申请/专利权人：深圳尚阳通科技有限公司

申请日：2018-12-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370494A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.14#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了一种超结器件，器件单元区的第一超结结构由第一和二种柱交替排列而成；终端区的第二超结结构由第三和多四种柱交替排列而成。第二种柱都连接到正面电极，第一种柱都通过连接到背面电极。终端区的最内侧包括有过渡区，过渡区外侧第四种柱浮空，各第三种柱都通过连接到背面电极。在超结器件反偏时，各第一种柱被两个方向横向耗尽，过渡区外侧各第三种柱被从内往外的单方向横向耗尽。在不改变第一超结结构的结构的条件下，利用单方向横向耗尽会比两个方向耗尽所需电场强度大的特征，通过减少第三种柱的宽度或降低第三种柱的掺杂浓度来降低各第二超结单元耗尽所需的电场强度。本发明能提高终端区的击穿电压，从而提高器件的性能。

主权项：1.一种超结器件，其特征在于，包括器件单元区和终端区，所述终端区环绕在所述器件单元区的周侧；所述器件单元区中包括第一超结结构，所述终端区中包括第二超结结构；所述第一超结结构由多个第一种柱和多个第二种柱交替排列而成，所述第一种柱具有第一导电类型，所述第二种柱具有第二导电类型，由一个所述第一种柱和相邻的一个所述第二种柱形成一个第一超结单元；所述第一种柱由位于所述第二种柱之间的具有第一导电类型掺杂的第一外延层组成，所述第一外延层形成于半导体衬底表面；所述第二超结结构由多个第三种柱和多个第四种柱交替排列而成，所述第三种柱具有第一导电类型，所述第四种柱具有第二导电类型，由一个所述第三种柱和相邻的一个所述第四种柱形成一个第二超结单元；所述第三种柱由位于所述第四种柱之间的具有第一导电类型掺杂的第一外延层组成；所述器件单元区中形成有多个超结器件单元，各所述超结器件单元形成并联结构；所述器件单元区中的各所述第二种柱都连接到所述超结器件的正面电极，各所述第一种柱都通过所述第一外延层连接到所述超结器件的背面电极；所述终端区的最内侧包括有过渡区，所述过渡区和所述器件单元区相邻接，所述过渡区中的所述第四种柱也连接到正面电极，所述过渡区外侧的所述第四种柱浮空，各所述第三种柱都通过所述第一外延层连接到所述超结器件的背面电极；在所述超结器件反偏时，各所述第一超结结构被完全耗尽且各所述第一种柱被两侧的所述第二种柱从两个方向实现横向耗尽，各所述第二超结结构被完全耗尽且所述过渡区外侧各所述第三种柱被从内往外的单方向横向耗尽；在不改变所述第一超结结构的结构的条件下，利用单方向横向耗尽会比两个方向耗尽所需电场强度大的特征，通过减少所述第三种柱的宽度或降低所述第三种柱的掺杂浓度来降低各所述第二超结单元耗尽所需的电场强度并将各所述第二超结单元耗尽所需的电场强度降低临界击穿电场强度以下。

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百度查询： 深圳尚阳通科技有限公司 超结器件

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