申请/专利权人：上海申矽凌微电子科技有限公司

申请日：2020-02-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111366837A

主分类号：G01R31/28(20060101)

分类号：G01R31/28(20060101);G01K15/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.25#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明提供了一种自适应温度芯片量产校准方法及系统，包括：步骤S1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压V1，参考电压V2，偏置电流I1，静态工作电流I2；步骤S2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值TrimT，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计ΔTinit＝fV1,V2,I1,I2,从而得到温度偏差的校准值ΔTinit。本发明自适应地纠正校准参数保证了系统运行的高效。无论是转塔式还是振动盘式的温度生产测量装置，其测试准确度和效率都得到了提高。

主权项：1.一种自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，包括：步骤S1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压V1，参考电压V2，偏置电流I1，静态工作电流I2；步骤S2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值TrimT，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计ΔTinit＝fV1，V2，I1，I2，从而得到温度偏差的校准值ΔTinit；步骤S3：从NT颗芯片中，选择一颗芯片传送到温度检验腔室，重新测量V1，V2，I1，I2以及实际的温度误差ΔTpost，将这5个参数记录到预设的自适应的数据表中，如果V1，V2，I1，I2所定位的ΔTinit＞ΔTpost，此数据表所对应的温度误差将得到修正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海申矽凌微电子科技有限公司 自适应温度芯片量产校准方法及系统

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