申请/专利权人：浙江大学宁波理工学院

申请日：2020-05-15

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111360214A

主分类号：B22D1/00(20060101)

分类号：B22D1/00(20060101);C22C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.13#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了低熔点合金半固态熔体制备工艺，包括以下步骤：a.合金熔炼；将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体；b.熔体射出；将半固态熔体通过喷射管进行喷出，所述喷射管通过摆动机构带动摆动，使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出；c.熔体搅拌；喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓内，所述搅拌仓呈螺旋形，所述搅拌仓自上至下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域，其中，第一温控区域低于合金固相温度，第二温控区域高于合金液相温度，第三温控区域位于合金固相温度和合金液相温度之间，所述第四温控区域为常温。本发明工艺步骤简单，操作方便，而且半固态合金存在成分均匀、晶核圆整度好。

主权项：1.低熔点合金半固态熔体制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：a.合金熔炼；将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体；b.熔体射出；将半固态熔体通过喷射管进行喷出，使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出,喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓上部的预形核区域内，半固态熔体内的晶核与预形核区域的内壁发生碰撞炸裂，在高速旋转融合下，晶核裂变速度加快，提高形核效率；c.熔体搅拌；所述搅拌仓呈上大下小的螺旋状，且所述搅拌仓自预形核区域往下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域，其中，第一温控区域低于合金固相温度，用于半固态熔体快速形核；第二温控区域高于合金液相温度，用于半固态熔体熔断晶核的晶状臂；第三温控区域位于合金固相温度和合金液相温度之间，用于调整半固态熔体晶核的圆整度；所述第四温控区域为常温，用于最后的合金成分稳定，使得半固态合金存在成分均匀、晶核圆整度好；d.熔体制备完成；熔体从搅拌仓底部输出。

全文数据：

权利要求：

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