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【发明公布】晶体管的制作方法及全包围栅极器件结构_中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司_201811602315.8 

申请/专利权人:中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司

申请日:2018-12-26

公开(公告)日:2020-07-03

公开(公告)号:CN111370306A

主分类号:H01L21/28(20060101)

分类号:H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.04.28#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要:一种晶体管的制作方法及全包围栅极的器件结构,包括:基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底;在顶层衬底形成源极区和漏极区,在源极区和漏极区之间形成沟道区,源极区至漏极区的方向为第一方向,垂直第一方向为第二方向;在第二方向上,沟道区两侧形成贯穿顶层衬底的孔;通过孔刻蚀孔下方及沟道区下方的绝缘层,以形成空腔,空腔与孔连通;形成栅极结构,覆盖所述沟道区上表面、所述孔和所述空腔靠近沟道区的壁面,所述栅极结构包括栅介质层及覆盖所述栅介质层的栅极,从而在沟道区的两侧及上下表面形成全包围的栅极结构,增加栅极对沟道的控制能力,提高击穿电压,同时提高电流Ids,简化MOS晶体管的栅极绝缘层的生长工艺。

主权项:1.一种晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底;在所述顶层衬底形成源极区和漏极区,在所述源极区和漏极区之间形成沟道区,所述源极区至漏极区的方向为第一方向,垂直所述第一方向为第二方向;在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上,所述沟道区两侧形成贯穿所述顶层衬底的孔;通过所述孔刻蚀所述孔下方及所述沟道区下方的绝缘层,以形成空腔,所述空腔与所述孔连通;形成栅极结构,覆盖所述沟道区上表面、所述孔和所述空腔靠近沟道区的壁面,所述栅极结构包括栅介质层及覆盖所述栅介质层的栅极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 晶体管的制作方法及全包围栅极器件结构

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