申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-04-23

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370474A

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.24#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，沟槽栅包括第一沟槽和形成于第一沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘；栅极总线包括多级，所需的栅极串联电阻设置在两级相邻的栅极总线之间并实现两级栅极总线之间的连接，栅极串联电阻包括第二沟槽、形成于第二沟槽内的隔离氧化层和多晶硅电阻；多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线；多晶硅电阻通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线。本发明不需要增加额外的光罩来定义栅极串联电阻，从而能降低成本。

主权项：1.一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，其特征在于：沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，所述沟槽栅包括形成于半导体衬底中的第一沟槽、形成于所述第一沟槽内侧表面的栅氧化层和填充于所述第一沟槽中的多晶硅栅；各所述沟槽栅的多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘，所述栅极总线和所述栅极焊盘都由对应的正面金属层组成；所述栅极总线包括多级，所需的所述栅极串联电阻设置在两级相邻的所述栅极总线之间并实现两级所述栅极总线之间的连接，所述栅极串联电阻包括形成于半导体衬底中的第二沟槽、形成于所述第二沟槽内侧表面的隔离氧化层和填充于所述第二沟槽中的多晶硅电阻；所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到对应的所述栅极总线；所述多晶硅电阻通过顶部对应的接触孔连接到对应的所述栅极总线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽栅器件的栅极串联电阻

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