申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2020-03-30

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111364096A

主分类号：C30B11/00(20060101)

分类号：C30B11/00(20060101);C30B29/52(20060101);B22D27/04(20060101);C22C19/05(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.22#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明涉及一种基底触发单晶高温合金定向凝固工艺，包括以下步骤：1制备与单晶高温合金晶体学特征相匹配的单晶基底材料；2利用得到的单晶基底材料制备单晶基底激冷盘；3将得到的单晶基底激冷盘应用于定向凝固设备中，进行高温合金熔炼和定向凝固制备，即制备得到单晶高温合金产品。与选晶法和籽晶+选晶法相比，本发明在精确控制单晶高温合金取向的基础上，通过消除螺旋选晶器降低了铸件的整体高度，从而达到增强轴向散热、提高糊状区温度梯度和消除雀斑和缘板附近杂晶的目的。本发明的成功实施不仅可以大幅提叶片的制备质量和制备成功率，还可以降低单晶高温合金叶片的制备成本。

主权项：1.一种基底触发单晶高温合金定向凝固工艺，其特征在于，包括以下步骤：1制备与单晶高温合金晶体学特征相匹配的单晶基底材料；2利用得到的单晶基底材料制备单晶基底激冷盘；3将得到的单晶基底激冷盘应用于定向凝固设备中，进行高温合金熔炼和定向凝固制备，即制备得到单晶合金产品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 基底触发单晶高温合金定向凝固工艺

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