申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-04-22

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370491A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.19#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了一种开关LDMOS器件，在半导体衬底中具有第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在所述的LDD区中，具有作为源区的第一重掺杂区，在第一体掺杂区中，具有作为漏区的第二重掺杂区；在栅极结构之下、LDD区与体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；所述LDD区及体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与LDD中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。本发明体掺杂区以更高的离子注入的能量和离子注入的剂量实现提高器件的击穿电压BV且缩小器件尺寸的目的。

主权项：1.一种开关LDMOS器件，形成于半导体衬底中的一具有第一导电类型的第一阱中，其特征在于：在所述的第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在LDD区与第二导电类型的体掺杂区之间的衬底表面，形成有所述开关LDMOS器件的栅极结构；所述栅极结构包含有覆盖于衬底表面的栅介质层，以及覆盖于栅介质层之上的多晶硅栅极；在栅极结构的两侧还具有栅极侧墙；在所述的LDD区中，具有第二导电类型的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第一重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的源区；在第一体掺杂区中，具有第二导电类型的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第二重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的漏区；在栅极结构之下、LDD区与体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；所述LDD区及体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与LDD中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。

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权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 开关LDMOS器件及制造方法

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