申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司

申请日：2018-12-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370310A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.18#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括至少一个器件单元区，每一个器件单元区适于形成有源器件；在每一个器件单元区中，在基底内形成阱区，在所述阱区内形成至少两个相隔离的掺杂区；在每一个所述器件单元区中，在所述阱区内形成至少一个体接触区，所述体接触区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相同；其中，形成所述掺杂区和体接触区后，所述体接触区位于所述掺杂区内，所述体接触区通过相对应的掺杂区与其他掺杂区相隔离，且所述体接触区底部与所述阱区相接触。本发明在不影响半导体结构正常工作的同时，缩短了半导体结构工作时所形成体区与外部电路的电连接距离。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括至少一个器件单元区，每一个所述器件单元区适于形成有源器件；在每一个所述器件单元区中，在所述基底内形成阱区；在每一个所述器件单元区中，在所述阱区内形成至少两个相隔离的掺杂区；在每一个所述器件单元区中，在所述阱区内形成至少一个体接触区，所述体接触区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相同；其中，形成所述掺杂区和体接触区后，所述体接触区位于所述掺杂区内，所述体接触区通过相对应的掺杂区与其他掺杂区相隔离，且所述体接触区底部与所述阱区相接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯集成电路(宁波)有限公司 半导体结构及其形成方法

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