申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2020-03-27

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370548A

主分类号：H01L33/32(20100101)

分类号：H01L33/32(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.29#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：一种抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法，该氮化镓基紫外发光器件包括一衬底；一低温成核层；一n型GaN；一n型AlGaN；一InGaNAlGaN量子阱有源区；一p型电子阻挡层；一p型AlGaN；一p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明通过改变n型掺杂AlGaN和InGaNAlGaN量子阱的生长方法提高材料质量，降低反向漏电，改善发光效率；采用降低反应室生长压力的方法，减少三甲基铝有机源和氨气的预反应，提高AlGaN的材料质量和表面形貌，降低反应过程中Al原子表面迁移能力低的不利影响。

主权项：1.一种抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上；一n型GaN，其制作在低温成核层上；一n型AlGaN，其制作在n型GaN上；一InGaNAlGaN量子阱有源区，其制作在n型AlGaN上；一p型电子阻挡层，其制作在InGaNAlGaN量子阱有源区上；一p型AlGaN，其制作在p型电子阻挡层上；一p型重掺接触层，其制作在p型AlGaN上；一p型欧姆电极，其制作在p型重掺接触层上；以及一n型欧姆电极，其制作在n型AlGaN刻蚀出的台阶上。

全文数据：

权利要求：

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