可以向从退绕辊200供应至室110内部的柔性基底400的一个表面供应沉积材料，以形成具有指定尺寸的膜。沉积器可以包括一个或更多个沉积单元，例如第一沉积单元111和第二沉积单元113。[0028]第一沉积单兀111和第二沉积单兀113可以向柔性基底400的一个表面供应相同的沉积材料或不同的沉积材料。在此，第一沉积单元111、第二沉积单元113可以向通过沉积区域控制器暴露的柔性基底400的一个表面供应沉积材料。因此，沉积材料沉积在柔性基底400的一个表面上，并因此可以形成指定的膜。从沉积器供应的沉积材料可以是有机材料或无机材料，以在柔性基底400的一个表面上形成有机发光二极管的膜。[0029]沉积区域控制器可以设置在柔性基底400与沉积器之间。沉积区域控制器可以控制形成在柔性基底的一个表面上的膜的面积，即，沉积区域的尺寸。沉积区域控制器可以包括一个或更多个控制单元，例如第一控制单元115和第二控制单元117。[0030]第一控制单元115可以是控制沉积区域的宽度的沉积宽度控制单元。第一控制单元115可以具有由四个侧壁形成并且设置有开放的上表面和下表面的矩形框架形状。第一控制单元115的开放区域可以被定义为沉积区域。[0031]第一控制单元115可以被设置成靠近柔性基底400的一个表面。第一控制单元115的至少两个侧壁可以在沉积区域内形成阻挡区域。通过第一控制单元115形成的阻挡区域可以对应于柔性基底400的一个表面的两个侧部。因此，在柔性基底400的一个表面上，沉积区域的宽度可以通过第一控制单元115的阻挡区域来控制。t〇〇32]此外，形成第一控制单元115的阻挡区域的两个侧壁例如，对应于柔性基底400的两个侧部的两个侧壁可以沿柔性基底的宽度方向左右移动。因此，通过第一控制单元115形成的阻挡区域的宽度改变，由此可以调节柔性基底400的一个表面上的沉积区域的宽度。[0033]第二控制单元117可以是控制沉积区域的长度的沉积长度控制单元。第二控制单元117可以具有条形状并且形成为靠近第一控制单元115的下表面。[0034]第二控制单元117可以在通过第一控制单元115限定的沉积区域内形成阻挡区域。通过第二控制单元117形成的阻挡区域可以是在宽度方向上对应于柔性基底400的一个表面的区域。因此，在柔性基底400的一个表面上，沉积区域的长度可以通过第二控制单元117的阻挡区域来控制。[0035]此外，第二控制单元117可以沿柔性基底400的长度方向左右移动。因此，通过第二控制单元117形成的阻挡区域的位置改变，由此可以调节柔性基底400的一个表面上的沉积区域的长度。[0036]图4是示意性地示出沉积区域控制器的图。[0037]参照图4,沉积区域控制器的第一控制单元115和第二控制单元117可以被设置成对应于柔性基底400的一个表面。在此，第一控制单元115可以被设置成靠近柔性基底400的一个表面，并且第二控制单元117可以被设置成靠近第一控制单元115的下表面。[0038]第一控制单元II5可以具有由第一侧壁115a至第四侧壁115d形成的矩形框架形状。第一控制单元115的第一侧壁115a和第三侧壁115c可以对应于柔性基底400的两个侧部。第一控制单元115的第二侧壁115b和第三侧壁115c可以连接至相邻的第一控制单元115的第二侧壁115b和第三侧壁115c。[OO39]对应于通过第一控制单元115暴露的区域g卩，沉积区域DA的柔性基底400的一个表面可以对应于沉积器的相应沉积单元111和113。从沉积单元111和113供应的沉积材料可以沉积在沉积区域DAI。[0040]第一控制单元115的第一侧壁115a和第三侧壁115c可以形成对应于柔性基底400的一个表面的两个侧部的阻挡区域，例如第一阻挡区域NA1。第一阻挡区域NA1可以控制沉积区域DA的宽度，例如沉积区域DA的水平宽度。因此，从沉积器供应至柔性基底400的一个表面的沉积材料可以在沉积区域DA中形成膜，所述膜的宽度通过第一阻挡区域NA1来调节。[0041]第二控制单元117可以具有条形状并且设置在第一控制单元115的下方以与第一侧壁115a和第三侧壁115c相交。第二控制单元117可以形成对应于柔性基底400的一个表面的指定区域的阻挡区域，例如第二阻挡区域NA2。第二阻挡区域NA2可以控制通过第一控制单元15限定的沉积区域DA的长度，例如沉积区域DA的垂直长度。因此，从沉积器供应至柔性基底400的一个表面的沉积材料可以在沉积区域DA中形成膜，所述膜的长度通过第二阻挡区域NA2来调节。[0042]第一控制单元115和第二控制单元117相对于柔性基底400的一个表面在指定的方向上移动，并因此可以改变沉积区域DA的宽度和长度。为了该目的，沉积区域控制器还可以包括移动控制器未示出）。[0043]更详细地，在移动控制器的控制下，第一控制单元115的第一侧壁115a和第三侧壁115c可以在柔性基底400的宽度方向上（例如，在x轴方向上）左右移动。在此，第一侧壁115a和第三侧壁115c可以在不同的方向上移动，由此可以调节沉积区域DA的宽度。在此，第一侧壁115a和第三侧壁115c移动的x轴方向可以与在室110内柔性基底400的传送方向相交。[0044]此外，在移动控制器的控制下，第二控制单元117可以在柔性基底4〇〇的长度方向上例如，在y轴方向上）左右移动。由于第二控制单元117的移动，所以可以调节形成在柔性基底400的一个表面上的沉积区域DA的长度。在此，第二控制单元117移动的y轴方向可以与在室110内柔性基底400的传送方向相同或相反。此外，第二控制单元117可以在y轴方向上与柔性基底400的传送速度或移动距离同步地移动。[0045]如上所述，根据该实施方案的基底沉积设备100在供应至室110内部的柔性基底400与向柔性基底400供应沉积材料的沉积器之间设置有沉积区域控制器，并因此可以控制沉积区域DA的宽度和长度。因此，可以通过沉积区域控制器来控制形成在柔性基底400的一个表面上的对应于沉积区域的膜的宽度和长度。因此，根据该实施方案的基底沉积设备100可以省略常规地进行来调节形成在柔性基底400上的膜的尺寸的后续图案化过程，由此简化柔性基底400的膜形成过程，即沉积过程。[0046]此外，根据该实施方案的基底沉积设备100可以在相对于柔性基底400左右移动沉积区域控制器的同时调节膜的宽度和长度。由此，可以在柔性基底400的一个表面上形成具有多种不同尺寸的膜。[0047]图5a至图5f是示出使用图3的卷到卷基底沉积设备的柔性基底的沉积过程的截面图。[0048]下文中，为了便于描述，将描述使用沉积器的第一沉积单元111的沉积过程，但是对于本领域技术人员显见的是，使用第二沉积单元113的沉积过程可以以相同的方式进行。[0049]如图5a中示例性示出的，通过第一控制单元115限定沉积区域DA，并且从第一沉积单元111供应的沉积材料在柔性基底400的一个表面上形成对应于沉积区域DA的膜，g卩，第—膜410。[0050]在此，第二控制单元117可以设置在第一控制单元115的一个侧壁例如，第二侧壁115b的下方。[0051]之后，如图5b至图5d中示例性示出的，柔性基底400可以通过室110中的传送辊118在一个方向上传送。在此，第二控制单元117可以在与柔性基底400的传送方向相同的方向上移动。由此，可以在沉积区域DA中形成通过第二控制单元117形成的阻挡区域，即第二阻挡区域NA2。[0052]由于通过第二控制单元117形成的第二阻挡区域NA2，从第一沉积单元111供应的沉积材料可以沉积在沉积区域DA的除第二阻挡区域NA2之外的剩余部分中。[0053]此外，第二控制单元117可以移动与柔性基底400的移动距离相同的距离。因此，通过第二控制单元117形成的第二阻挡区域NA2也可以移动。[00M]因此，使用从第一沉积单元111供应的沉积材料在柔性基底400的一个表面上形成第一膜410和第二膜411，并且第一膜410和第二膜411的长度通过与柔性基底4〇〇—起移动的第二控制单元117来调节，使得第一膜410和第二膜411可以形成为彼此间隔开。[0055]之后，如图5e和图5f中示例性示出的，第二控制单元in可以在与柔性基底400的传送方向相反的方向上移动，与参照图5e和图5f的描述相反。第二控制单元117可以在与柔性基底400的传送方向相反的方向上移动与柔性基底400的移动距离相同的距离。因此，通过第二控制单元117形成的第二阻挡区域NA2可以在与柔性基底400的传送方向相反的方向上移动。[0056]在此，沉积材料不应沉积在柔性基底400的一个表面的对应于第二阻挡区域NA2的部分上。然而，如图5e和图5f中示例性示出的，在先前的操作中已经从第一沉积单元11供应的沉积材料沉积在柔性基底400的一个表面的对应于第二阻挡区域NA2的部分上，由此可以形成第二膜411。[0057]更详细地，第二膜411可以形成在柔性基底400的一个表面的对应于图5e中示出的第二阻挡区域NA2的部分上。这样的第二膜411可以已经通过沉积材料沉积在柔性基底400的一个表面上的不对应于图5d中的第二阻挡区域NA2的沉积区域中形成。[0058]此外，第二膜411可以形成在柔性基底400的一个表面的对应于图5f中示出的第二阻挡区域NA2的部分上。这样的第二膜411可以已经通过沉积材料沉积在柔性基底400的一个表面上的不对应于图5e中的第二阻挡区域NA2的沉积区域DA中形成。[0059]在进行图5f的操作之后，基底沉积设备100重复图5b至图5f的操作，由此在柔性基底400的一个表面上形成多个其长度分别受控的膜。[0060]如上所述，根据该实施方案的基底沉积设备100通过使沉积材料沉积在以一个方向传送的柔性基底400的一个表面上来形成膜。沉积区域控制器例如，第二控制单元117以与柔性基底400的传送方向相同的方向或相反的方向移动，并因此可以控制膜的长度。因此，基底沉积设备1〇〇可以省略调节膜的尺寸的后续图案化过程，并且可以控制第二控制单元117的移动速度或移动距离，从而形成具有多种长度的膜。[0061]图6是示出根据本发明的另一个实施方案的卷到卷基底沉积设备的图。[0062]参照图6,根据该实施方案的卷到卷基底沉积设备101可以通过使沉积材料沉积在从退绕辊200连续供应的柔性基底400的一个表面上来形成膜未示出）。设置有形成在其上的膜的柔性基底400可以被供应至重绕辊300。柔性基底400可以沿室120内的筒118a的外圆周表面传送。[0063]基底沉积设备101可以包括设置在室120中的筒118a、沉积单元121和沉积区域控制器。[0064]筒118a可以形成为具有圆柱体形状。筒118a以指定方向旋转，使通过传送辊11¾供应的柔性基底400沿着其外圆周表面旋转，由此通过另一个传送辊llSb将柔性基底400供应至重绕辊300。[0065]沉积单元121可以被设置在筒118a的下方并且向沿着筒118a的外圆周表面传送的柔性基底400的一个表面供应沉积材料以形成指定的膜。从沉积单元121供应的沉积材料可以是有机材料或无机材料，以在柔性基底400的一个表面上形成有机发光二极管的膜。[0066]沉积区域控制器可以设置在柔性基底400与沉积单元121之间。沉积区域控制器可以通过沉积单元121控制形成在柔性基底400的一个表面上的膜的面积。沉积区域控制器可以包括第一控制单元125和第二控制单元127。[0067]第一控制单元125可以被设置成靠近沿着筒118a的外圆周表面传送的柔性基底400。第一控制单元125可以限定柔性基底400的一个表面的对应于沉积单元121的沉积区域。此外，第一控制单元125可以在柔性基底400的除沉积区域之外的剩余部分中形成阻挡区域。阻挡区域可以形成为围绕筒118a的外圆周表面。通过第一控制单元125形成的阻挡区域可以调节在沉积区域中形成的膜的宽度。第一控制单元125可以是沉积宽度控制单元。[0068]第二控制单元127可以被设置为靠近第一控制单元125的下表面。第二控制单元127在与柔性基底400的传送方向（S卩，筒118a的旋转方向）相同的方向或相反的方向上在通过第一控制单元125限定的沉积区域内左右移动，由此形成阻挡区域。通过第二控制单元127形成的阻挡区域可以调节在沉积区域中形成的膜的长度。第二控制单元127可以是沉积长度控制单元。[0069]此外，第二控制单元127可以与根据筒118a的旋转而传送的柔性基底400的传送速度或传送距离同步地左右移动。在根据该实施方案的基底沉积设备101中，第二控制单元127的移动与以上参照图1和图2描述的第二控制单元117的移动基本上相同，因此将省略对其的详细描述。[0070]如上所述，根据该实施方案的基底沉积设备101在供应至室120内部并通过筒118a的旋转传送的柔性基底400与向柔性基底40供应沉积材料的沉积单元121之间设置有沉积区域控制器，并因此可以控制沉积材料的沉积区域DA的宽度和长度。因此，可以通过沉积区域控制器来控制形成在柔性基底400的一个表面上的对应于沉积区域的膜的宽度和长度。因此，根据该实施方案的基底沉积设备1〇1可以省略常规地执行以调节形成在柔性基底400上的膜的尺寸的后续图案化过程，由此简化柔性基底4〇〇的沉积过程。[0071]此外，根据该实施方案的基底沉积设备1〇1可以在左右移动沉积区域控制器例如，第二控制单元127的同时根据柔性基底400的传送速度、方向和距离来调节膜的长度。由此，可以在柔性基底400的一个表面上形成具有多种尺寸的膜。[0072]从以上描述中显而易见的是，根据本发明的卷到卷基底沉积设备在供应至室内部的柔性基底与向柔性基底供应沉积材料的沉积单元之间设置有沉积区域控制器，以控制沉积材料的沉积区域的宽度和长度，并因此可以控制形成在柔性基底的一个表面上的对应于沉积区域的膜的宽度和长度。因此，根据本发明的卷到卷基底沉积设备可以省略常规地执行以调节形成在柔性基底上的膜的尺寸的后续图案化过程，由此简化柔性基底的沉积过程。[0073]此外，根据本发明的卷到卷基底沉积设备可以在相对于柔性基底左右移动沉积区域控制器的同时调节沉积区域的宽度和长度。由此，可以在柔性基底的一个表面上形成具有多种尺寸的膜。[0074]对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同方案的范围内的本发明的修改和变化。

权利要求：1.一种卷到卷基底沉积设备，包括：室，所述室被配置成在其中连续地接收柔性基底；沉积单元，所述沉积单元设置在所述柔性基底的下方以向所述柔性基底的一个表面供应沉积材料;以及沉积区域控制器，所述沉积区域控制器设置在所述柔性基底与所述沉积单元之间，以调节在所述柔性基底的所述表面上的由所述沉积材料形成的膜的宽度和长度。2.根据权利要求1所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述沉积区域控制器包括：第一控制单元，所述第一控制单元包括多个侧壁并限定对应于所述柔性基底的所述表面的沉积区域，所述侧壁中的至少两个侧壁形成第一阻挡区域以控制所述沉积区域的宽度；以及第二控制单元，所述第二控制单元设置在所述第一控制单元的下方以与所述两个侧壁相交并形成第二阻挡区域以控制沉积区域的长度。3.根据权利要求2所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述第一阻挡区域对应于所述柔性基底的两个侧部。4.根据权利要求2所述的卷到卷式基底沉积设备，其中所述两个侧壁沿所述柔性基底的宽度方向左右移动并由此调节所述第一阻挡区域的宽度。5.根据权利要求4所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述柔性基底的所述宽度方向与在所述室中所述柔性基底的传送方向相交。6.根据权利要求2所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述第二控制单元在所述沉积区域内沿所述柔性基底的长度方向左右移动并由此调节所述第二阻挡区域的位置。7.根据权利要求6所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述长度方向与在所述室中所述柔性基底的传送方向相同或相反。8.根据权利要求6所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述第二控制单元与所述柔性基底的传送距离同步地移动。9.根据权利要求1所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述室形成为直列型并且包括用于传送所述柔性基底的一个或更多个传送辊。10.根据权利要求1所述的卷到卷基底沉积设备，其中所述室形成为筒型并且包括用于传送所述柔性基底的筒。

百度查询： 乐金显示有限公司 卷到卷基底沉积设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD