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【发明公布】一种强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列及其方法_南京工业大学_201910747348.X 

申请/专利权人:南京工业大学

申请日:2019-08-14

公开(公告)日:2020-07-03

公开(公告)号:CN111370716A

主分类号:H01M4/92(20060101)

分类号:H01M4/92(20060101);B82Y30/00(20110101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.07.05#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要:本发明涉及一种在室温条件下通过强配体控制直接在基底上生长三维铂纳米线阵列的技术,得到的铂纳米线阵列分布均匀,可重复性高,长度,疏密度及表面粗糙度均可控,最后长过铂线的导电基底可直接作为工作电极用于甲醇燃料电池测试,相比于商业铂碳具有较高的活性及稳定性。本发明所需原料简单易得,操作过程简便、安全,成本低,催化活性较高,稳定性较好,可以适于工业规模化生产,具有较强的实用性。

主权项:1.一种在强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列的方法,其特征在于:该方法可按如下步骤依次进行:1对基底进行表面氨基化处理,即将基底泡在硅烷偶联剂和酸的混合溶液中;2将步骤1中基底取出,洗掉多余的硅烷偶联剂溶液,再泡在铂种子液中;3将步骤2中基底取出,洗掉多余的铂种子,将其放在氯铂酸、巯基配体、硼氢化钠的混合溶液中进行生长,即可得到三维铂纳米线阵列。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京工业大学 一种强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列及其方法

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